公开(公告)号：CN114582979A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111367388.5

申请日：2021-11-18

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  渡壁创 ,  海东拓生 ,  小野寺凉

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  G09G3/3233

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其提高包含使用了氧化物半导体的薄膜晶体管的半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和第1金属层，其与所述氧化物半导体层接触，并且与所述源极电极和所述漏极电极隔开间隔地配置在所述源极电极与所述漏极电极之间。

公开(公告)号：CN114582886A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111367815.X

申请日：2021-11-18

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮 ,  海东拓生

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一种半导体装置，抑制薄膜晶体管的占用面积并提高半导体装置的可靠性。半导体装置在各像素中具有薄膜晶体管。所述薄膜晶体管具有：氧化物半导体层；栅极绝缘层；隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层重叠的栅极电极；与所述氧化物半导体层接触的源极电极；与所述氧化物半导体层接触的漏极电极；和与所述氧化物半导体层接触，并且以横穿所述氧化物半导体层的方式配置在所述源极电极与所述漏极电极之间的n(n为自然数)个金属层，在俯视时，所述氧化物半导体层在所述源极电极与所述漏极电极之间具有(n+1)个沟道区域。

公开(公告)号：CN107527954B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201710324502.3

申请日：2017-05-10

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 佐佐木俊成 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  盐川真里奈

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 提供一种可靠性较高的半导体装置。半导体装置具有：氧化物半导体层；氧化物半导体层的上方的栅极电极；氧化物半导体层与栅极电极之间的栅极绝缘层；第1绝缘层，处于氧化物半导体层的上方，设有第1开口部；布线，处于第1绝缘层上，包含铝层，经由第1开口部电连接于氧化物半导体层；阻挡层，将第1绝缘层上、布线上及布线的侧面覆盖，包含氧化铝；以及阻挡层上的有机绝缘层。

公开(公告)号：CN111584499A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010081137.X

申请日：2020-02-05

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  小野寺凉 ,  铃村功

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明涉及显示装置及半导体器件。能在同一基板内形成LTPS TFT和氧化物半导体TFT。显示装置，其特征在于，具有形成有使用氧化物半导体(109)的第一TFT和使用多晶硅半导体的第二TFT的基板，上述第一TFT中，覆盖上述氧化物半导体而形成第一绝缘膜(112)，第一漏电极(110)介由上述第一绝缘膜中形成的第一通孔(132)连接于上述氧化物半导体，第一源电极(111)介由第二通孔(133)连接于上述氧化物半导体，覆盖上述第一漏电极及上述第一源电极而形成第二绝缘膜(115)，漏极布线(120)介由上述第二绝缘膜中形成的第三通孔(130)连接于上述第一漏电极，源极布线(122)介由上述第二绝缘膜中形成的第四通孔(131)连接于上述第一源电极。

公开(公告)号：CN107017210A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611252352.1

申请日：2016-12-30

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 渡壁创 ,  有吉知幸 ,  花田明纮

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78606 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/511

摘要： 根据本实施方式，薄膜晶体管具备第1绝缘膜、设置在上述第1绝缘膜之上的氧化物半导体层、设置在上述氧化物半导体层之上的第2绝缘膜，上述第1绝缘膜和上述第2绝缘膜的至少一方具有与上述氧化物半导体层接触的第1区域、和比上述第1区域更远离上述氧化物半导体层的第2区域，上述第2区域具有比上述第1区域高的氩浓度。

公开(公告)号：CN207381400U

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201721172053.7

申请日：2017-09-13

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 铃村功 ,  渡壁创 ,  花田明纮 ,  渡边裕一

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1362

CPC分类号： H01L27/1251 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  G03F7/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78693 ,  H01L2227/323

摘要： 本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。

公开(公告)号：CN212569365U

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202021144125.9

申请日：2020-06-19

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 神内纪秀 ,  渡壁创 ,  小野寺凉 ,  花田明纮

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G01S17/89 ,  G01V8/10

摘要： 本实用新型提供一种半导体器件，在其基片之上，多条扫描线(11)相互平行地在第一方向上延伸，多条信号线(12)相互平行地在作为与上述第一方向交叉的方向的第二方向上延伸，在由上述扫描线(11)和上述信号线(12)包围的区域配置有第一电极(115)，上述第一电极(115)是通过将由第一氧化物半导体(103)构成的第一TFT和由第二氧化物半导体(103)构成的第二TFT串联连接而成的结构来控制的，上述第一氧化物半导体(103)和上述第二氧化物半导体(103)隔开间隔地配置。根据本实用新型，在使用基于氧化物半导体的TFT的半导体器件中，能够防止因杂质等的影响而使TFT发生导通不良。

公开(公告)号：CN212461692U

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202020529398.9

申请日：2020-04-10

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 小野寺凉 ,  花田明纮 ,  田中仁

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

摘要： 本实用新型涉及半导体装置。课题为在使用由多晶硅形成的TFT和由氧化物半导体形成的TFT的半导体装置中，能够减少层数并降低制造成本。解决手段为半导体装置，其具有第一TFT和第二TFT，所述第一TFT具有由第一多晶硅(102)形成的沟道、且在源极及漏极具有对所述第一多晶硅赋予导电性而得的第二多晶硅，所述第二TFT具有由氧化物半导体(108)形成的沟道和对所述氧化物半导体赋予导电性而得的源极及漏极，半导体装置的特征在于，构成所述第一TFT的第一栅电极(104)由与所述氧化物半导体的源极及漏极相同的材料形成。

公开(公告)号：CN207216226U

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201721108100.1

申请日：2017-08-31

申请人： 株式会社日本显示器

发明人： 花田明纮

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L27/3244 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0247 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

摘要： 本实用新型涉及显示装置。本实用新型的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其具有形成有像素的显示区域，所述像素包含使用氧化物半导体(107)的第1TFT，在所述氧化物半导体(107)之上形成栅极绝缘膜(108)，在所述栅极绝缘膜(108)之上形成第1栅电极(109)，在所述氧化物半导体(107)的源极及漏极的各自中，与所述氧化物半导体接触从而形成由金属或合金形成的第1源漏电极(110)，所述第1栅电极(109)及所述第1源漏电极(110)为相同材料。