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公开(公告)号：CN115881743A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211473759.2
申请日：2017-11-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N25/70 , H04N25/60 , H04N25/59
Abstract: 本发明涉及摄像元件、层叠型摄像元件和摄像装置。摄像元件包括具有第一电极、光电转换层、第二电极、绝缘层和电荷存储电极的光电转换单元。所述绝缘层包括N个绝缘层段，其中N大于或等于2。所述电荷存储电极与所述第一电极间隔开，并且被设置成使得所述绝缘层位于所述电荷存储电极和所述光电转换层之间。所述光电转换单元包括N个光电转换单元段，第n个光电转换单元段包括所述电荷存储电极、第n个绝缘层段和所述光电转换层，其中n＝1,2,3...,N，随着n值增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远，并且第1个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度不同于第N个光电转换单元段中的所述绝缘层段的厚度。
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公开(公告)号：CN110047856B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910141140.3
申请日：2014-08-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 富樫秀晃
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 本发明提供了一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件；在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极；和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
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公开(公告)号：CN110047857A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910141174.2
申请日：2014-08-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 富樫秀晃
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 本发明提供了一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件；在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极；和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
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公开(公告)号：CN110047856A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910141140.3
申请日：2014-08-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 富樫秀晃
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/48 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 本发明提供了一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件；在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极；和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
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公开(公告)号：CN110010549A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910141497.1
申请日：2014-08-07
Applicant: 索尼公司
Inventor： 富樫秀晃
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L27/146 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种固态成像元件，所述固态成像元件包括：设置在半导体基板的第一面侧的至少一个光电转换元件；在所述半导体基板的第一面和第二面之间形成并且与所述至少一个光电转换元件连接的贯通电极；和设置在所述半导体基板的第二面上的放大晶体管和浮动扩散部。所述至少一个光电转换元件经由所述贯通电极与所述放大晶体管的栅极和所述浮动扩散部连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109983579A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780070841.1
申请日：2017-11-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/30 , H01L51/44 , H01L51/42
Abstract: 提供了一种包括通过层叠第一电极、光电转换层和第二电极而形成的光电转换单元的摄像元件。所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被设置成与所述第一电极间隔开并且被设置成经由绝缘层面对所述光电转换层。所述光电转换单元由N个光电转换单元段形成，并且这同样适用于所述光电转换层、所述绝缘层和所述电荷存储电极。第n个光电转换单元段由第n个电荷存储电极段、第n个绝缘层段和第n个光电转换层段形成。随着n增大，所述第n个光电转换单元段离所述第一电极越远。所述绝缘层段的厚度从第一个光电转换单元段到第N个光电转换单元段逐渐变化。
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公开(公告)号：CN107104118A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710073089.8
申请日：2012-07-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1461 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件以及电子设备。其中，固体摄像器件包括：半导体基板，其包括接收入射光的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；光电二极管区，其形成在所述半导体基板中，所述光电二极管区包括：第一n型半导体区，第一p型半导体区，第二n型半导体区，第二p型半导体区；以及栅极，其在所述半导体基板中从所述第二表面沿深度方向延伸，其中，所述第一n型半导体区、所述第一p型半导体区、所述第二n型半导体区和所述第二p型半导体区从所述半导体基板的第二表面侧按此顺序在所述深度方向上设置。
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公开(公告)号：CN106997887A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201710092445.0
申请日：2012-07-05
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1461 , H01L27/14616 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/378 , H01L27/146 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法以及电子设备。其中，固体摄像器件包括：读出栅极，其隔着栅极绝缘膜嵌入在半导体基板中所形成的沟槽内；光电转换区，其在与所述栅极绝缘膜保持间隔的同时设置于所述半导体基板内部；浮动扩散部，其在与所述光电转换区保持间隔的同时而设置于所述半导体基板的表面层上；以及电势调整区，其布置为与所述光电转换区和所述栅极绝缘膜邻接，所述电势调整区与所述半导体基板和所述光电转换区为同一导电型，并且还是比该半导体基板和该光电转换区的所述导电型浓度低的杂质区。
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公开(公告)号：CN112640108B9
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/74 , H01L23/48 , H04N25/76
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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公开(公告)号：CN112640108B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201980047540.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 索尼公司 , 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/74 , H01L23/48 , H04N25/76
Abstract: 本提供一种固态图像传感器(100)，其包括半导体基板(500)、布置在所述半导体基板(500)中并累积电荷的电荷累积器、设置在所述半导体基板(500)上方并将光转换成电荷的光电转换器(200)以及穿过所述半导体基板(500)并将所述电荷累积器与所述光电转换器(200)电连接的贯通电极(600)。在所述贯通电极(600)的在所述光电转换器这一侧的端部处，位于所述贯通电极(600)的中心处的导体(602)在于所述贯通电极(600)的贯通方向正交的切割截面中的横截面面积(602)沿着所述贯通方向朝向所述光电转换器逐渐增大。
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