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公开(公告)号：CN117941023A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061516.X
申请日：2022-08-18
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 杰·T·舒尔 , 具本雄 , 罗伯特·C·林德柏格 , 彼得·F·库鲁尼西 , 格拉汉·莱特
Abstract: 公开一种具有萃取板的离子源，所述萃取板具有可变厚度。萃取板在其接近萃取孔径的内部或外部表面上具有突起。突起增加某些区中萃取孔径的厚度。这增加了那些区的损失面积，其充当离子和电子的汇点。以此方式，等离子体密度在萃取孔径具有较大厚度的区中更显著地降低。可修改突起的形状以实现所要等离子体均匀性。因此，可能有可能产生具有更均匀离子密度的所萃取离子束。在一些测试中，束电流沿宽度方向的均匀性提高了20％到50％。
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公开(公告)号：CN117936344A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410121024.6
申请日：2019-05-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 法兰克·辛克莱
IPC: H01J37/317 , H05H9/04 , H01J37/08
Abstract: 一种用于生成高能离子射束的设备及方法。所述设备可包括离子源，所述离子源被布置成产生处于第一离子能量的离子射束。所述设备可进一步包括直流加速器柱，所述直流加速器柱设置在所述离子源下游且被布置成将所述离子射束加速到第二离子能量，所述第二离子能量大于所述第一离子能量。所述设备可包括线性加速器，所述线性加速器设置在所述直流加速器柱下游，所述线性加速器被布置成将所述离子射束加速到比所述第二离子能量大的第三离子能量。
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公开(公告)号：CN117836893A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056456.2
申请日：2022-06-23
Applicant: 应用材料股份有限公司
Inventor： 乔治·M·葛梅尔 , 艾利克·唐纳德·威尔森
IPC: H01J37/304 , H01J37/08 , H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种方法，包含：接收点离子射束的点射束轮廓；接收点离子射束的线性扫描射束轮廓；基于点射束轮廓和线性扫描射束轮廓而产生计算的校准点轮廓；以及基于计算的校准点轮廓而实施点离子射束的调整的扫描轮廓。
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公开(公告)号：CN113097048B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110355098.2
申请日：2017-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法。离子源包括：等离子体室，具有在第一端壁与第二端壁之间延伸的纵向轴线；以及射频天线，邻近等离子体室内的等离子体，其中射频天线被配置成向等离子体提供射频能量。离子源可还包括端板，端板邻近第一端壁设置在等离子体室内，端板被沿纵向轴线在第一位置与第二位置之间致动，以调整等离子体的体积。通过提供可致动端板及射频天线，可对等离子体特性进行动态控制以影响离子源特性，例如离子物质的组成，包括亚稳态中性粒子。
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公开(公告)号：CN117747388A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311693873.0
申请日：2023-12-07
Applicant: 国仪量子技术(合肥)股份有限公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/28 , H01J37/08 , G01T1/29
Abstract: 本发明公开了一种粒子束检测方法、存储介质和电子设备，应用于粒子束检测系统，所述粒子束检测方法包括：在所述偏转电极引导所述粒子源发射的粒子束运动至所述法拉第杯的情况下，确定所述法拉第杯检测到的电流的电流参数和所述粒子束检测系统的状态参数；基于所述电流参数、所述状态参数、所述粒子束的截面积，确定所述粒子束的密度特征数据；判断所述密度特征数据是否满足预设的密度条件，得到检测结果。应用本发明实施例提供的方案能够对粒子束进行密度检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114220726B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202111321157.0
申请日：2021-11-09
Applicant: 北京子牛亦东科技有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30 , H01J37/04 , H01J9/18 , H01J37/08
Abstract: 本发明涉及一种用于离子注入机的离子源的阴极固定装置，包括：紧固件；卡具，所述卡具设置在阴极外围，其上设置有凸块，所述凸块上设置有连接孔，所述连接孔用于配合紧固件将所述卡具固定在阴极上；以及支撑结构，所述支撑结构通过紧固件与所述凸块连接。本发明的阴极固定装置取消阴极杯体底部的中间杆，由设置在阴极外围的卡具和与卡具连接的支撑结构来固定阴极，将承重部位由中间杆变成整体外圈受力，可以有效避免因中间杆变形而引起的短路，提高离子注入机的利用率，节约人力和物力。本发明还涉及包括所述阴极固定装置的离子源，以及利用上述阴极固定装置固定阴极的方法。
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公开(公告)号：CN116095934B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211531695.7
申请日：2022-12-01
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本申请提供一种分配机构，用于将离子源的气化机构形成的饱和蒸汽分配至多个等离子体生成机构，分配机构包括：入口管，入口管上设置有气体入口，气体入口用于与气化机构连接以接收来自气化机构的饱和蒸汽；多个出口管，每个出口管上分别设置有一个气体出口，每个气体出口用于与一个等离子体生成机构连接以将饱和气体分配至等离子体生成机构，其中，多个出口管与入口管滑动连接，使多个出口管彼此之间的相对位置可调节。本申请的实施例还提供一种离子源。
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公开(公告)号：CN114242549B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202111569124.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京凯世通半导体有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J27/14 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种采用物质溅射形成等离子体的离子源装置，其包括起弧室、盖板、灯丝、阴极、通气孔和反射极，起弧室用于电子与气体分子碰撞产生等离子体的腔室；盖板上设置有用于引出等离子体的引出缝，将等离子体引出起弧室；灯丝被加热之后产生第一组电子，第一组电子用于加热阴极；阴极被加热后，产生第二组电子，第二组电子用于起弧；通气孔设置在起弧室的内壁，用于向起弧室输入气体；反射极设置于起弧室与阴极相对的一侧的内壁上。本发明采用物质溅射形成等离子体的离子源装置的反射极采用目标掺杂元素所对应的金属材料制成，在工作时被电离出的离子撞击反射极，溅射、电离出目标掺杂元素离子，解决了掺杂元素离子难以获得的问题。
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公开(公告)号：CN117524823A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311476800.6
申请日：2019-06-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 , 彼得·F·库鲁尼西 , 克里斯多福·A·罗兰德 , 约瑟·C·欧尔森 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述方法使用的处理系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。
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公开(公告)号：CN111627788B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202010528406.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/04
Abstract: 一种弯曲的后扫描电极的离子植入机系统设备，包括：后扫描电极，以扇形束包络的形式接收及传输经扫描束，其中所述经扫描束界定视在扫描原点，其中所述后扫描电极的至少一部分具有弯曲形状以实质上维持所述视在扫描原点的位置。通过使用具有与扇形束包络线传播方向垂直的形状(例如，弯曲形状)的后扫描电极，可有利地避免视在扫描原点相比于扫描原点的折射移位。使用具有弯曲形状或弧形状的后扫描电极使得能够在扫描板以及后扫描电极上使用与传统扫描系统中使用的电压相比显著更高的电压。
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