具有带去耦合的每像素模拟沟道阱隔离的成像探测器

    公开(公告)号:CN104272460B

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201380022623.2

    申请日:2013-04-11

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种成像装置(400),其包括:具有至少一个探测器片块(418)的探测器阵列(412)。所述探测器片块包括具有被定位在非光敏区域(426)内的独立光敏探测器像素(424)的二维阵列的光传感器阵列(422),以及耦合到所述光传感器阵列的读出电子器件(432)。所述读出电子器件包括与所述独立探测器像素相对应的独立模拟读出沟道阱(602,604),其中,模拟读出沟道阱将其中的模拟电气部件与其他模拟读出沟道阱中的模拟电气部件电气隔离。去耦合电路被任选地定位在所述独立模拟读出沟道的金属层中的至少一层中或者被定为在所述独立模拟读出沟道阱中。

    用于电磁射线的成像装置

    公开(公告)号:CN105280659A

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201510412063.2

    申请日:2015-07-14

    IPC分类号: H01L27/146

    CPC分类号: H01L27/14661 A61B6/4241

    摘要: 本发明涉及用于电磁射线的成像装置(1),尤其是用于伦琴和/或伽马射线,该装置包括由一定数量的检测元件(4)、一定数量的读取电路板(6)和基础电路板(8)所组成的叠片结构,其中,该检测元件(4)或者每个检测元件(4)通过多个第一焊接接触(16)分别与读取电路板(6)电接触,其中,该读取电路板(6)或者每个读取电路板(6)具有多个通孔接触(20),并且其中,该读取电路板(6)或者每个读取电路板(6)通过多个第二焊接接触(24)而与基础电路板(8)电接触。

    集成的二极管DAS探测器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105051900A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201480019621.2

    申请日:2014-04-04

    IPC分类号: H01L27/146 H01T1/20

    摘要: 改进的成像系统被公开。更确切地,本公开提供了用于成像系统的改进的图像传感器组装件,所述图像传感器组装件具有集成光电探测器阵列,及在相同衬底上制作的它的关联的数据采集电子器件。通过与光电探测器阵列在相同衬底上集成电子器件,这从而减少了制作成本,和减少了互连复杂度。因为光电二极管触点和关联的电子器件在相同衬底/平面上,这从而大体上除去了某些昂贵的/耗时的处理技术。此外,邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处提供精细得多的分辨率的探测器组装件,因为电子器件和光电探测阵列间的互连瓶颈被大体上除去/减少。邻近或接近于光电探测器阵列的电子器件的共处还能够实现/帮助可编程像素配置,以用于最佳的图像质量。

    具有带去耦合的每像素模拟沟道阱隔离的成像探测器

    公开(公告)号:CN104272460A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201380022623.2

    申请日:2013-04-11

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 一种成像装置(400),其包括:具有至少一个探测器片块(418)的探测器阵列(412)。所述探测器片块包括具有被定位在非光敏区域(426)内的独立光敏探测器像素(424)的二维阵列的光传感器阵列(422),以及耦合到所述光传感器阵列的读出电子器件(432)。所述读出电子器件包括与所述独立探测器像素相对应的独立模拟读出沟道阱(602,604),其中,模拟读出沟道阱将其中的模拟电气部件与其他模拟读出沟道阱中的模拟电气部件电气隔离。去耦合电路被任选地定位在所述独立模拟读出沟道的金属层中的至少一层中或者被定为在所述独立模拟读出沟道阱中。

    放射线检测器模块
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102844680A

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201180019086.7

    申请日:2011-01-27

    IPC分类号: G01T1/20 H01L27/14 H01L31/09

    摘要: 放射线检测器模块(10A)包括:闪烁器,其将自规定方向入射的放射线转换成光;二维PD阵列(12),其接收来自闪烁器的光;连接基板(13),其层叠电介质层(130a~130f)而成,且在一个板面上搭载二维PD阵列(12);及集成电路器件(14),其搭载于连接基板(13)的另一个板面上,读取自二维PD阵列(12)输出的电信号。集成电路器件(14)具有相互隔开的多个单位电路区域(14b)。连接基板(13)包含多个贯通导体(20)、及与多个贯通导体(20)分别一体地形成并且相互隔开的多个放射线屏蔽膜(21a~23a)。由此,能够以简易的构成保护集成电路器件的读取电路以防放射线。