公开(公告)号：CN114342037A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202080055895.2

申请日：2020-07-22

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 艾利克·哈德森 ,  斯科特·布里格斯 ,  约翰·霍兰德 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  菲力克斯·莱布·科扎克维奇 ,  肯尼思·卢凯西

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文描述了用于清洁边缘环凹部的系统和方法。所述方法中的一种包含：将一或多种处理气体提供至等离子体室、将低频(LF)射频(RF)功率供给至邻近等离子体室的卡盘定位的边缘环。LF RF功率在将一或多种处理气体供给至等离子体室时供给，以维持等离子体室内的等离子体。供给LF RF功率增加靠近边缘环凹部的等离子体离子的能量，以去除边缘环凹部内的残余物。LF RF功率是在等离子体室内未处理衬底的时间段期间内供给。

公开(公告)号：CN102766855B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210273737.1

申请日：2008-09-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 格雷格·贝当古 ,  拉金德尔·德辛德萨 ,  乔治·迪尔克斯 ,  兰德尔·A·哈丁 ,  乔恩·科尔 ,  杜安·莱特尔 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  罗杰·帕特里克 ,  约翰·佩格 ,  莎伦·斯宾塞

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： H01J37/04 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32605 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/032

摘要： 本发明大体涉及等离子体处理，尤其涉及等离子体处理中使用的等离子体处理室和电极总成。根据本发明的一个实施方式，提供一种包含热控制板、硅基喷淋头电极和紧固硬件的电极总成，其中该硅基喷淋头电极包含在该硅基喷淋头电极的背部中形成的多个部分缺口和位于该部分缺口中的背部插入件。该热控制板包含被配置为允许紧固硬件进入该背部插入件的紧固硬件通道。该紧固硬件和该背部插入件被配置为保持该热控制板和该硅基喷淋头点击的啮合并允许该热控制板和该硅基喷淋头电极的拆卸，在拆卸过程中隔离该硅基喷淋头电极的该硅基电极材料与该紧固硬件，免于摩擦接触。

公开(公告)号：CN104465457A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410482626.0

申请日：2014-09-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉金德尔·迪恩赛 ,  南尚基 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  埃里克·A·赫德森

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67359 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L2221/67

摘要： 本文中公开的技术涉及双等离子体源反应器处理晶片中离子与中性物质比控制，具体涉及用于蚀刻衬底的方法和装置。板组件将反应室划分成下子室和上子室。板组件包括具有贯穿的孔的上板和下板。当使上板中的孔与下板中的孔对准时，离子和中性物质可经过板组件进入下子室。当这些所述孔不对准时，防止离子通过组件同时中性物质受到小得多的影响。因此，可通过控制孔对准面积的大小来调整离子通量:中性物质通量的比率。在某些实施方式中，板组件的一个板具体化成一系列同轴的、可独立运动的注入控制环。此外，在一些实施方式中，上子室具体化为被绝缘材料的壁隔离的一系列同轴的等离子体区。

公开(公告)号：CN102388439B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080015441.9

申请日：2010-04-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  艾利克·哈德森 ,  拉金德尔·德辛德萨 ,  安德鲁·拜勒

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/24 ,  H05H1/36

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32137 ,  H01J37/32146 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3348

摘要： 提供了操作具有设有接收气体的空间和在该空间可操作地产生电磁场的电磁场产生部分的处理系统的方法。该方法包括提供气体至该空间并用驱动信号操作该电磁场产生部分以在该空间产生电磁场以将至少部分气体转为等离子体。作为时间函数的驱动电势基于第一电势函数部分和第二电势函数部分。第一电势函数部分包括有第一幅度和第一频率的第一连续周期部分。第二电势函数部分包括有最大幅度部分、最小幅度部分和占空比的第二周期部分。最大幅度部分幅度高于最小幅度部分。占空比是最大幅度部分持续时间同最大幅度部分持续时间和最小幅度部分持续时间总和之比。第二周期部分在最大幅度部分中还有第二频率。第二周期部分的幅度调整与第一连续周期部分同相。

公开(公告)号：CN101213147B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200680023933.6

申请日：2006-06-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克里斯托弗·金博尔 ,  埃里克·赫德森 ,  道格拉斯·凯尔 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫

IPC分类号： G01N27/00 ,  C02F1/00

CPC分类号： H01J37/32431 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/0081 ,  Y10T29/49002

摘要： 公开了一种探针装置，其配置为测量等离子体处理室内的电特性组，该等离子体处理室包括配置为暴露于等离子体的等离子体室表面组。该探针装置包括收集盘结构，其配置为暴露于所述等离子体，由此，收集盘结构与该等离子体室表面组中的至少一个是共面的。该探针装置还包括传导路径，其配置为将该电特性组由该收集盘结构传输到转换器组，其中由该等离子体的离子通量产生该电特性组。该探针装置进一步包括绝缘阻挡部，其配置为大体上将收集盘结构和传导路径与所述等离子体室表面组电分离。

公开(公告)号：CN102379029A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080014577.8

申请日：2010-04-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 ,  拉金德尔·德辛德萨

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01J37/32642 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明提供了与驱动器和材料供应源联用的晶片处理系统。所述驱动器可操作地产生驱动信号。所述材料供应源可操作地提供材料。所述晶片处理系统包括上限制腔部分、下限制腔部分、限制环和静电卡盘。所述上限制腔部分含有上限制腔部分内表面。所述下限制腔部分被配置为可拆分地与所述上限制腔部分接触。所述下限制腔部分含有下限制腔部分内表面。所述限制环被配置为可拆分地与所述上限制腔部分内表面和所述下限制腔部分内表面接触。所述限制环含有限制环内表面。所述静电卡盘含有静电卡盘上表面并被设置为接收所述驱动信号。所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘被设置为使得所述上限制腔部分内表面、所述下限制腔部分内表面、所述限制环内表面和所述静电卡盘上表面围绕能够接收所述材料的等离子体形成空间。当所述静电卡盘收到所述驱动信号时，所述上限制腔部分、所述下限制腔部分、所述限制环和所述静电卡盘可操作地将所述材料转换为等离子体。所述限制环含有非矩形横截面。

公开(公告)号：CN101166583B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200680010072.8

申请日：2006-03-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃里克·赫德森 ,  道格拉斯·凯尔 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫

IPC分类号： H01L21/3065 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32963 ,  H01J37/32935

摘要： 本发明公开了一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的方法，该层通过先前处理沉积在表面上。该方法包括提供与表面共面的传感器，其中，该传感器被配置为测量厚度。该方法还包括：将等离子体室暴露给等离子体，其中，通过暴露来改变厚度；以及确定厚度作为时间的函数。该方法还包括确定厚度中的稳态条件，该稳态条件的特征在于厚度基本上不变的测量结果，稳态条件的开始表示终点。

公开(公告)号：CN101978793A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110113.4

申请日：2009-02-04

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 罗杰·帕特里克 ,  拉金德尔·德辛德萨 ,  格雷格·贝当古 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫

IPC分类号： H05H1/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/265 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45565 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32724

摘要： 本发明大体涉及等离子处理，更具体地，涉及等离子处理室和其中的电极组件。按照本发明一个实施方式，提供一种电极组件，包括热控板、硅基喷头电极和导热垫圈，其中该热控板的前侧和该喷头电极的背侧各自的轮廓配合以形成脱节的热界面，其包括邻近该喷头电极的喷头通道的部分和远离该喷头通道的部分。该远离部分相对该邻近部分凹下和通过该热界面的该邻近部分与该喷头通道隔开。该垫圈是沿该远离部分设置从而该垫圈与该喷头通道隔开并可促进跨过该热界面、从该喷头电极到该热控板的热传递。

公开(公告)号：CN101809719A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880022113.4

申请日：2008-06-23

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉金德尔·德辛德萨 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/21 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32697

摘要： 提供一种在等离子体处理室中处理衬底的方法。该衬底被置于卡盘上方并被边缘环围绕。该边缘环被从该卡盘电性隔离。该方法还包括向该卡盘提供射频电力。该方法还包括提供可调节电容装置。该可调节电容装置耦合于该边缘环以向该边缘环提供射频耦合，使得该边缘环具有边缘环电势。该方法进一步包括在该等离子体处理室中产生等离子体以处理该衬底。该衬底被处理而该可调节电容装置被配置为在处理该衬底的同时，按照所述衬底的直流电势动态调节所述边缘环电势。

公开(公告)号：CN101730931A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200880022423.6

申请日：2008-06-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉金德尔·德辛德萨 ,  阿列克谢·马拉赫塔诺夫

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/6732 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  Y10S156/915

摘要： 提供一种在等离子体处理室中处理衬底的方法。该衬底被置于卡盘上方并被第一边缘环围绕。该第一边缘环被从该卡盘电性绝缘。该方法包括提供第二边缘环。该第二边缘环被置于该衬底的边缘下方。该方法进一步包括提供耦合环。该耦合环被配置为协助从ESC(静电卡盘)组件到该第一边缘环的射频耦合，由此使得在衬底处理过程中该第一边缘环具有边缘环电势，并使得在该衬底处理过程中该射频耦合在该第一边缘环被最大化并在该第二边缘环被最小化。