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公开(公告)号：CN112731640B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110069253.4
申请日：2021-01-19
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B15/173
摘要： 本发明属于特殊红外长波波段连续变焦光学技术领域，具体公开一种工作于14～16μm波段的红外连续变焦系统，包括沿光轴从物方到像方依次设置的前固定组、变倍组、补偿组、后固定组、平场镜、气室前封窗、气室后封窗和滤光片，变倍组沿光轴移动实现连续变焦，补偿组沿光轴移动实现变焦补偿，所述前固定组、变倍组、后固定组、气室前封窗和气室后封窗的材料为ZnSe，所述补偿组和滤光片的材料为Ge，从系统材料构成来看，除了补偿组3为了色差校正是材料Ge外，其余镜片全部是ZnSe，保证了在14～16μm工作波段内有尽可能高的能量透过性能，且系统并没有增加镜片数。
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公开(公告)号：CN114250503A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111660623.8
申请日：2021-12-30
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
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公开(公告)号：CN112946866A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110142629.X
申请日：2021-02-02
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
摘要： 本发明属于一种红外光学领域，特别是公开了一种低畸变大相对孔径制冷型无热化红外广角光学系统，包括从物面到焦面依次同轴固联排列设置的前固定镜组、像差校正组和探测器；探测器包括从物面至焦面光轴方向依次排列的探测器保护窗、探测器冷阑和焦面，光学系统孔径光阑与探测器冷阑位置重合；前固定镜组为单透镜结构，由第一负透镜组成，材料为硅；像差校正组为三分离透镜组，从物面至焦面光轴方向依次同轴为第一正透镜、第二负透镜和第二正透镜材料为硫系材料，本发明光学系统采用普通红外光学材料，可实现对中波红外波段范围的优良成像，能够对与大视场大孔径化相伴而生的像差良好地进行校正，易于制造、成像品质高、稳定性好。
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公开(公告)号：CN105937052B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105401214B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510826525.5
申请日：2015-11-25
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 一种锗熔体浮渣清除方法，涉及浮渣清除技术领域，尤其是一种锗熔体浮渣清除方法。本发明的方法瞬间改变炉内压力，使熔体液面在压力差的作用下发生对流，浮渣在热对流的影响下漂移至炉体中央，之后将锗单晶作为浮渣提出的工具，多次反复重复直至除净炉内浮渣。本发明的一种锗熔体浮渣清除方法，无需改造单晶炉设备，节约成本。未引入新的除渣设备及手段，减少了固相、气相杂质的引入。与其他去除浮渣相比，这种方法比表面积较大，能除去更多的浮渣，具有耗时短、占用物料少，浮渣可以全部清除等优点。同时，由于公司产业链的优化特性，粘附浮渣的单晶可以回炉冶炼，减少原料损耗。
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公开(公告)号：CN105951170A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610495202.7
申请日：2016-06-30
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/006 , C30B29/08
摘要： 本发明涉及一种新材料制备技术领域，具体为一种锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法，该装置垂直固定在底座上，其特征在于该生长炉采用圆柱形不锈钢炉体，炉体侧壁自下而上设置若干个加热电极，沿炉体内侧设置环形的保温材料；沿炉体中轴底部设置支撑系统，支撑系统上架设石英异型管，石英异型管内自下而上依次设置下层坩埚、中环、上层坩埚以及封帽，石英异型管上方覆盖石英棉。生长炉针对8英寸锗单晶生长特点，结构精妙，温区设计合理。
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公开(公告)号：CN105937052A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610437697.8
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
IPC分类号： C30B33/10
CPC分类号： C30B33/10
摘要： 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105887195A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610439088.6
申请日：2016-06-20
申请人： 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 , 昆明云锗高新技术有限公司 , 云南鑫耀半导体材料有限公司
摘要： 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。
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公开(公告)号：CN105093476A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510580853.1
申请日：2015-09-14
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B7/182
摘要： 本发明属于光学成像技术领域，具体为一种红外光学系统U型折转双反射装调方法，特征在于采用斜方棱镜使U型折转双反射的两条光轴的间距拉近，使光轴同时进入自准前置镜，用以测量两光轴的平行性误差；通过自准前置镜测量两光轴形成的双像差，调校反射镜角度达到两光轴平行。本发明给出的装调技术具有操作简单、测值可靠、快速、过程连续的特点，适合批量生产的在线检测。
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公开(公告)号：CN104155737A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410437165.5
申请日：2014-09-01
申请人： 昆明云锗高新技术有限公司
IPC分类号： G02B7/02
摘要： 一种三针定位的镜片装配方法，涉及镜头生产工艺，尤其是一种利用三针进行定位，能够快速将镜片与镜筒进行同轴定位安装的三针定位的镜片装配方法。本发明的三针定位的镜片装配方法，其特征在于该方法利用三根相同规格的针对镜片及镜筒通过以下步骤进行定位：1）确定针的直径d；2）确定三针的位置；3）固定镜片。本发明的三针定位的镜片装配方法，采用三针定位法，保证装配中镜片与镜筒同轴度的要求，装配完成后经检验检测，镜筒的光学传递函数满足设计要求。该法只需控制圆度误差，加工精度降低，节约成本及设计难度，操作简单，高效。
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