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公开(公告)号：CN117941493A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280060606.7
申请日：2022-09-04
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约翰·霍昂 , 亚伦·林恩·罗赞 , 安德烈亚斯·菲舍尔 , 沈美华 , 索斯藤·贝恩德·莱尔 , 萨沙撒耶·瓦拉达拉简
摘要： 可以通过以下方式蚀刻硫族化物材料层：将具有硫族化物材料层的晶片提供给处理室，将晶片加热到第一温度，在晶片处于第一温度时通过使包含氟化物或氯化物的第一化学物质流动到晶片上来改性硫族化物材料层的表面以产生硫族化物材料的改性层，并且在不使用等离子体的情况下，通过使第二化学物质流动到晶片上来去除硫族化物材料的改性层，所述第二化学物质包括具有中心原子铝、硼、硅或锗且具有至少一个氯原子的化合物。
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公开(公告)号：CN103854946A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310595115.5
申请日：2007-06-08
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , Y10T29/49718
摘要： 用于显著地减少和/或防止等离子不受限制故障发生的方法和装置，包括利用介电防护结构防护在室部件之间并沿RF电流路径存在的间隙、利用介电防护结构遮蔽尖锐部件结构、以及将相邻等离子限制环对之间的间隙保持为小于该等离子的所述最坏情况德拜长度中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN101646806B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200780021251.6
申请日：2007-06-08
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32495 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , Y10T29/49718
摘要： 用于在等离子处理室内防止等离子不受限制故障发生的方法和装置。用于显著地减少和/或防止等离子不受限制故障发生的方法和装置，包括利用介电防护结构防护在室部件之间并沿RF电流路径存在的间隙、利用介电防护结构遮蔽尖锐部件结构、以及将相邻等离子限制环对之间的间隙保持为小于该等离子的所述最坏情况德拜长度中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN101506950A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780027379.3
申请日：2007-07-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 , 拉金德尔·德辛德萨 , 埃里克·赫德森 , 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC分类号： H01L21/306 , C23C16/00
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32091 , H01J2237/03
摘要： 一种用于电感方式限制在等离子处理设备中形成的电容耦合RF等离子的装置。该设备包括上部电极和下部电极，该下部电极适于支撑基片并在该基片和该上部电极之间产生等离子。该装置包括同心围绕该上部电极的介电支撑环和多个安装在该介电支撑环上的线圈单元。每个线圈单元包括沿该介电支撑环径向设置的铁磁芯体以及至少一个围绕每个铁磁芯体缠绕的线圈。该线圈单元在接收来自RF电源的RF功率时产生电场和磁场，该电场和磁场减少该等离子中扩散出该等离子的带电粒子数量。
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公开(公告)号：CN101479611A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200780024625.X
申请日：2007-06-26
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/304 , H01J37/32935 , H01L21/67253
摘要： 检测等离子处理室中等离子失限状态的通用等离子失限检测系统以及方法。该检测系统和方法设计为以不依赖工艺并且不依赖制法的方式可靠并且准确地检测该等离子失限状态的存在。
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公开(公告)号：CN102768934B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201210273943.2
申请日：2007-06-08
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32495 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , Y10T29/49718
摘要： 提供了防止在受限等离子保持区域之外发生的基板处理过程中的等离子不受限事件的配置等离子处理室的方法。提供了由围绕电极底部的一组限制环限定的等离子保持区域。该方法包括测定处理过程中等离子处理室内生成的等离子的最差情况德拜长度。该方法还包括执行调节任意对相邻限制环之间的间隙和增加至少一个额外的限制环的至少一个以确保任意对相邻限制环之间的间隙小于该最差情况德拜长度。
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公开(公告)号：CN104185897A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201380016008.0
申请日：2013-03-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32972
摘要： 公开了用于控制等离子体处理室中的等离子体生成以减少副产物气体的有效停留时间或者以实时方式控制等离子体处理室中的某些聚合物前体或反应副产物的浓度的方法和装置。通过减少等离子体反应达到处理时间的至少一部分，而“有效地”减少气体停留时间。可以提供阈值来控制何时允许等离子体反应以全速率进行及何时允许等离子体反应以减小的速率进行。通过降低等离子体副产物生成速率至少持续达处理时间的一部分，可有效地减少副产物气体停留时间以改善处理结果。
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公开(公告)号：CN101971712B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980108359.8
申请日：2009-01-08
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC分类号： H05H1/34 , H01L21/3065
CPC分类号： G05D7/0635 , C23C16/45523 , C23C16/509 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , Y10T137/0324
摘要： 提供一种用于控制等离子体处理室内的气流传导的设备，该等离子体处理室被配置有面对下电极设置的上电极，该下电极适于支撑衬底。该设备包括被配置为包括形成于其中的第一组径向狭槽的接地环。该设备还包括包括至少第一组可折叠约束环和第二组可折叠约束环的约束环装置，该第二组可折叠约束环被配置为可移动地耦合于该第一组可折叠约束环。该设备进一步包括被配置为至少折叠和展开该第一组可折叠约束环和该第二组可折叠约束环以控制穿过该第一组径向狭槽的气流传导在以下两种状态之间的机构：(a)不受阻碍其流，ON状态，以及(b)受阻碍气流，OFF状态。
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公开(公告)号：CN101473061B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200780023237.X
申请日：2007-06-01
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/00
CPC分类号： H01J37/32862 , B08B7/0035 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32596
摘要： 公开一种用来从等离子限制环快速去除聚合物膜而对其他等离子蚀刻室零件造成最小腐蚀的设备。该设备包含中心组件、电极板、限制环栈、第一等离子源和第二等离子源。该电极板固定在中心组件的表面，该中心组件中具有沿外圆周形成的通道。第一等离子源设置在该通道内并且沿着中心组件的外圆周，其中第一等离子源用以引导等离子至限制环栈的内圆周表面。远离该第一等离子源设置的第二等离子源用以在蚀刻室内的基片上执行处理操作。
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公开(公告)号：CN101199036B
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200680021011.1
申请日：2006-06-12
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安德烈亚斯·菲舍尔
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32642
摘要： 一种等离子体反应器(200)，包括室(202)、底部电极(204)、顶部电极(206)、第一约束环组(208)、第二约束环组(210)、以及接地扩展部(212)。该顶部和底部电极、该第一和第二约束环组、以及该接地扩展部均封入该室内。该第一约束环组大体上平行于该底部电极和该顶部电极，并围绕该底部电极和顶部电极之间的第一体积。该第二约束环组大体上平行于该底部电极和该顶部电极，并围绕该底部电极和顶部电极之间的第二体积。该第二体积至少比该第一体积大。接地扩展部邻近并围绕该底部电极。该第一约束环组和该第二约束环组能够被独立地升高和降低，以延伸到该接地扩展部之上的区域内。
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