公开(公告)号：CN101609814B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN200910145884.9

申请日：2009-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴尚容 ,  沈载煌 ,  李宁浩 ,  朴载宽 ,  文庆烈

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及存储系统的形成方法。在半导体器件的形成方法中，特征层设置在衬底上，掩模层设置在特征层上。去除掩模层在半导体器件的第一区中的部分并保留在半导体器件的第二区中的掩模层，其中在第一区要设置特征层的精细特征，在第二区要设置特征层的宽特征。在第一区中的特征层上及第二区中的掩模层上设置模制掩模图案。设置间隔体层在第一区及第二区中的模制掩模图案上。实施刻蚀工艺以刻蚀间隔体层从而在模制掩模图案的图案特征的侧壁处保留间隔体，及实施刻蚀工艺来刻蚀在第二区中的掩模层以在第二区中设置掩模层图案。利用第二区中的掩模层图案及第一区中的间隔体作为刻蚀掩模来刻蚀特征层。

公开(公告)号：CN102403267A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110263129.8

申请日：2011-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈载煌 ,  李钟旻 ,  成晧准

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/522 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件是非易失存储器件，形成该非易失存储器件的方法包括：提供设置在第一绝缘层中并设置在半导体基板上的导电柱，在第一绝缘层上提供蚀刻停止层，在蚀刻停止层上设置模层，以及在模层中形成凹槽。凹槽分别沿第一方向在导电柱上方延伸。该方法还包括利用凹槽来图案化蚀刻停止层以形成分别与导电柱相应的孔，以及将金属填充到凹槽和孔中。在孔中的金属接触导电柱。

公开(公告)号：CN101764122A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200910266337.6

申请日：2009-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴荣周 ,  闵在豪 ,  金明哲 ,  金东灿 ,  沈载煌

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/482 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种具有窄导线图案的半导体装置及其形成方法，其中使用双图案化，多个图案同时形成为具有不同宽度且某些区域的图案密度增加。该半导体装置包括多条导线，每条导线包括第一线部分和第二线部分，其中第一线部分沿第一方向在基板上延伸，第二线部分从所述第一线部分的一端沿第二方向延伸，并且第一方向与第二方向不同；多个接触垫，每个接触垫经由相应导线的第二线部分与多条导线中的相应导线相连；以及多条虚设导线，每条虚设导线包括第一虚设部分，该第一虚设部分沿第二方向从多个接触垫的相应接触垫平行于相应第二线部分延伸。

公开(公告)号：CN101174579A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710166864.0

申请日：2007-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权城铉 ,  沈载煌 ,  郭东华 ,  金周泳

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

Abstract: 示例性地公开了一种制造具有精细接触孔的半导体的方法。该方法包括在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层。在具有隔离层的半导体衬底上形成层间电介质层。在所述层间电介质层上形成第一模塑图案。还形成第二模塑图案，其位于所述第一模塑图案之间并与其相间隔开。形成包围第一模塑图案和第二模塑图案的侧壁的掩模图案。通过去除第一模塑图案和第二模塑图案来形成开口。通过利用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻层间电介质层，来形成接触孔。

公开(公告)号：CN101165875A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710181855.9

申请日：2007-10-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭东华 ,  朴载宽 ,  沈载煌 ,  金镇瑚 ,  金奇南

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529

Abstract: 在一个实施例中，半导体器件包括奇数接触和各个奇数线。通过执行刻蚀工艺，在奇数线的侧壁上形成隔层，并且形成用于偶数线的偶数开口。在偶数开口中形成偶数接触并且随后形成偶数线。