公开(公告)号：CN108139638B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201680053281.4

申请日：2016-10-24

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  章盛晧 ,  闵进赫 ,  金起焕 ,  朴赞亨

IPC: G02F1/1343 ,  G06F3/041 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及一种导电结构，所述导电结构包括：基板；第一金属层，其设置在所述基板上，并且由单一金属形成；第二金属层，其设置在所述第一金属层的至少一个表面上，由至少两种金属形成；以及光反射减少层，其设置在所述第二金属层上并且由半透明材料形成，其中，与没有设置所述第二金属层的情况相比，所述光反射减少层的表面对于380nm至780nm波长的光的平均光反射率降低7％至50％。

公开(公告)号：CN107850959B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201680041046.5

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 朴赞亨 ,  闵进赫 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕 ,  李一翻

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明提供了一种导电结构，该导电结构包括：金属层，设置在基板上并且包含铜；防变色层，设置在所述金属层上并且包含铜和镍；以及光反射减小层，设置在所述防变色层上并且包含氧化铜、氮化铜、氮氧化铜、氧化铝、氮化铝和氮氧化铝中的至少一种，其中，所述防变色层的镍含量为50at％至80at％。本发明能够保持优异的导电性并有效地防止金属层的眩光。

公开(公告)号：CN111868892A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980019945.9

申请日：2019-06-18

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 姜铢熙 ,  章盛晧 ,  曹根植 ,  金忠完

IPC: H01L21/3065 ,  G02B5/18 ,  H01J37/32 ,  G03F1/80 ,  H05H1/46

Abstract: 本申请涉及使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其包括以下步骤：在具有设置在其上表面的网部的法拉第笼中设置用于蚀刻的基板材料；用遮板遮挡网部的至少一部分，然后对用于蚀刻的基板材料进行等离子体蚀刻；以及通过在使遮板沿着从法拉第箱的外部部分到其中心部分的方向移动的同时进行等离子体蚀刻来在用于蚀刻的基板材料上形成图案部分，其中图案部分的深度沿着从用于蚀刻的基板材料的一侧到其另一侧的方向逐渐变化。

公开(公告)号：CN111433016A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201880077943.0

申请日：2018-12-14

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 许南瑟雅 ,  金容赞 ,  章盛晧 ,  金起焕 ,  孙政佑 ,  宋真淑 ,  曹弼盛

IPC: B32B7/023 ,  B32B3/30 ,  B32B27/28 ,  B32B9/04 ,  B32B27/20 ,  B32B15/08 ,  B32B33/00

Abstract: 本申请涉及一种装饰元件。

公开(公告)号：CN110719842A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201880036896.5

申请日：2018-03-27

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李基硕 ,  章盛晧 ,  成知玹 ,  李承宪

IPC: B32B9/04 ,  C23C14/08 ,  C23F1/02 ,  C09J129/04 ,  B32B38/10 ,  B32B7/12 ,  B32B17/06

Abstract: 本申请涉及一种金属图案膜及其制备方法，所述金属图案膜包括：基板；分别设置在所述基板的两个表面上的第一粘合促进层和第二粘合促进层；设置在所述第一粘合促进层的与邻接所述基板的表面相对的表面上的金属图案；设置在所述第一粘合促进层的设置有所述金属图案的表面上以便覆盖所述金属图案的第一粘合层；和设置在所述第二粘合促进层的与邻接所述基板的表面相对的表面上的第二粘合层，其中，所述第一粘合促进层和所述第二粘合促进层包括无机氧化物。

公开(公告)号：CN107371363B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201680017412.3

申请日：2016-08-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹晶焕 ,  宋斗勋 ,  章盛晧 ,  朴镇宇 ,  金起焕

IPC: B32B15/01 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/044 ,  B32B15/01 ,  C23C14/087 ,  C23C14/20 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112

Abstract: 本申请涉及一种导电结构体及其制备方法。根据本申请的一个示例性实施方案的导电结构体包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上并且包含铜‑锰‑镍氧化物的减光反射层。

公开(公告)号：CN107408420B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201680018324.5

申请日：2016-03-25

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  金起焕 ,  朴赞亨 ,  章盛晧 ,  朴镇宇

IPC: H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  G02B1/113 ,  G06F3/045

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G02B1/113 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04102 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01B5/14

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体及其制备方法。

公开(公告)号：CN107428127A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680018878.5

申请日：2016-03-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李一翻 ,  李承宪 ,  章盛晧 ,  吴东炫 ,  黄智泳 ,  金起焕 ,  徐汉珉 ,  朴赞亨 ,  朴宣赢

IPC: B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  G02F1/13 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01L51/00

Abstract: 本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

公开(公告)号：CN111052319B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880054020.3

申请日：2018-10-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 许殷奎 ,  金忠完 ,  章盛晧 ,  辛富建 ,  朴正岵 ,  尹晶焕 ,  秋素英

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01J37/32

Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括：将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤；将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤，所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模，所述金属掩模中具有开口；以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中，法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。

公开(公告)号：CN111868296B

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN201980019524.6

申请日：2019-09-02

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 曹弼盛 ,  金容赞 ,  章盛晧 ,  金起焕 ,  许南瑟雅 ,  孙政佑

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23F4/00

Abstract: 本发明涉及一种装饰元件的制造方法以及由此制造的装饰元件，该方法包括以下步骤：在光吸收层的一个表面上沉积具有彼此间隔开的两个以上的岛部的结构的光反射层；以及使用岛部作为掩模对光吸收层进行干法蚀刻，其中，与对光吸收层进行干法蚀刻之前相比，在对光吸收层进行干法蚀刻的步骤之后装饰元件的电阻值增大了两倍以上。