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公开(公告)号：CN117432970A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310897961.6
申请日：2023-07-20
申请人： 斯坦雷电气株式会社 , 本田技研工业株式会社
摘要： 一种车灯配件，包括：壳体；外透镜，该外透镜附接到壳体并在外透镜和壳体之间形成第一空间；以及照明器材单元，该照明器材单元布置在第一空间中，其中，外透镜包括透光部分和凹部，从照明器材单元发射的光穿过透光部分，凹部布置在透光部分下方，其中，车灯配件还包括：雷达罩，该雷达罩以覆盖凹部并在雷达罩和凹部之间形成第二空间的状态布置；支架，该支架布置在第二空间中；雷达单元，该雷达单元以可拆卸地固定到支架的状态布置在第二空间中；以及第一固定部分和第二固定部分，该第一固定部分将支架的一端固定到外透镜，该第二固定部分将支架的另一端固定到壳体。
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公开(公告)号：CN117355941A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280035837.2
申请日：2022-04-20
申请人： 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： H01L25/16
摘要： 根据本发明的发光装置包括：基板，其由单晶硅形成并具有第一导电类型，同时在上表面和下表面上设置有热氧化膜，并且具有在形成在下表面上的热氧化膜中以彼此相距一定距离形成的第一开口和第二开口，该基板具有二极管结构部分，该二极管结构部分由第一阱区和第二阱区构成，该第一阱区形成在沿着下表面的第一区域中并且在第一开口中暴露，同时具有与第一导电类型不同的第二导电类型，而该第二阱区形成在第一区域内的沿着下表面的第二区域中并且在第二开口中暴露，同时具有第一导电类型；半导体元件，其布置在基板上并且包括半导体层；第一外部电极，其形成在热氧化膜的下表面上，同时在第一开口中与第一阱区相接触；以及第二外部电极，其与第一外部电极相距一定距离而形成在热氧化膜的下表面上，同时在第二开口中与第二阱区相接触。第二阱区沿着基板的下表面朝着第一开口延伸超过第一开口和第二开口的中间线。
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公开(公告)号：CN117321470A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280035577.9
申请日：2022-04-18
申请人： 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： G02B26/10
摘要： 本发明的光扫描装置(10)具备：光源(17)和MEMS光偏转器(20)，其安装在同一基板上；至少一个光路生成反射镜(23、25)，其生成使从光源(17)射出的光束(Lp)入射到MEMS光偏转器(20)的光路；以及聚光透镜(19)，其配置在光源(17)与最初的光路生成反射镜(23)之间。遮蔽板(41)具有椭圆形光圈(42)，安装于光路生成反射镜(23)。来自聚光透镜(19)的光束(Lp)被椭圆形光圈(42)截止横截面的周缘。
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公开(公告)号：CN109427945B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201811024770.4
申请日：2018-09-04
申请人： 斯坦雷电气株式会社
发明人： 大久保努
摘要： 半导体发光器件及其制造方法。提供了一种能够容易地调节输出光的光强度的半导体发光器件以及制造这种半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括：基板；发光元件，其被安装在基板上；以及密封层，其被设置在基板上以密封发光元件。密封层包含树脂和无机颜料颗粒。在通过激光衍射散射粒径分布测量法的体积基准粒径分布中无机颗粒具有1μm或更大且50μm或更小的平均粒径。无机颗粒按照在朝着所述基板的方向上变浓的浓度分散。
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公开(公告)号：CN117295992A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202280034506.7
申请日：2022-04-18
申请人： 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： G02B26/10
摘要： 光扫描装置(10)具备：VCSEL(17)和射出部(18)，其安装于同一基板(15)；以及底板部(13a)，其配设于基板15的下侧。柱状直立部(37)为顶端变细的形状且能够塑性变形，并固定于底板部(13a)。柱状直立部(37)将顶端侧插入基板(15)的通孔部(16)。柱状直立部(37)的上部和通孔部(16)中的至少一方塑性变形而相互嵌合，基板(15)与底板部(13a)的相对倾斜角由通孔部(16)与柱状直立部(37)的嵌合角度规定。
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公开(公告)号：CN117293238A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310736398.4
申请日：2023-06-20
申请人： 斯坦雷电气株式会社
摘要： 本发明的目的是提供一种紫外半导体发光元件，其允许使用者容易地确认其是否被驱动以发射深紫外光。根据本发明的紫外半导体发光元件包括：单晶AlN衬底、n型AlGaN层、有源层和p型AlGaN层。所述n型AlGaN层形成在所述单晶AlN衬底上。所述有源层形成在所述n型AlGaN层上。有源层具有250nm以上且280nm以下的发光峰值波长。所述p型AlGaN层形成在所述有源层上。所述单晶AlN衬底中的C浓度为3×1017个原子/cm3以上。
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公开(公告)号：CN110762479B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201910664764.3
申请日：2019-07-23
申请人： 斯坦雷电气株式会社
发明人： 森健太郎
IPC分类号： F21S43/236 , F21S43/242 , F21W103/00 , F21W107/10
摘要： 本发明提供一种车辆用灯具。车辆用灯具包括导光体和光源，该光源发出在导光体内被引导的光，导光体包含第1导光部、第2导光部、入光部、第1反射面以及第2反射面，第1导光部以及第2导光部并列配置，入光部包含光源所相对的入光面，第1反射面配置在入光部与第1导光部的基端部之间，第2反射面配置在入光部与第2导光部的基端部之间，第1导光部的背面包含用于使在第1导光部内导光的光从第1导光部的表面射出的多个第1结构物，第2导光部的背面包含用于使在第2导光部内被引导的光从第2导光部的表面射出的多个第2结构物。
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公开(公告)号：CN116547801A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180081862.X
申请日：2021-12-02
申请人： 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： H01L23/12
摘要： 具有半导体发光层叠体和SOI基板，半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成，在一个面侧具有至少1个p‑电极及n‑电极，SOI基板由上层半导体层、层间绝缘膜及下层半导体层构成。SOI基板具有：经由绝缘膜设置在上层半导体层上并与p‑电极对应的第一布线电极；与上层半导体层连接并与n‑电极对应的第二布线电极；设置在下层半导体层上并通过贯穿SOI基板的第一通孔电极与第一布线电极连接的阳极；经由绝缘膜设置在下层半导体层上并通过到达上层半导体层的第二通孔电极与上层半导体层连接的阴极，p‑电极和n‑电极分别与第一布线电极和第二布线电极接合。
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公开(公告)号：CN116324270A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180067956.1
申请日：2021-10-06
申请人： 斯坦雷电气株式会社
IPC分类号： F21S41/147
摘要： 车辆用灯具仅在从第二反射器(7)朝向PBS(6)的第二光(L2)的光路中配置偏振旋转元件(8)，朝向液晶元件(4)会聚的第一光(L1)和第二光(L2)相互在共同的第一会聚点(C1)会聚，并且液晶元件(4)位于第一会聚点(C1)，被PBS(6)反射的第二光(L2)在第二会聚点(C2)会聚，该第二会聚点(C2)位于从第一反射器(5)朝向PBS(6)的光(L1)的光路和从第二反射器(7)朝向PBS(6)的第二光(L2)的光路偏离的位置。
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