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公开(公告)号：CN105349948A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510877405.8
申请日：2015-12-04
Applicant: 贵州大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明公开了一种新型热蒸发镀膜器，其特征在于：圆台式垂直筒（304）下端连接支架（309），放置于镀膜器底盘上，圆台式垂直筒（304）下口直径大于挡板（305）直径及钨舟（307）的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行改进，增加圆台式垂直筒，一是可以增大蒸发源的利用率和沉积速度；二是减少仓体污染，减轻实验人员清仓时工作量，为使用热蒸发进行研究性实验的学者提供便利；三是该垂直筒结构简单，使用方便，不用对现有仪器做任何修改即可达到目的。
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公开(公告)号：CN102925866A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210455881.7
申请日：2012-11-14
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺，它包括以下过程：第一、Si衬底上蒸发沉积Mg膜,首先将Si片清洗干燥,将Si片固定在电阻热蒸发室上方的样品架上，Mg颗粒放置在蒸发坩埚内，进行蒸镀；第二、退火工艺，蒸镀完成后的Si片置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备出单一相Mg2Si半导体薄膜；解决了现有技术存在的实验条件苛刻，成本较高，难于工业化推广等缺点，以及采用电子束蒸发沉积工艺，在退火炉中退火过程中采用氩气氛围退火，有MgO氧化物等杂质的产生，最终影响Mg2Si的品质等问题。
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公开(公告)号：CN101781753B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010148151.3
申请日：2010-04-16
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射方法制备Cr掺杂β-FeSi2薄膜的工艺方法。它包括以下过程：第一，清洗Si片；第二，采用磁控溅射方法，在Si片衬底上沉积Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，通过控制各层溅射速率和膜层厚度来控制Cr的含量，使Cr取代Fe含量在1％-5％之间；第三，将磁控溅射沉积的Cr/Fe或Fe/Cr双层膜，或Fe/Cr/Fe多层膜，在真空退火炉中退火，获得Cr掺杂的β-FeSi2薄膜。XRD测量表明掺杂不改变β-FeSi2的晶体结构。
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公开(公告)号：CN101798674A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010147303.8
申请日：2010-04-15
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种电子束蒸发法制备环境友好半导体材料Mg2Si薄膜工艺。其过程为:将清洗好的Si片置于蒸镀室内，对蒸镀室抽真空并保持。先将电子束聚焦光斑调宽，预蒸发1～2min，再正式开始蒸镀。蒸镀时，电子束功率为2～4KW，蒸发速率保持在10～30nm/min，衬底温度为150～200℃。蒸镀完成后自然冷却至室温，再取出并置于高真空退火炉中。退火炉背底真空小于等于10-3Pa，为抑制Mg挥发，退火前腔体内通入氩气，并封闭。整个退火过程中，保持氩气气压为-0.01MPa到-0.1MPa。退火时间3-7小时,退火温度300℃-500℃，直接形成环境友好半导体Mg2Si多晶薄膜。
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公开(公告)号：CN101337676A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810068862.2
申请日：2008-08-12
Applicant: 贵州大学
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光扫描直接制备α－FeSi2薄膜的工艺，涉及一种Fe－Si化合物，首先采用磁控溅射方法在Si基片上沉积一层厚度50－100nm的金属Fe膜，随后在空气中采用二极管泵浦激光器(Nd:YAG)产生的脉冲激光进行扫描，直接获得Fe－Si化合物中的高温金属相α－FeSi2薄膜，本工艺加工的α－FeSi2薄膜厚度均匀、面积大，采用脉冲激光扫描直接形成金属相α－FeSi2，在基于β－FeSi2的微电子或光电子器件中作电极和金属连接，不用引入其它材料，使工艺过程大大简化，这对新型环境友好半导体材料β－FeSi2的开发和应用具有重要价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817621A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910222142.5
申请日：2019-03-22
Applicant: 贵州大学
IPC: H01L27/108 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 本发明公开了一种基于Mg2Si半导体材料的存储器结构，它包括：Mg2Si衬底，Mg2Si衬底上设置有设置有第一存储单元，所述第一存储单元包括分区沟槽，分区沟槽边缘处设置有Mg2Si固定薄片，Mg2Si固定薄片顶端设置有绝缘晶片；分区沟槽两侧分别设置有源区和漏区，分区沟槽上设置有第一绝缘镀膜，第一绝缘镀膜上设置有栅极区，分区沟槽内设置有通电二极管，栅极区上设置Mg2Si隔离层（8），Mg2Si隔离层上设置有第二绝缘镀膜；第二绝缘镀膜上设置有第二存储单元；解决了现有的导电栓塞很容易发生偏移，从而使得所述导电栓塞与所述半导体衬底中的有源区的有效接触面积变小，使得所述导电栓塞与所述有源区的接触电阻及所述导电栓塞自身的电阻较大的问题。
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公开(公告)号：CN109387262A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811477425.6
申请日：2018-12-05
Applicant: 贵州大学
IPC: G01F23/26
Abstract: 本发明公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器结构，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）与下压环（7）之间固定有硅化镁薄膜（11），上压环（4）的中心位置设置有上电极片（12）；下压环（7）中心位置设置有下电极片（10）；解决了现有技术存在传感器装置结构复杂，其结构设置不能够伸入高温液位面以下进行高温液位的检测等技术问题。
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公开(公告)号：CN104018124B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410273829.9
申请日：2014-06-19
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料SiC薄膜的制备工艺，它包括下述步骤：步骤1、选取石墨片为衬底材料，并将石墨片打磨清洗干燥；步骤2、将石墨片固定在蒸镀室上方的样品架上，Si颗粒放置在蒸发坩埚内；步骤3、蒸镀；步骤4、蒸镀后冷却；步骤5、将蒸镀冷却后的石墨片固定在磁控溅射溅射室的转盘上，C靶材放置在射频靶上，溅射气体为Ar气；步骤6、溅射；步骤7、溅射后冷却，再取出置于高真空退火炉中退火，形成半导体SiC多晶薄膜；解决了传统采用单晶硅衬底作为基片制备碳化硅薄膜存在的成本高、工艺繁琐以及硅衬底与碳化硅之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，严重限制了其器件的性能和使用寿命等问题。
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公开(公告)号：CN105483617A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201511002465.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 贵州大学
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/18 , C23C14/185 , C23C14/24 , C23C14/35 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉中进行低真空氛围退火，最后制备得到Mg2Si半导体薄膜。
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公开(公告)号：CN105441877A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510905584.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 贵州大学
CPC classification number: C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，其特征在于：它包括下述步骤：第一步骤，选取耐高温石英片和单晶Si片作衬底，清洗吹干；第二步骤，将铁颗粒和硅颗粒按不同配比进行备料；第三步骤，按上述步骤得到的不同配比镀料，在衬底上蒸镀一层Fe-Si混合薄膜；第四步骤，将上述步骤得到的样品放置于高真空热处理炉中800～900℃退火2小时获得Fe-Si化合物中的金属相Fe3Si铁磁性薄膜。
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