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公开(公告)号：CN114226662A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111516736.0
申请日：2021-12-13
申请人： 清华大学
IPC分类号： B22D11/00 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C21D8/06 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/08 , G06F17/10 , B23P15/00
摘要： 本发明涉及一种退火制备低热膨胀因瓦合金的方法。通过连铸工艺、切割工艺、初轧工艺、热轧工艺、退火工艺、酸洗及拉拔工艺制备低热膨胀因瓦合金拉拔丝；对所得拉拔丝进行退火操作，得到低热膨胀因瓦合金。本发明在降低热膨胀系数时具有低成本、无污染、尺寸均匀等优势，不需要向原有的合金中添加其他合金元素，且不引起任何化学试剂，不用考虑化学试剂的排放对环境造成的污染。本发明通过对成品试样进行退火处理，测试试样的微观结构(磁畴和金相)以及试样退火后的热膨胀系数，我们可以非常明显的得到在不同退火方式处理之后，低热膨胀与高热膨胀试样的磁畴和金相明显的差别。
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公开(公告)号：CN113140671A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011359539.8
申请日：2020-11-27
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种用垂直自旋极化的自旋流来无磁场辅助翻转磁矩的器件及其制备方法。它由下至上依次包括基片、强自旋轨道耦合层和磁化层；强自旋轨道耦合层包括如下材料中的至少一种制成：重金属材料、拓扑绝缘体材料、兼具亚晶格中心反演对称性破缺和全局中心反演对称性的反铁磁材料；磁化层包括具有垂直易磁化的材料和/或具有面内易磁化轴的材料制成。它的制备方法，包括如下步骤：在基片上依次沉积强自旋轨道耦合层和磁化层即得。本发明器件常规的平行于自旋极化方向的自旋流使垂直易磁化和沿面内x方向易磁化的器件在无磁场辅助下实现磁矩的180°翻转，并可通过改变强自旋轨道耦合层的反铁磁磁矩的方向来调控垂直自旋极化的自旋流的大小。
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公开(公告)号：CN113098419A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110371349.6
申请日：2021-04-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于刻蚀压电薄膜的高机电耦合系数声表面波器件，属于电子信息材料领域。所述声表面波器件从下至上依次包括高声速衬底，部分刻蚀压电薄膜和顶电极。所述顶电极为叉指电极，对叉指之间压电薄膜进行部分刻蚀。本发明的声表面波器件具有两种模态，分别为准瑞利波模态和准西沙瓦波模态，其中准瑞利波模态具有低频高机电耦合系数的特点，可以实现声表面波器件低频小型化的需要；准西沙瓦波模态具有高频，高机电耦合系数的特点，适合制备高频大带宽声表面波器件。本发明的声表面波器件为多层复合结构，容易制备和批量生产，对实际应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113051521A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110301695.7
申请日：2021-03-22
申请人： 国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司 , 清华大学
IPC分类号： G06F17/15 , G06F16/215 , G06F16/2458 , G06N3/12 , G01N27/83 , H03H17/02
摘要： 地上钢结构件腐蚀缺陷漏磁检测信号修复方法及系统，通过对地上钢结构件漏磁检测信号进行修剪、直流滤波，并对异常数据位置的判断等操作处理，基于优选的sinc函数构建腐蚀缺陷漏磁检测信号修复计算模型，通过迭代更新修复参数，最终实现对地上钢结构件腐蚀缺陷漏磁检测信号的修复。该修复系统包括信号采集模块、信号修剪模块、直流滤波模块、信号区域识别模块、信号计算模块、信号修复模块。通过修复地上钢结构件腐蚀缺陷漏磁检测信号中的异常数据，为腐蚀缺陷漏磁检测信号的反演量化及地上钢结构件的安全评估等提供数据支撑，无需事先准确训练样本，操作简单、计算速度快、信号修复效果好。
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公开(公告)号：CN113030244A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110301696.1
申请日：2021-03-22
申请人： 国网江苏省电力有限公司无锡供电分公司 , 清华大学
摘要： 输电线塔架腐蚀缺陷漏磁检测信号反演成像方法及系统，通过对腐蚀缺陷处的漏磁检测信号水平分量矩阵进行显性处理、双阈值显性增强、边缘细化、轮廓闭合及收缩区域的漏磁三维合成信号值插值填充等操作，最终实现输电线塔架腐蚀缺陷漏磁检测信号反演成像；该反演成像系统包括漏磁信号检测模块、漏磁信号处理模块、漏磁信号反演成像模块。快速便捷地对输电线塔架腐蚀缺陷进行检测识别和反演成像，从而为用户提供清晰直观的缺陷信息，为输电线塔架的安全维护提供有效的指导依据。在腐蚀缺陷漏磁检测信号反演成像显示过程中，不需要进行闭环迭代，可以快速实现腐蚀缺陷的三维成像，具有计算操作简单、计算速度快、反演精度高等优点。
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公开(公告)号：CN110113025B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910348847.1
申请日：2019-04-28
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。它制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在压电基片上沉积温度补偿薄膜；2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在温度补偿薄膜上制备叉指换能器叉指换能器；3)采用磁控溅射方法，在叉指换能器叉指换能器上生长压电薄膜，即得到声表面波器件。本发明器件应用于宽禁带半导体射频前端的集成和/或具有温度补偿功能的声表面波器件的制备中。本发明能够实现对器件温度补偿性能的调控，从而实现器件的温度稳定性；具有更大的带宽；制备工艺简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN111725400A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010588247.5
申请日：2020-06-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于部分活性金属掺杂薄膜的阻变存储器件结构及其制备方法。所述阻变存储器由下至上依次包括基片、底电极、未掺杂的介质层、活性金属掺杂的介质层和顶电极。本发明把活性金属以掺杂的方法加入介质层，本质上是将掺杂的氧化物薄膜作为电极，未掺杂的氧化物薄膜作为介质层，有利于在介质层中形成以活性金属纳米团簇构成的电子隧穿型的导电细丝，能够有效地降低阻变存储器的工作电流，进而实现低功耗的目标。
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公开(公告)号：CN110670027A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911081522.8
申请日：2019-11-07
申请人： 清华大学
摘要： 本发明公开了一种基于双层电极高机电耦合系数的声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件的结构如下：基片上依次为铜电极、压电薄膜和铝电极；铜电极的信号端与铝电极的接地端对应；压电薄膜为氧化锌薄膜。由于所采用的西沙瓦波模式是薄膜厚度振动和横向振动耦合而成，本发明的特点在于通过双层电极激励纵向电场(薄膜厚度方向)和横向电场(声表面波传播方向)，通过改变电场和压电薄膜的耦合方式从而提高声表面波器件的机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN106498395B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201610898631.9
申请日：2016-10-14
申请人： 清华大学
IPC分类号： C23C28/04
摘要： 本发明公开了高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应溅射，在所述氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底上沉积氮化铝薄膜，即可得到所述a面氮化铝薄膜。由于采用二硫化钼衬底和氧化锌缓冲层，本发明制备得到的a面氮化铝薄膜，扫描其(1120)面摇摆曲线半高宽可低于1°，具有低的螺型和刃型位错密度，a面氮化铝晶体质量有明显提高；有效地缓解了氮化铝层与衬底层之间的晶格失配和热膨胀系数失配的问题；可用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件。
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公开(公告)号：CN105483615B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410478795.7
申请日：2014-09-18
申请人： 清华大学
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/28 , C01B21/072 , H01F10/18
摘要： 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。
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