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公开(公告)号：CN114520143A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210413855.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
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公开(公告)号：CN114274040A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111420775.0
申请日：2021-11-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅研磨设备，涉及半导体加工设备技术领域，包括：保温筒体，保温筒体内壁上设有第一加热元件，保温筒体底部开口处设有保温盖体，保温盖体与保温筒体配合连接；研磨组件，研磨组件设于保温筒体内，研磨组件包括由上向下依次同轴设置的第一研磨组件、行星盘和第二研磨组件，行星盘用于放置样品；驱动机构，驱动机构用于驱动第一研磨组件和第二研磨组件之间发生相对转动；研磨剂供应装置，研磨剂供应装置与保温筒体相连通。本申请的研磨设备可以将减薄和研磨一步完成，实现碳化硅片的快速研磨，提高了生产效率。同时，在高温下进行研磨加工则有利于降低加工过程引入的应力，进而提高了成品率，降低碳化硅晶片的变形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN216947291U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202220154398.4
申请日：2022-01-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅腐蚀设备。该设备包括加热部、预热部和连接部，坩埚和加热腔之间固定有隔离套，预热腔内壁固定有隔离贴片，连接部设有上垫、下垫和密封圈，腐蚀隔板固定于样品杆的一定位置，在样品篮带动样品进入坩埚时覆盖坩埚开口，保温隔板能够通过拉杆覆盖坩埚开口。本实用新型通过增设预热部和连接部，提高了腐蚀环境的稳定性，防止骤冷骤热引起的样品破裂，同时在腐蚀隔板和保温隔板的作用下，降低碱蒸汽的挥发。通过隔离套、隔离贴片和上垫、下垫的配合，保护炉腔，能够延长设备使用寿命，也使得常规加热设备能够用于碳化硅的腐蚀，提高经济性。
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公开(公告)号：CN216902843U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202221124529.0
申请日：2022-05-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/67 , H01L21/265
Abstract: 本实用新型公开了一种提高碳化硅外延薄膜少子寿命的装置，包括第一腔体和第二腔体，第一腔体一端设有通入含氢气体用的进气口，第一腔体另一端与第二腔体相连，第一腔体外侧设有加热线圈，第一腔体内设有摆放碳化硅衬底用的载物台，外延过程中碳化硅外衬底表面形成有碳化硅外延薄膜，第一腔体上靠近进气口位置或第一腔体上对应载物台位置或第二腔体的外侧设置有紫外光源，通过紫外光源照射含氢气体或碳化硅外延薄膜，调整含氢气体或碳化硅外延薄膜中氢原子的带电性，钝化碳化硅外延薄膜上带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级。本实用新型具有在不影响外延生长的前提下实现碳空位的钝化，避免后处理引入新的杂质和缺陷等优点。
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公开(公告)号：CN216487964U
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202121717722.0
申请日：2021-07-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅腐蚀设备，用于腐蚀碳化硅晶圆，包括加热组件，炉体包括空腔和开口，炉体上活动连接炉盖，炉盖上设有进气孔和排气孔；耐腐蚀坩埚，耐腐蚀坩埚位于空腔内，耐腐蚀坩埚具有反应腔，反应腔用于放置反应支架以及容纳腐蚀剂，炉盖连接有尾气处理部件，通过在炉体上活动连接有用于封闭所述开口的炉盖，实现密封空腔，保障热量不易外泄，加快腐蚀液与碳化硅晶圆的反应；通过在进气管上设置气体流量计和的阀门，实现对进气量的控制；通过在排气管上设置单向阀和尾气处理装置，实现环保排放。
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公开(公告)号：CN216902854U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202221097556.3
申请日：2022-05-10
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/673 , H01L21/306
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体单晶衬底腐蚀装置，包括支撑环、连接杆和分隔套管，支撑环上设有定位孔，相邻的两个支撑环之间用分隔套管隔开，且分隔套管与定位孔一一对应，连接杆沿轴向贯穿分隔套管和定位孔后将多个平行的支撑环连接在一起，连接杆的下端设有凸台。本实用新型具有一次性腐蚀多片半导体单晶衬底的正反面，提高腐蚀效率，便于分析对比，保证各半导体单晶衬底腐蚀时间和环境相同等优点。
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公开(公告)号：CN215680608U
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202121732871.4
申请日：2021-07-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种用于碱蒸汽腐蚀碳化硅晶片的装置，包括：反应部，反应部包括硅晶圆安装部和耐腐蚀腔；加热部，加热部与反应部相连，加热部用于对耐腐蚀腔加热；封堵部，封堵部包括第一管堵和第二管堵；通过设置管堵，实现对反应部的密封，保障腐蚀效果；通过在管堵设置冷凝区和反应区，实现对高温碱性蒸汽的吸收和反应，减少碱性蒸汽散发的空气中对人体健康造成影响。
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