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公开(公告)号：CN109092792B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201811114678.7
申请日：2018-09-25
申请人： 福建毫米电子有限公司
摘要： 本发明的一种陶瓷基片表面处理方法，通过在陶瓷基片表面处理中引入高温烧结工艺，可有效去除基片表面的有机杂质；同时分别引入去离子水、清洗剂、有机溶剂并结合超声波清洗，可进一步清理基片表面，有效去除基片表面污渍，提高基片表面活性，利于下一步陶瓷金属化。可适用于多种类陶瓷基片的表面处理，有利于提高表面电极附着力、稳定性及一致性，键合强度可达到5g力以上，能有效提高微波单层电容器的产品批次合格率。
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公开(公告)号：CN109637766A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811568487.8
申请日：2018-12-21
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： H01C17/24
CPC分类号： H01C17/2404
摘要： 本发明公开了一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法。所述调整方法包括：将氮化钽薄膜电阻器设于原子注入设备的工件放置区内；将原子注入设备的内部做真空处理，当真空压强达到第一真空压强阈值范围内时充入高于氩气纯度阈值的氩气，并保持原子注入设备的内部真空压强在第二真空压强阈值范围内；开启原子注入设备，氩气在电场被电离得到氩离子；在电场加速氩离子移动速率的情况下，氩离子加速撞击金属靶，得到脱离后的金属原子；在电场作用下，脱离后的金属原子持续注入到氮化钽薄膜电阻器的氮化钽薄膜上，以降低氮化钽薄膜电阻器的阻值。采用本发明所提供的调整方法能够实现氮化钽薄膜电阻器阻值由大到小的调整，降低氮化钽薄膜电阻器的电阻。
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公开(公告)号：CN102732918B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201210116227.3
申请日：2012-04-17
申请人： 广州天极电子科技有限公司 , 崔国峰
摘要： 本发明涉及一种金锡共晶焊料(AuSn20)电镀液及制备方法，其特征在于采用新型的柠檬酸金钾代替传统氰化金钾，减少了对环境的污染，采用其他络合剂络合二价锡，提高了锡盐的稳定性，并且其组成每升中含有金盐1～20g，锡盐1～20g，缓冲剂10～50g，络合剂10～50g，光亮剂0.1g/L～10g/L，抗氧化剂0.1g/L～5g/L。本发明的电镀镀液不但对环境友好，而且可用电流密度较宽，制成的镀层光亮性好，镀层金锡组分控制较精确，熔点280±2℃。适用于对可靠度要求较高的通讯，卫星，遥感，雷达，汽车，航空等领域的光电器件的焊接及封装。
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公开(公告)号：CN106683882B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201710046641.4
申请日：2017-01-19
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种制备薄膜电容器的方法，用水热法合成的钨酸铋和/或钼酸铋颗粒在基底上热处理后得到薄膜电容器的介质层，基底可为导电陶瓷、导体陶瓷或Si/SiO2/Ti/Pt。实现能够在多种基底上沉积介质薄膜，其沉积纳米粉体形状为球状、十字交叉的鳞片状，通过合成工艺可控制介质膜层厚度，应用范围更广。
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公开(公告)号：CN104900406B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201510291404.5
申请日：2015-06-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所 , 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明提供一种高可靠性、高电容量的可键合多层陶瓷电容器及其制备方法，该可键合多层陶瓷电容器包括：多个陶瓷介电层；分别交替地形成在所述多个陶瓷介电层上的多个第一和第二内部电极；以及垂直穿过所述多个陶瓷介电层的第一类和第二类垂直过孔，所述第一类垂直过孔与所述第一内部电极的主电极相连接，并且所述第二类垂直过孔与所述第二内部电极的主电极相连接；所述第一类垂直过孔通向所述电容器的底部，与底部的外部电极相连接，并且所述第二类垂直过孔通向所述电容器的顶部，与顶部的外部电极相连接。
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公开(公告)号：CN106747421A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710052051.2
申请日：2017-01-20
申请人： 广州天极电子科技有限公司
IPC分类号： C04B35/47 , C04B35/626 , C04B35/628 , H01G4/12
摘要： 本发明提供一种钛酸锶粉体，以及一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法，该方法主要包括如下步骤：(1)球形偏钛酸的制备；(2)球形掺铌钛酸锶的制备；(3)半导化掺铌钛酸锶；(4)包裹偏钛酸；(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶。本发明采用两步水热合成的办法，制备出绝缘钛酸锶包裹半导化钛酸锶的核‑壳结构粉体，实现了最终合成核‑壳结构粉体的球形形貌，同时为晶界层陶瓷电容器制备提供一种高性能粉体。
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公开(公告)号：CN103780218A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410033392.1
申请日：2014-01-23
申请人： 广州天极电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种片式阻容网络模块及其制造方法，包括片式电阻器、电容器和介于电容器和电阻器之间的粘结物，所述电阻器包括电阻陶瓷基板、附着于所述电阻陶瓷基板下表面的电阻下电极、附着于电阻陶瓷基板上表面的电阻体和附着于电阻陶瓷基板上表面且互相分离设置在所述电阻体两端的第一电阻上电极、第二电阻上电极，所述电容器包括电容陶瓷基板、附着于所述电容陶瓷基板上表面的电容上电极和附着于所述电容陶瓷基板下表面的电容下电极。本发明的片式阻容网络模块极大的提高了元器件的封装密度，降低了寄生系数，高频特性和可靠性显著提高。
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公开(公告)号：CN101256852A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810026894.6
申请日：2008-03-20
申请人： 广州翔宇微电子有限公司
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种微波电路用薄膜短路片，包括陶瓷介质及覆盖于陶瓷介质表面金属薄膜电极；所述的金属薄膜至少包裹陶瓷介质包括上下端面在内的四个表面；陶瓷介质下端面金属薄膜用于接地焊接，上端面金属薄膜用于引线键合，其余表面金属薄膜与上端面金属薄膜和下端面金属薄膜均连通，起短路作用。本发明还涉及这种微波电路用薄膜短路片的制造方法。本发明的短路片仅由陶瓷介质以及包裹于陶瓷介质表面的金属薄膜组成，结构简单，尺寸可根据需求进行选择、调整，使用工艺简单，适合于表面贴装工艺，能够大大提高生产效率；采用陶瓷介质层，具有较强的刚性，可缩短接地引线，从而大大降低分布电感，提高电路性能，同时短路片可对跨接线起“桥墩”作用，提高跨接线稳定性。
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公开(公告)号：CN114050417B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111396288.5
申请日：2021-11-23
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01Q9/04 , H01Q5/10 , H01Q5/30 , H01Q5/50 , H01Q15/00 , H05K3/02 , H05K3/06 , H05K3/24 , H05K3/22
摘要： 本发明涉及一种低剖面宽带超表面微带贴片天线及制备方法，贴片天线包括：依次层叠设置的馈电线、第一介质基板、开缝贴片、第二介质基板和辐射贴片；馈电线包括微带线和与微带线连接的末端扇形贴片；末端扇形贴片的半径及角度用于调节低剖面宽带超表面微带贴片天线的工作带宽；开缝贴片上设置矩形缝槽；矩形缝槽的长度、宽度和位置用于调节低剖面宽带超表面微带贴片天线的工作带宽；馈电线与开缝贴片通过耦合馈电的方式向辐射贴片馈电以实现信号的辐射与接收；辐射贴片包括多个等腰直角三角形贴片；等腰直角三角形贴片用于调节辐射贴片的表面电流。本发明能够在保持低剖面的同时实现较大的工作带宽。
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公开(公告)号：CN117144294A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311411588.5
申请日：2023-10-30
申请人： 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/28 , C04B35/48 , C04B35/622 , H10N97/00
摘要： 本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜，钙稳定氧化锆薄膜是晶粒形貌为柱状的单一相结构钙稳定氧化锆。本发明还提供了一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜的制备方法，包括以P型重掺杂硅为衬底，以锆酸钙陶瓷靶为靶材，对P型重掺杂硅通过工业标准湿法清洗工艺进行清洗，并使用氮气吹干，采用脉冲激光沉积法在P型重掺杂硅上沉积钙稳定氧化锆薄膜，沉积条件是激光能量密度为1.4‑1.6J/cm2，氧气压强为18‑22mpa，衬底温度550‑600℃，所述靶材和所述衬底的距离为4.5‑5.5cm。本发明属于电容器薄膜技术领域。本发明提供一种高介电常数钙稳定氧化锆薄膜及其制备方法，可以得到一种介电常数高，介电常数温度系数小、偏压稳定性高的单一相结构的钙稳定氧化锆薄膜。
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