独立自支撑膜的制造及其在纳米颗粒图案合成中的应用

    公开(公告)号:CN103907056A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201280053361.1

    申请日:2012-10-03

    Inventor: 杨军 李庭杰

    Abstract: 本专利公开了一种均匀孔径、特定形状以及规则孔分布的独立自支撑多孔膜加工方法,以及其在纳米颗粒图案合成中的应用。本方法包括将光致抗蚀剂层涂覆于基底上表面,首先将其加热相应时间段,然后通过具有预设图案的掩模版使该光致抗蚀剂层通过紫外曝光,并控制所述紫外线辐射剂量的强度和时间实现剂量控制,以便所述紫外线辐射剂量通过并进入所述光致抗蚀剂层顶部比与所述基底表面紧邻的光致抗蚀剂层底部经受更多的交联,从而在所述光致抗蚀剂层的厚度内产生交联梯度。由于与基低表面相邻的膜部分与膜表面相比交联程度低,去除掩模版后容易将膜层从基底表面分离。分离后的膜形成是具有特定图形分布的独立自支撑多孔膜。当沉积在UV透明基底上时,该方法也可以用正性光致抗蚀剂材料,以便将光致抗蚀剂从其顶部通过掩模对掩模版进行UV曝光并且从透明基底的背部掩模版进行直接无掩模的UV曝光。

    制备层合异质结聚合性装置的方法

    公开(公告)号:CN102414260B

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201080019797.X

    申请日:2010-03-03

    CPC classification number: C08J7/123 B29C64/124 C08J7/04 C08J2443/04

    Abstract: 本发明公开了用于生长多层聚合物型异质结装置的方法,所述方法利用选择性断裂C-H键或Si-H键而不断裂其它键导致快速固化以制备具有通过常规溶液型沉积方法沉积的聚合物异质结的层合聚合物装置。在一个实施方案中,保持氢等离子体,并使用电场抽取质子,以将它们加速至合适的动能。质子进入漂移区,与气相中的分子氢碰撞。连串碰撞产生高流量的超高温分子氢,其流量比从氢等离子体中抽取的质子流量高许多倍。通过漂移区中的氢压力和通过漂移区的长度容易地控制超高温分子氢相对于质子的标称流量比。质子的抽取能由这些超高温分子共用,使得超高温分子氢的平均能量由质子的抽取能和标称流量比容易地控制。由于与质子不同,超高温分子氢射弹不带有任何电荷,所以可将高流量的超高温分子氢的流体用以对电绝缘产品和导电产品进行工程表面改性。在典型实施方案中,使用溶液型沉积方法在基质上缩合具有期待的化学官能团或化学官能团组,并具有期待的电学性质的有机前驱物分子(或硅酮或硅烷分子)。由来自氢等离子体的高流量超高温分子氢轰击分子层。由于来自超高温氢射弹对前驱物分子中的氢原子的能量沉积的动力学选择性,C-H键或Si-H键由此优先断裂。所引起的交联反应产生稳定的分子层,其保留由前驱物分子给予基质的所期待的化学官能性和电学性质。由此分子层固化并易于形成其它的分子层,以制备通常包括一个或多个聚合物异质结的聚合物装置。

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