公开(公告)号：CN101582453B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200910140975.3

申请日：2009-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种具有自调整顶栅结构的晶体管及其制造方法。该晶体管包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区。该晶体管还包括顺序堆叠在沟道区上的栅极绝缘层和栅电极。还提供了包括至少一个晶体管的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN101714870B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN200910175707.5

申请日：2009-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚煜 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金善日

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H01L27/0883 ,  H01L27/1203

Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。

公开(公告)号：CN102544032A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110167180.9

申请日：2011-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14661 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227

Abstract: 本发明提供了一种晶片规模x射线检测器及其制造方法。所述晶片规模x射线检测器包括：无缝硅基底，电连接到印刷电路基底；芯片阵列，位于无缝硅基底上并具有形成在芯片阵列的中心区域上的多个芯片焊盘和形成在芯片阵列的边缘上的多个引脚焊盘；多个像素电极，形成为对应于像素焊盘；竖直布线和水平布线，形成为补偿从芯片阵列和像素电极之间的像素焊盘向像素电极扩展的区域的差；再分布层，具有绝缘层以使竖直布线和水平布线分开；光电导体层和共电极，覆盖再分布层上的像素电极。

公开(公告)号：CN101714404A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910204905.X

申请日：2009-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋利宪 ,  朴宰彻 ,  权奇元 ,  金善日

IPC: G11C11/40 ,  H01L27/24 ,  H01L29/786 ,  G11C11/4195

CPC classification number: G11C13/00 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种包括氧化物薄膜晶体管的多层存储设备。所述多层存储设备包括有源电路单元和有源电路单元上形成的存储部件。行线和列线形成在存储层上。选择晶体管形成在行线和列线的侧端。

公开(公告)号：CN101527318A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200810179474.1

申请日：2008-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  朴永洙 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种晶体管及其制造方法。根据示例实施例的晶体管可以包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的端部；栅电极，与沟道层分开；栅极绝缘层，设置在沟道层和栅电极之间；和/或插入层，形成在沟道层和栅极绝缘层之间。插入层的功函数可以与沟道层的功函数不同。