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公开(公告)号：CN116768626B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310180379.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。
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公开(公告)号：CN114659540B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210322196.0
申请日：2022-03-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于磁偏置结构的高灵敏度声表面波矢量磁场传感系统，属于电子信息材料与器件技术领域。包括正偏MSAW传感器、反偏MSAW传感器和混频器，所述正偏MSAW传感器和反偏MSAW传感器包括自下而上依次设置的SAW谐振器、绝缘层、磁敏感层和绝缘钝化层；其中，所述正偏MSAW传感器和反偏MSAW传感器上施加相反的偏置场。本发明采用两个偏置场相反的MSAW传感器，相较于单个MSAW传感器组成的系统，最大频移量Δfmax翻了一倍，达到8MHz或以上；检测灵敏度df/dH也翻了一倍，达到1000kHz/Oe或以上；线性检测区
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公开(公告)号：CN116768616A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310528910.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为：Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00
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公开(公告)号：CN116111363A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310134439.2
申请日：2023-02-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于谐振环的填充式太赫兹超材料宽带吸收器，属于太赫兹波功能器件技术领域。所述吸收器包括金属反射层、位于金属反射层之上的中间介质层、位于中间介质层之上的超材料结构层，所述超材料结构层由多个阵列排列的单元结构组成，单元结构包括第一方形谐振环和位于第一方形谐振环内的第二方形谐振环，第一方形谐振环和第二方形谐振环的四条边上设置大小相同的第一开口和第二开口，单元结构为轴对称图形；所述第一方形谐振环和第二方形谐振环的材料为铜、金、铝或银，第一开口和第二开口中填充金属钛或铂。本发明在传统开口谐振环的开口处引入高损耗金属进行填充，利用谐振环的谐振与开口填充处金属的高吸收，实现了吸收频带很宽的太赫兹吸收器。
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公开(公告)号：CN114823882B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210397020.1
申请日：2022-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种多功能自旋波晶体管及其制备方法和应用，属于自旋波器件技术领域。所述多功能自旋波晶体管包括基片，形成于基片之上的磁性薄膜层，形成于磁性薄膜层之上的定向加热层，形成于磁性薄膜层之上、定向加热层两侧的微波天线；在定向加热层上、自旋波传输路径的垂直方向上施加热流，实现自旋波晶体管的自旋波移相功能、自旋波放大功能以及自旋波关断功能的调控。本发明通过定向加热层在自旋波传输路径的垂直方向上施加一定大小的热流，实现了自旋波晶体管的自旋波移相功能、自旋波放大功能以及自旋波关断功能的调控，与现代硅基半导体晶体管功能类似，实现了自旋波器件功能的集成化，大大加速了自旋波超低功耗集成电路的商用化进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983530B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202010707457.1
申请日：2020-07-21
Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第九研究所
IPC: G01R33/09
Abstract: 一种基于磁性绝缘体的平面自旋阀磁电阻传感器，包括基底，形成于基底之上的硬磁绝缘体和软磁绝缘体，硬磁绝缘体和软磁绝缘体之间采用石墨烯作为自旋流传输通道，形成于硬磁绝缘体和软磁绝缘体之上的非磁性重金属电极。本发明引入非磁重金属/石墨烯/磁性绝缘体结构，避免了石墨烯与磁性金属材料之间的电导失配问题而导致注入电流自旋极化率降低，在磁性绝缘体的情况下，电荷流无法流动仅自旋流可传播，使得功耗降低，采用在硬磁绝缘体单元上通入直流电流，由自旋霍尔效应产生纯自旋流通过石墨烯输运，被相邻的软磁绝缘体上的非磁重金属电极收集，可测量得到自旋霍尔磁电阻大小并探测外磁场方向。
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公开(公告)号：CN115580687A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211562644.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数字图像加密技术领域，提供基于变参数超混沌系统与S形扩散的多图像加密方法，用以解决现有技术复杂度低、安全性差、实时性低等问题。本发明首先借助Alpha通道的概念，将输入灰度图像对进行重构，然后将重构图像作为初始信息输入哈希函数生成初始密钥，再将其输入变参数超混沌系统迭代生成五组混沌序列，进而对重构图像进行幻方变换，实现像素位置的变换，最后基于S形扩散实现像素数值的变化，从而得到密文图像。本发明提出变参数超混沌系统，有效地改善了传统混沌系统的低随机性、低复杂度以及混沌系统退化；同时，创造性地提出S形扩散的概念，有效的提高了密文图像的无序性及加密方法抵抗常规攻击的能力。
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公开(公告)号：CN115498420A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210977545.2
申请日：2022-08-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器与制备方法，属于光电材料与器件技术领域。所述基于钛酸锶复合材料的太赫兹吸波器包括玻璃衬底，生长于玻璃衬底之上的ITO薄膜，位于ITO薄膜之上的介质超表面结构层；其中，介质超表面结构层由钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS复合得到，钛酸锶微粒均匀分散于掺有金纳米颗粒的PDMS中，金纳米颗粒、钛酸锶微粒和PDMS的质量比为0.01：132：46。本发明采用钛酸锶微粒和掺有金纳米颗粒的PDMS的复合材料印刷得到介质超表面结构层，可通过控制钛酸锶微粒的体积比来调控复合材料的介电参数，得到的钛酸锶复合材料的介电常数实部和硅相当。
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公开(公告)号：CN113233885B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110324952.9
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01F1/34 , H01F41/02
Abstract: 本发明属于电子陶瓷技术领域，具体提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法，用以解决现有低温烧结YIG旋磁铁氧体材料在LTCC工艺下均难以满足低温烧结以及旋磁性能优异要求的问题。本发明提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料：Y2.1Bi0.9Fe5‑3xZn2xVxO12、0＜x≤0.06，具有单一石榴石结构，Bi3+离子占据石榴石晶格十二面体、取代一部分Y3+离子，V5+离子占据八面体、取代一部分Fe3+离子，同时引入金属离子Zn2+离子，实现多离子取代活化YIG铁氧体晶格，促进YIG铁氧体900～960℃下低温烧结的同时，改善材料的微波特性：较高的饱和磁化强度、较低的矫顽力、较低的微波介电损耗和磁损耗，使之满足LTCC技术要求，对集成度要求高、体积要求小的微波铁氧体器件的制造提供基础材料。
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公开(公告)号：CN113380945B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110558170.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于电场调控的磁性异质结构及其制备方法，属于磁电耦合材料及器件制备领域。所述磁性异质结构包括基片，形成于基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的异质结，以及形成于异质结之上的顶电极层；所述异质结为磁性薄膜/MXene异质结，所述磁性薄膜与MXene薄膜上下层叠设置。本发明异质结构通过底电极层和顶电极层在垂直方向上施加电压，实现氢离子在磁性薄膜/MXene异质结中的定向移动，并转换成氢原子存储在MXene薄膜中。由于磁性薄膜的磁各向异性对表面吸附氢原子浓度非常敏感，因此可以受到外加电压的调控，而当撤去偏压后氢原子将迅速扩散至大气中，薄膜磁性恢复至原有状态。
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