公开(公告)号：CN104619883A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380048759.0

申请日：2013-07-05

Applicant: JX日矿日石金属株式会社

Inventor： 儿玉笃志 ,  涉谷义孝 ,  深町一彦

IPC: C23C28/00 ,  C25D5/12 ,  C25D5/48

CPC classification number: C25D3/18 ,  B32B15/01 ,  C09D4/00 ,  C22C5/06 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C19/03 ,  C23C10/28 ,  C23C28/021 ,  C25D3/30 ,  C25D3/32 ,  C25D3/46 ,  C25D5/12 ,  C25D5/48 ,  C25D5/505 ,  C25D7/00 ,  C25D9/06 ,  H01R12/716 ,  H01R13/03 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12722 ,  Y10T428/12896

Abstract: 本发明提供一种晶须的产生得到抑制，即使曝露在高温环境下也保持良好的焊接性及低接触电阻，且端子、连接器的插入力低的表面处理镀敷材料。本发明的表面处理镀敷材料是在金属基材依次形成有由Ni或Ni合金镀敷构成的下层、及由Sn或Sn合金镀敷构成的上层的镀敷材料，且在上述上层表面存在P及N，附着在上述上层表面的P及N元素的量分别为P：1×10-11～4×10-8mol/cm2、N：2×10-12～8×10-9mol/cm2。

公开(公告)号：CN104246015A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380015553.8

申请日：2013-01-25

Applicant: JX日矿日石金属株式会社

Inventor： 涉谷义孝 ,  深町一彦 ,  儿玉笃志

IPC: C23C28/02 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C5/10 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C19/03 ,  C22C19/07 ,  C22C22/00 ,  C22C27/06 ,  C22C28/00 ,  C22C38/00 ,  C23C14/14 ,  H01B1/02 ,  H01B5/02 ,  H01B7/00 ,  H01R13/03 ,  H05K1/09

CPC classification number: H01B1/02 ,  B32B15/01 ,  B32B15/018 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C13/00 ,  C22C19/03 ,  C23C10/28 ,  C23C10/60 ,  C23C14/14 ,  C23C14/58 ,  C23C28/021 ,  H01R4/58 ,  H01R13/03 ,  H05K1/09 ,  H05K3/244 ,  Y10T428/12681 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12722

Abstract: 本发明提供具有低插拔性、低晶须性及高耐久性的电子部件用金属材料、使用其的连接器端子、连接器及电子部件。本发明的电子部件用金属材料具有基材，在基材上具有由选自Ni、Cr、Mn、Fe、Co及Cu中的1种或2种以上构成的下层，在下层上具有由Sn及In（构成元素A）的一方或两方以及由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os及Ir（构成元素B）中的1种或2种以上组成的合金构成的上层，下层的厚度为0.05μm以上，上层的厚度为0.005μm以上0.6μm以下，在上层中，构成元素A/（构成元素A＋构成元素B）[质量%]（以下，称为Sn＋In比例）与镀层厚度[μm]的关系为：镀层厚度≤8.2×（Sn＋In比例）-0.66〔此处，（Sn＋In比例）≥10质量%〕。

公开(公告)号：CN104080950A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007720.4

申请日：2013-01-30

Applicant: JX日矿日石金属株式会社

Inventor： 涉谷义孝 ,  深町一彦 ,  儿玉笃志

IPC: C23C28/02 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01R12/58 ,  H01R13/03

CPC classification number: H01R13/03 ,  C23C28/023 ,  C25D3/30 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D3/60 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01R12/585

Abstract: 本发明提供一种耐晶须性优秀、插入力低、将压入型端子压入到基板时镀层不易被削去、具有高耐热性的压入型端子以及使用该压入型端子的电子部件。在压入型端子中，在装配于外壳的安装部的一侧设置有阴性端子连接部，在另一侧设置有基板连接部，通过将该基板连接部压入到形成于基板的通孔而装配到该基板，其特征在于，耐晶须性优秀，其中，至少该基板连接部具有以下的表面构造，即，具备：最表层的由Sn、In或它们的合金形成的A层；形成在A层的下层，由从由Ag、Au、Pt、Pd、Ru、Rh、Os以及Ir组成的组中选择的1种或两种以上构成的B层；以及形成在B层的下层，由从由Ni、Cr、Mn、Fe、Co以及Cu组成的组中选择的1种或两种以上构成的C层，所述A层的厚度是0.002～0.2μm，所述B层的厚度是0.001～0.3μm，所述C层的厚度是0.05μm以上。