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公开(公告)号：CN1141700C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN98122500.4
申请日：1998-11-17
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B5/39
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3919 , G11B5/3925 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3218 , H01F10/3263 , H01F10/3268 , H01L43/10
摘要： 本发明的交换耦合膜包括一衬基和一多层膜。此多层膜包括：一铁磁性层和一邻接此铁磁性层设置的用于抑制此铁磁性层的磁旋的磁旋抑制层；此磁旋抑制层包括一Fe-M-O层(其中M’＝Al，Ti，Co，Mn，Cr，Ni或V)。
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公开(公告)号：CN1273664A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN99801130.4
申请日：1999-07-02
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
发明人： D·J·阿德勒霍夫
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/3106 , G11B5/3903 , G11B5/3967
摘要： 一种制造耐磨的换能损耗极小的薄膜磁头的方法。先是在衬底(1)上形成层面结构(3),然后在衬底表面和层面结构表面组成的表面淀积上耐磨材料(9)。淀积耐磨材料之前,用化学方法有选择地腐蚀所述表面,使衬底表面相对于层面结构表面后移。淀积耐磨材料之后,通过机械处理从层面结构表面除去耐磨材料,从而形成磁头表面(10)。
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公开(公告)号：CN1222999A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98800481.X
申请日：1998-01-22
申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
发明人： J·J·M·瑞格罗克 , G·H·J·索梅尔斯
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/11 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B5/3945 , G11B5/3951 , G11B5/40 , G11B2005/3996
摘要： 具有高通道密度的一种多通道磁头具有一个在记录载体相对于上述磁头做相对运动的第一方向(Ⅰ)和横截第一方向的第二方向(Ⅱ)上延伸的一个磁头面(1)。该磁头具有这样的结构层次,从第一方向看,它是一层压一层的,并且基本上在第二方向和横截第一和第二方向的第三方向(Ⅲ)上延伸。从第二方向上看,可以辨认出该结构中相邻的磁阻传感器(S1,S2,S3)各自包括一个磁阻测量元件(5),一个第一磁性元件(7)和一个第二磁性元件(9)。相邻传感器的磁性元件都是导电的,并且具有电连接面(70a,9a)。每个传感器中的测量元件在电路中被串联在第一和第二磁性元件之间,用来通过测量元件大体上在第三方向上提供测量电流(i)。
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公开(公告)号：CN1176704A
公开(公告)日：1998-03-18
申请号：CN96192150.1
申请日：1996-12-06
申请人： 菲利浦电子有限公司
发明人： E·A·德拉爱思马
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/3103 , G11B5/313 , G11B5/3133 , G11B5/3903 , G11B5/3977
摘要： 一种磁头,有一个磁头面(1),并包括一个基体(3),其上设有带导电磁头元件(7)的多层结构(5),磁头元件以电连接方式安排在导电连接印制线(9;11)之间。为了以简单方式设置所需要的连接印制线,将一组连接印制线(9)设置成实际上为共用导电体(9A)。
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公开(公告)号：CN1121252A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95106521.1
申请日：1995-05-02
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F7/02 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3925 , G11B2005/3996 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5616 , H01F10/3281 , H01L27/222 , H01L43/10
摘要： 本发明的磁阻效应器件包括：基片；以及在基片上形成的多层结构。多层结构包括硬磁膜，软磁膜，以及用来把硬磁膜和软磁膜隔开的非磁金属膜，硬磁膜的磁化曲线具有好的矩形特性，硬磁膜的易磁化轴的方向基本上和要被检测的磁场的方向一致。
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公开(公告)号：CN1074549A
公开(公告)日：1993-07-21
申请号：CN92112864.9
申请日：1992-11-26
申请人： 埃里迟·P·瓦斯泰恩 , 丹尼尔·A·内帕勒
发明人： 埃里迟·P·瓦斯泰恩 , 丹尼尔·A·内帕勒
IPC分类号： G11B5/33
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/332 , G11B5/37 , G11B5/3903
摘要： 本发明是一个薄膜读写磁头，包括一个具有由薄膜磁层组成的磁路的“写”感应部分和位于该磁路间隙中的“读”磁通量传感装置(例如磁阻装置或霍尔效应装置)。在写方式过程中，带有电导体的磁阀提供一个支路用以绕过磁通量传感装置。在读方式过程中，向阀门导体加以饱和电流，从而使该支路开放，于是允许磁通量传感装置去检测读出的信号。
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公开(公告)号：CN1030660A
公开(公告)日：1989-01-25
申请号：CN88104405
申请日：1988-07-12
申请人： 菲利浦光灯制造公司
发明人： 雅各布斯·约瑟夫斯·玛丽亚·鲁伊葛罗克 , 维克托·齐尔伦
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： G11B5/3925 , G11B5/11 , G11B2005/0037 , Y10S505/872
摘要： 一种包括有磁阻元件(1)和一用于使所述元件与磁记录介质磁耦合的表面(9)的薄膜磁头。磁头包括由三导磁材料层(3、5、7)构成的一磁轭，该磁轭具有由磁阻元件跨接的一缝隙(13)。在层(3)、(5)及磁阻元件(1)与层(7)之间设置有一超导材料层(15)，用于改进磁头的效率。为了保护免受外部干扰磁场和减小杂散磁通量，在层(3)和(5)上及层(7)的下面分别设置了超导材料层(43A、43B)。
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