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公开(公告)号：CN105470451A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510349082.5
申请日：2015-06-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/4235 , H01M4/0435 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M4/13 , H01M10/05
Abstract: 作为实施方式一例的正极，具备正极集电体、形成于该集电体上的正极合剂层、和形成于正极集电体与正极合剂层之间的中间层。中间层包含粒子，所述粒子以热导率为100W/m·K以上且比电阻为103Ω·m以上的材料为主成分，维氏硬度为5GPa以上。
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公开(公告)号：CN102576838A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201180003872.8
申请日：2011-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M2/105 , H01M10/613 , H01M10/623 , H01M10/625 , H01M10/655 , H01M10/6567
Abstract: 本发明提供一种电池包，其含有电池及用于冷却所述电池的冷却部。冷却部含有冷却剂及封入所述冷却剂的容器。容器上可形成放出口，在100℃以上的第1温度下放出冷却剂。冷却部以从容器的放出口放出的冷却剂向电池的主表面扩展的方式配置。冷却剂可以含有水、表面活性剂及金属皂。冷却剂也可以进一步含有在100℃以上的温度下可发泡的发泡促进剂。
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公开(公告)号：CN100523285C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200480011313.1
申请日：2004-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , H01L35/22 , H01L35/34 , Y10S117/915
Abstract: 在热电转换元件等功能元件中，有适合外延生长的基体与使用时期望的基体并不一致的情况。本发明中，通过水蒸气的作用，使得基体上形成的规定的层状结构与基体分离。本发明的结晶膜的制造方法包含：在基体上使含有层状结构的结晶膜外延生长，使得所述层状结构与所述基体相接的工序；在腔室内，使水蒸气供给源供给的水蒸气与所述层状结构接触的工序；和通过分离所述层状结构和所述基体，得到所述结晶膜的工序。其中所述层状结构包含含有碱金属的层、和含有选自Co、Fe、Ni、Mn、Ti、Cr、V、Nb及Mo中的至少一种元素的氧化物的层。
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公开(公告)号：CN100477225C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200580001365.5
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构，电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态，通过施加规定电压或者电流，可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件，其中，包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上，电阻变化层具有尖晶石结构，上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
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公开(公告)号：CN100466322C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1503912A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100－aXa表示的铁磁材料M－X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为X1b2cX3d(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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公开(公告)号：CN1124594C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN98125636.8
申请日：1998-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁阻效应器件包括一个多层膜。该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
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公开(公告)号：CN1437772A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811520.9
申请日：2001-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 在本发明中，作为所谓的CPP－GMR元件的非磁性层，使用了以电阻率在4μΩ.cm以上200μΩ.cm以下的金属为主要成分的薄膜。此元件即使在面积受限制时，其电阻也不会过高。所以，即使在很窄的磁缝中也能获得大的输出。
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公开(公告)号：CN1359099A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01109991.7
申请日：2001-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01F10/3272 , H01L27/228 , H01L43/08
Abstract: 一种磁电阻效应装置,包括:一自由层,其磁化方向可容易地被一外部磁场旋转;一非磁性层;和一被钉扎层,其磁化方向不能容易地被一外部磁场旋转,该被钉扎层位于与形成自由层的表面相对的非磁性层的表面上,其中该被钉扎层包括:一用于交换耦合的第一非磁性膜;和通过该第一非磁性膜彼此反铁磁性交换耦合的第一和第二磁性膜,该第一非磁性膜包含Ru、Ir、Rh和Re的氧化物之一。
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公开(公告)号：CN1331407A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN01124832.7
申请日：2001-06-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D15/12
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/82 , G11B2005/0002 , G11B2005/001 , Y10S428/90 , Y10T428/115 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明提供热波动受到抑制的新的磁记录媒体,以及采用该磁记录媒体的磁记录装置。通过以磁性离子交换方式使M2Oy为主成份的膜与记录信号的磁性膜结合,由此,使磁性膜的有效V与Ku增加,抑制热波动。在这里,M表示是从Fe,Co,Ni,碱土类元素,Y,镧系元素和Bi中选择出的至少1种元素,而且从Fe,Co和Ni中选择出的至少1种是作为必须的元素,y为满足2.8
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