公开(公告)号：CN117995899A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202211341736.6

申请日：2022-10-28

申请人： 江西省纳米技术研究院

发明人： 张晓东 ,  范亚明 ,  黄蓉 ,  曾中明 ,  张宝顺

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种垂直结构半导体电子器件及其制备方法。所述垂直结构半导体电子器件包括：半导体结构，包括导电层、电流通道层、反型层和沟道层，所述导电层、电流通道层和沟道层沿指定方向依次设置，所述电流通道层的第一区域中形成有电流通道，所述反型层至少局部是由电流通道层的第二区域被热氧化形成，所述第二区域环绕第一区域设置；以及，源极、漏极和栅极，所述源极和栅极设置在沟道层上，所述漏极与导电层电连接；其中，所述电流通道层、导电层及沟道层均是第一导电类型的，所述反型层是第二导电类型的。本发明提供的一种垂直结构半导体电子器件的其制备方法可以有效提高器件的击穿电压，有效降低器件的导通电阻，提高器件的饱和电流。

公开(公告)号：CN117936578A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410095869.2

申请日：2024-01-24

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 方慈浙 ,  李同洲 ,  李晓茜 ,  刘艳 ,  郝跃 ,  韩根全

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/24 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66

摘要： 本发明公开了一种增强和耗尽型可切换的Ga2O3场效应晶体管及其制备方法，包括依次设置的衬底、沟道层、势垒层和铁电栅介质；所述沟道层的材料为非故意掺杂β‑Ga2O3，所述势垒层的材料为AlN，在沟道层与势垒层的界面形成AlN/β‑Ga2O3异质结。本发明通过采用AlN/β‑Ga2O3异质结解决Ga2O3载流子迁移率低的问题，同时利用铁电栅介质AlScN实现Ga2O3场效应晶体管工作模式的切换。

公开(公告)号：CN117877985A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311674582.7

申请日：2023-12-07

申请人： 湖南大学

发明人： 邹旭明 ,  柳畅 ,  廖蕾

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/15 ,  H01L29/24

摘要： 本发明提供一种控制范德华间隙的方法，所述方法包括以下步骤：步骤一，利用前驱溶液产生饱和蒸汽；步骤二，将第一材料置于饱和蒸汽中进行分子/离子吸附；步骤三，将第一材料与第二材料进行物理层压，形成范德华间隙，所述间隙大小由第一材料吸附时所处的饱和蒸汽控制。本发明利用材料在不同等级的饱和蒸汽下进行表面吸附的不同，结合后续的物理层压，形成了一系列尺寸和成分变化的范德华间隙，所述的范德华间隙能够形成在二维(2D)/2D材料，2D/三维(3D)材料，3D/3D材料和人工超晶格材料中，具有高度的普适性。

公开(公告)号：CN110828552B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201911118416.2

申请日：2015-07-21

申请人： 株式会社FLOSFIA

发明人： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

摘要： 本发明提供半导体特性优异、特别是可抑制漏电流，耐压性和放热性优异的半导体膜和板状体，以及半导体装置。本发明提供结晶性半导体膜或板状体、以及具备含有所述结晶性半导体膜或所述板状体的半导体结构的半导体装置，所述结晶性半导体膜的特征在于，含有具有刚玉结构的氧化物半导体作为主成分，且含有半导体成分即选自镓、铟和铝中的1种或2种以上的氧化物作为主成分，膜厚为1μm以上。

公开(公告)号：CN117855289A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311771333.X

申请日：2023-12-21

申请人： 华北水利水电大学

发明人： 许磊 ,  张新楠 ,  宋增才 ,  朱治华 ,  李军明 ,  刘河潮 ,  罗世钧 ,  梁茹钰 ,  宗石

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管及其制备方法。ITO基薄膜晶体管包括栅极、栅介质、沟道层和源漏电极，其中沟道层是由ITO层和Hf掺杂ITO层复合而成。采用P型重掺杂硅作为栅极，SiO2薄膜作为栅介质层；在栅介质层上首先通过磁控溅射制备ITO层，在制备的ITO层上，利用ITO靶和HfO2靶通过共溅射技术制备成Hf掺杂ITO层，形成沟道层；将溅射的沟道层进行分割；分割后，采用直流溅射沉积Mo金属层、并采用掩模版图案形成源漏电极，得到Hf掺杂的ITO基薄膜晶体管。通过本发明能够有效减少背沟道中氧空位缺陷，抑制背沟道表面电子捕获和去捕获，从而提高ITO基薄膜晶体管的稳定性。

公开(公告)号：CN117855166A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410075770.6

申请日：2024-01-18

申请人： 西安电子科技大学广州研究院 ,  西安电子科技大学

发明人： 冯欣 ,  周佳俊 ,  张苇杭 ,  吴银河 ,  董鹏飞 ,  周弘 ,  刘志宏 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L23/38 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

摘要： 本发明公开了电卡制冷增强散热的氧化镓器件，主要解决由于氧化镓低的导热率，造成氧化镓器件自热效应严重、可靠性降低、输出功率减小的问题。其技术关键是通过电卡制冷技术提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的衬底和传热界面层之间增设电卡制冷层，并在其上下表面设置金属电极层，通过施加电场使电卡制冷层中的压电材料相变，加快衬底到传热界面层的热传递。对于垂直氧化镓肖特基二极管，是在其Si3N4钝化层与热界面层之间增加设有上下电极的压电薄膜，通过施加电场使压电薄膜相变，增加Si3N4钝化层到热界面层的热传递。本发明减小了器件热阻，抑制了器件的自热效应，提高了器件的散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。

公开(公告)号：CN117845190A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410003896.2

申请日：2024-01-03

申请人： 广西大学

发明人： 熊伟明 ,  单楷涵 ,  孟伟婷 ,  吴琼 ,  王迪 ,  江文瑜

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L29/66 ,  H01L29/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

摘要： 本发明公开了一种实现易转移超长VO2纳米线的化学气相沉积(CVD)制备方法及场效应管器件集成应用。所述制备方法包括以下步骤：使用Si/SiO2基片作为衬底，以V2O5粉末作为前驱物，将前驱物和基片分别放置在CVD管式炉的中心热源的左右两侧7‑9cm处，前驱物、基片间距超过15cm；调节CVD管式炉的气体流速及沉积气压，缓慢升高温度至成核生长温度，随后保持一段时间进行成核与生长，生长完成后自然冷却至室温，即可获得易转移超长VO2纳米线。本发明通过调控化学气相沉积的生长参数，实现了制备出易转移的超长VO2纳米线，尤其通过本发明生长出来的VO2纳米线质量高，具有非常好的结晶度和均匀性。

公开(公告)号：CN111969035B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202010658629.0

申请日：2020-07-09

申请人： 山西师范大学

发明人： 薛武红 ,  许小红 ,  杨瑞龙 ,  吕宝华 ,  次文娟 ,  庞瑞雪

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开一种晶体管器件及其应用和制备。公开的晶体管器件包含一沟道，沟道与晶体管器件的源极和漏极连接，沟道由奇数层二维铁电半导体材料构成。还公开一种利用该晶体管器件实现室温下产生负微分效应的方法，以及该种晶体管器件的制备方法。应用该晶体管器件可在室温下稳定的产生负微分效应。

公开(公告)号：CN117766591A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311752620.6

申请日：2023-12-19

申请人： 之江实验室

发明人： 单玉凤 ,  阮罗渊 ,  白石根 ,  林虹宇 ,  宋睿烜 ,  杜瑀 ,  邓惠勇 ,  戴宁

IPC分类号： H01L29/88 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

摘要： 本公开是关于一种电学信号振荡器，该电学信号振荡器包括：p型层、设置于p型层的一个表面上的i型层、以及设置于i型层远离p型层的表面上的n型层；p型层的材料选自p型Si、Ge、GaAs、SiC中的任一者，i型层的材料为SiO2，n型层的材料为竖直生长的MoS2；i型层的厚度选自2nm～50nm；n型层的厚度选自10nm～200nm；本公开所提供的电学信号振荡器，不依赖于环境，就能形成电学信号，无需从环境捕获能量，应用场景不受限制。

公开(公告)号：CN117727796A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311748787.5

申请日：2023-12-19

申请人： 复旦大学

发明人： 王天宇 ,  孟佳琳 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开一种新型同源神经形态器件及其制备方法。该器件包括：柔性衬底；背部栅电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；阻挡层，其为高k材料薄膜，形成在所述背部栅电极上；同源电荷俘获层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述阻挡层上；浮栅过渡层，其为高导电二维材料，形成在所述阻挡层上，一端搭接在所述同源电荷俘获层；电荷隧穿层，其为二维绝缘层材料，覆盖所述同源电荷俘获层，一端与所述浮栅过渡层相接触；同源沟道层，其为具有双面不对称结构的二维材料薄膜，形成在所述电荷隧穿层上；源端电极和漏端电极形成在所述同源沟道层两端，以及浮栅电极，形成在所述浮栅过渡层一端，实现神经形态功能与特性。