公开(公告)号：CN108431925A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680074876.8

申请日：2016-11-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  克里斯多福·A·罗兰德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/225 ,  H01L21/223 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明提供一种对衬底进行掺杂的方法。所述方法可包括在300℃或高于300℃的植入温度下经由所述衬底的表面将一定剂量的氦物质植入至所述衬底中。所述方法可进一步包括在所述衬底的所述表面上沉积含有掺杂剂的掺杂层，以及在退火温度下对所述衬底进行退火，所述退火温度高于所述植入温度。

公开(公告)号：CN102265385A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980148521.9

申请日：2009-10-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  克里斯多福·A·罗兰德

IPC: H01L21/265

CPC classification number: C23C14/48 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 揭示分子离子的离子植入技术。在一特定实施例中，此技术可实现为一种离子植入装置，其包括离子植入机，用来在预定的温度下将分子离子植入到目标材料中，以加强此目标材料的应力与非晶化至少其中之一，其中分子离子是在离子源内原位产生的。

公开(公告)号：CN112335012B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201980041813.6

申请日：2019-06-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  安东尼·雷诺

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明公开一种处理系统与离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。

公开(公告)号：CN112335012A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980041813.6

申请日：2019-06-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  安东尼·雷诺

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08

Abstract: 本发明公开一种具有辅助等离子源的系统，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。

公开(公告)号：CN102232241A

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200980148112.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  奎格·R·钱尼 ,  法兰克·辛克莱 ,  奈尔·J·巴森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室之前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。在另一实施例中，使用多样的气体，其中一种或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室之前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一个或多个额外的气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外的等离子。

公开(公告)号：CN117524823A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311476800.6

申请日：2019-06-12

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·汉特曼 ,  彼得·F·库鲁尼西 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  约瑟·C·欧尔森 ,  安东尼·雷诺

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J37/32 ,  H01L21/265 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法，所述方法使用的处理系统具有辅助等离子源，所述辅助等离子源靠近工件设置、与离子束一起使用。辅助等离子源用于产生离子及自由基，所述离子及自由基朝工件漂移且可形成膜。接着，离子束用于提供能量，使得所述离子及自由基可处理工件。此外，还公开所述系统的各种应用。举例来说，所述系统可用于包括沉积、植入、刻蚀、预处理及后处理在内的各种工艺。通过将辅助等离子源定位成接近工件，可执行先前不可能实现的工艺。此外，可在不从终端站取出工件的情况下执行两种不同的工艺，例如清洁与植入或植入与钝化。

公开(公告)号：CN108431925B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201680074876.8

申请日：2016-11-28

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  克里斯多福·A·罗兰德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种对衬底与半导体装置进行掺杂的方法及对衬底进行掺杂的系统。所述方法可包括在300℃或高于300℃的植入温度下经由所述衬底的表面将一定剂量的氦物质植入至所述衬底中。所述方法可进一步包括在所述衬底的所述表面上沉积含有掺杂剂的掺杂层，以及在退火温度下对所述衬底进行退火，所述退火温度高于所述植入温度。本发明提供用于提高从沉积层进行的衬底的掺杂剂扩散，而不使正进行植入的衬底非晶化的技术的优点。

公开(公告)号：CN102232241B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980148112.9

申请日：2009-12-03

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 具本雄 ,  维克多·M·本夫尼斯特 ,  克里斯多福·A·罗兰德 ,  奎格·R·钱尼 ,  法兰克·辛克莱 ,  奈尔·J·巴森

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J27/022 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/24514

Abstract: 一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。另一实施例中，使用多样的气体，其中一或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一或多个额外气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外等离子。