公开(公告)号：CN102411987B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201110280452.6

申请日：2011-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔城赫 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊

IPC: G11C16/02 ,  G11C29/42

Abstract: 一种存储器件包括：存储单元阵列；自交织器，配置为使用交织方案将数据即时交织和加载到缓冲器电路中；以及控制逻辑，配置为控制存储单元阵列中交织数据的编程。

公开(公告)号：CN105825896A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610045380.X

申请日：2016-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东旻 ,  孔骏镇 ,  慎钒揆 ,  吴银珠 ,  尹弼相

IPC: G11C29/42 ,  G06F11/10

Abstract: 提供一种存储器系统及操作该存储器系统的方法。一种操作存储器系统的方法包括：从主机接收与作为第一编程单位的一部分的第二编程单位对应的信息数据和对于所述信息数据的写入请求；通过对接收的信息数据执行纠错码(ECC)编码来生成码字，使得码字的所有奇偶校验比特之中的与所述信息数据对应的部分奇偶校验比特被更新；向存储器装置提供生成的码字和关于码字的写入命令。

公开(公告)号：CN105718385A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510969163.5

申请日：2015-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东焕 ,  孔骏镇 ,  薛昶圭 ,  孙弘乐

IPC: G06F12/0802

Abstract: 本发明提供了一种操作数据存储装置的方法，其能够补偿多个存储器单元的初始阈电压漂移。所述方法包括：产生针对第一写地址的第一压缩值，所述第一写地址对应于在不同的时间间隔中的第一时间间隔期间输入的第一写请求；以及将第一压缩值存储在多个表中的第一表中。本发明还提供了一种数据存储装置和数据处理系统。

公开(公告)号：CN105702286A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510931245.0

申请日：2015-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  尹弼相 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G06F11/1048 ,  G06F12/00 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G11C8/06 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0088 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H03M13/05 ,  H03M13/27 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028

Abstract: 一种操作包括多个层的电阻式存储器系统的方法可以包括：接收对应于第一地址的第一数据和写请求，将第一地址变换成第二地址，并且将n(n是等于或大于2的整数)个从第一数据产生的子区域数据分配到多个层，并且根据第二地址将n个子区域数据写入到至少两个层。

公开(公告)号：CN103578550A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310328869.4

申请日：2013-07-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛昶圭 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐 ,  尹弼相

IPC: G11C16/10 ,  G06F21/62

CPC classification number: G06F7/58 ,  G06F7/588 ,  H04L9/08 ,  H04L9/0869 ,  H04L2209/12

Abstract: 在非易失性存储单元的存储器中，通过以下步骤产生随机数：对非易失性存储单元编程；利用随机数读取电压读取编程的非易失性存储单元以产生随机读取数据，所述随机数读取电压依照非易失性存储单元的特性选择；并从随机读取数据产生随机数。

公开(公告)号：CN101458954B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200810191188.7

申请日：2008-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宰 ,  姜东求 ,  宋承桓 ,  孔骏镇 ,  蔡东赫 ,  朴诚正

IPC: G11C7/06 ,  G11C29/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/3418

Abstract: 本发明提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。

公开(公告)号：CN101256842B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200810092005.6

申请日：2008-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪始勋 ,  李润泰 ,  孔骏镇

IPC: G11C29/42 ,  G11C7/10

CPC classification number: H03M13/2945 ,  G06F11/1072 ,  H03M13/09 ,  H03M13/136 ,  H03M13/1505 ,  H03M13/1515 ,  H03M13/152 ,  H03M13/19 ,  H03M13/29 ,  H03M13/2906

Abstract: 提供了一种快闪存储器装置的ECC(纠错码)控制器，该快闪存储器装置存储M比特数据(M为大于或等于2的正整数)，该ECC控制器包括第一ECC块以及第二ECC块，该第一ECC块根据第一纠错方法从将要存储在该快闪存储器装置中的程序数据产生第一ECC数据，该第二ECC块根据第二纠错方法从自第一ECC块输出的第一ECC数据和程序数据产生第二ECC数据，程序数据、第一ECC数据以及第二ECC数据被存储在该快闪存储器装置中。

公开(公告)号：CN101217673B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710139008.6

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟冕 ,  孔骏镇 ,  金政煜 ,  金硕镇 ,  柳秀晶 ,  闵庚俊 ,  刘东勋 ,  徐东宽 ,  赵渊坤

IPC: H04N9/64

Abstract: 提供一种将带交叉格式的图像数据转换为带分离格式的图像数据的格式转换设备。所述设备包括：存储器，存储带交叉格式的图像数据；转换模块，通过对每个跨距提升存储器的读取地址来读取存储器，并且将带交叉格式的图像数据转换为带分离格式的图像数据。

公开(公告)号：CN101740128A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910212121.1

申请日：2009-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋承桓 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  金容俊 ,  孔骏镇 ,  金宗汉

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储设备以及确定读电压的相关方法。非易失性半导体存储设备包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；读电压确定单元，被配置为通过比较在编程操作期间所获得的参考电压和在后续读操作期间所获得的比较数据，并且基于比较结果将当前读电压改变为新的读电压，来确定最优读电压；以及读电压产生单元，被配置为响应由读电压确定单元所提供的读电压控制信号产生新的读电压。

公开(公告)号：CN101727981A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910204682.7

申请日：2009-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/16

Abstract: 非易失性存储器设备包括在擦除非易失性(例如，快闪)存储器单元块的操作期间支持存储器单元的恢复。非易失性存储器系统包括快闪存储器设备以及电耦接到快闪存储器设备的存储器控制器。存储器控制器被配置为，通过将第一指令发布到快闪存储器设备、接着将第二指令发布到快闪存储器设备来控制快闪存储器设备内的存储器单元的恢复操作，将第一指令发布到快闪存储器设备导致存储器块中的擦除的存储器单元变为至少部分地编程的存储器单元，将第二指令发布到快闪存储器设备导致至少部分地编程的存储器单元变为全部地被擦除。