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公开(公告)号：CN118367897A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410528783.4
申请日：2024-04-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种时钟信号产生电路方法、DC‑DC控制器、芯片及装置，所述电路包括：电流偏置模块，用于生成偏置电流，并向电容充放电模块提供偏置电流；电容充放电模块，用于在所述偏置电流下产生锯齿波；施密特触发器模块，用于检测电容充放电模块中目标电容的上极板的电压，并在上极板的电压大于或等于额定电压阈值时进行输出翻转，以得到翻转信号；整形分频模块，用于在输入翻转信号的情况下，对翻转信号进行整形并分频，以得到目标占空比的方波信号，并输出所述方波信号，方波信号为时钟信号。该电路可以使用施密特触发器模块进行电压翻转，从而极大程度地降低了电路的匹配要求，并降低了电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号：CN117254806A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311264483.1
申请日：2023-09-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器，其中，参考电压提供电路包括：电压提供单元，适于提供第一参考电压；缓冲单元，适于对第一参考电压进行缓冲处理，输出第二参考电压；切换单元，被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时，切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷，并在模数转换器的低位电容组被切换时，切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降，因此，不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号：CN116643193A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310706878.6
申请日：2023-06-14
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： G01R31/392 , G01R31/387 , G01R31/388 , G01R31/367
摘要： 本申请公开了一种电池数据估计方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：检测当前时刻的端电压和电流，并获取上一时刻估计的目标电池的内部温度和荷电状态；根据上一时刻估计的内部温度和荷电状态、当前时刻的端电压和电流、以及已创建的第一离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的内部温度；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的内部温度、端电压和电流、以及已创建的第二离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的健康状态；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的健康状态、当前时刻的内部温度和已创建的第三离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的荷电状态，从而实现三者的联合闭环在线估计，提高了估计结果的准确性。
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公开(公告)号：CN116470869A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310204908.3
申请日：2023-03-03
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： H03F3/217 , G01P15/125 , H03F3/45
摘要： 本发明涉及芯片技术领域，公开一种寄生电容的消除电路、电容式微机电系统及芯片，所述消除电路包括：第一运算放大器；反馈电容，跨接在第一运算放大器的同相输入端与输出端之间，用于将第一运算放大器的输出信号反馈至所述第一运算放大器的同相输入端；以及第一开关电容电路，跨接在所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间，用于执行以下操作：接收时钟控制信号；以及根据所述时钟控制信号执行以下操作：在一周期的第一时段内进行放电，以及在该周期的第二时段内进行充电，以使得所述第一运算放大器的同相输入端产生对地的负电容，由此可有效地消除大范围内的寄生电容，从而提高电容式微机电系统的输出电压的摆幅和线性。
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公开(公告)号：CN115224932B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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公开(公告)号：CN115588969A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211326659.7
申请日：2022-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H02H7/20 , H03K17/687
摘要： 本公开实施例公开了一种防止场效应晶体管漏电的电路、芯片及电子装置，该电路包括：MOSFET模块和衬底电压生成模块，MOSFET模块包括：第一电阻、第一开关和第一MOSFET，衬底电压生成模块的第一输入端与第一电压源连接、第二输入端与第二电压源连接、且输出端与第一MOSFET的衬底连接；第一MOSFET的源极与第一电压源连接、漏极与第二电压源连接、且栅极与第一电阻的第一端连接，第一电阻的第一端与第一开关的第一端连接，第一开关的第二端与电流源的一端连接，第一电阻的第二端与第一MOSFET的衬底连接。通过该电路结构，有效避免MOSFET的沟道漏电。
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公开(公告)号：CN114978146A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210573949.5
申请日：2022-05-24
申请人： 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/0185 , H03K19/003
摘要： 本发明公开了一种电平转换电路、芯片及电子设备，其中电平转换电路包括：输入单元，输入单元与信号输入端相连，用于对信号输入端的输入信号进行电压限制处理得到第一电压；衬底偏置转换单元，衬底偏置转换单元与输入单元相连，用于在第一电压的作用下，基于不同的衬底偏置效应生成第一电流和第二电流；电流镜像单元，电流镜像单元与衬底偏置转换单元相连，用于对第一电流和第二电流进行比较；输出电压转换单元，输出电压转换单元与电流镜像单元和信号输出端相连，用于对比较结果进行电压转换得到输出信号，并通过信号输出端输出。由此，实现了低功耗、大摆幅的电平转换功能，提高了电平转换电路的适用性。
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公开(公告)号：CN112306865B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011148013.5
申请日：2020-10-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G06F11/36 , G06K19/077
摘要： 本发明涉及射频测试技术领域，提供一种基于射频门的读写器天线调试方法及装置，射频门内部设置有多个电子标签和读写器天线，读写器天线连接至预先设置的读写器；所述方法包括：读写器在预设功率范围内以预设功率步长读取多个电子标签，获得每个功率点下所读到的电子标签的标识；其中，读写器在预设功率范围的最小值下读取不到任何电子标签，且读写器的预设实际工作功率位于预设功率范围内；根据每个功率点下所读到的电子标签的标识，获得多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值；根据多个电子标签中每个电子标签所在位置的射频能量值对读写器天线进行调试。本发明提供的技术方案，能够准确、快速地调试读写器天线，从而提高工作效率。
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公开(公告)号：CN112393814A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011163172.2
申请日：2020-10-27
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要： 本发明提供一种宽量程温度计算方法、系统、温度传感器及温度测量方法，属于传感器及温度测量补偿计算领域。所述宽量程温度计算方法包括：获取偏置电流为第一偏置电流I1时晶体管产生的与温度相关的第一电压VBE_1；将所述第一电压VBE_1与温度界限值对应的电压阈值VBE_g进行比较：若VBE_1≥VBE_g，则获取偏置电流为第二偏置电流I2时晶体管产生的与温度相关的第二电压VBE_2；计算第一电压VBE_1与第二电压VBE_2的差值ΔVBE，根据ΔVBE计算温度值；若VBE_1＜VBE_g，则获取偏置电流为第三偏置电流I3时晶体管产生的与温度相关的第三电压VBE_3；根据第三电压VBE_3和温度补偿公式计算温度值。在超出温度界限时采用温度补偿公式计算温度值，实现非线性补偿，得到较为准确的温度值。
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