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公开(公告)号：CN114761609A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080083116.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 该Ag合金溅射靶的特征在于，由如下组成的Ag合金构成：含有Ge、In及S且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，所述Ag合金中的S的含量为1质量ppm以上且150质量ppm以下。所述Ag合金优选在0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In、在0.1质量％以上且7.5质量％以下的范围内包含Ge。
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公开(公告)号：CN113166921A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980076856.8
申请日：2019-12-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , C22F1/00 , C22F1/14
Abstract: 本发明以0.05原子％以上且5.00原子％以下的范围含有In，并且Pd的含量为40质量ppm以下、Pt的含量为20质量ppm以下、Au的含量为20质量ppm以下、Rh的含量为10质量ppm以下、且Pd、Pt、Au及Rh的总含量为50质量ppm以下，剩余部分由Ag与不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN111587300A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201980007189.8
申请日：2019-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Ag合金溅射靶的特征在于，具有如下组成：在合计0.1质量％以上且1.5质量％以下的范围内包含In及Sn中的至少一种以上，且剩余部分为Ag及不可避免的杂质，在Ar气体压力0.1Pa、电流密度1.5W/cm2、累计电量0.01kWh/cm2的条件下实施溅射后的靶溅射面的算术平均表面粗糙度Ra设为7μm以下。
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公开(公告)号：CN105793449B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201580002653.6
申请日：2015-03-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01B1/02
Abstract: 该Ag合金膜含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In、1质量ppm以上且50质量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成。该溅射靶含有0.1质量％以上且1.5质量％以下的In、1质量ppm以上且50质量ppm以下的Cu，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且氧浓度小于50质量ppm，溅射面的面积为0.25m2以上，Cu的面内浓度分布DCu(＝(σCu/μCu)×100)为40％以下。
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公开(公告)号：CN104995329B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480004353.7
申请日：2014-03-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/0021
Abstract: 一种银合金溅射靶，具有如下成分组成：包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105378140B
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480038329.5
申请日：2014-05-27
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/3414 , H01B1/02
Abstract: 本发明提供一种能够稳定地进行DC溅射的Ag合金溅射靶。本发明的Ag合金溅射靶具有含有0.1～1.5质量％的In且剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成的组成，氧浓度为50质量ppm以下，在靶的厚度方向整个区域，通过超声波探伤装置测定的空隙压坏部的面积率相对于溅射表面的面积为1.0×10‑4以下。
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公开(公告)号：CN105525262A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510655265.X
申请日：2015-10-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明提供一种溅射靶及层叠膜，本发明的溅射靶包含30质量％以上且50质量％以下的Zn、5质量％以上且15质量％以下的Ni、2质量％以上且10质量％以下的Mn，还包含共计0.001质量％以上且0.2质量％以下的选自Fe、Sn、Sb的一种或两种以上的元素，剩余部分由Cu和不可避免杂质构成。
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公开(公告)号：CN104246002B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280071819.6
申请日：2012-11-14
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 小见山昌三
IPC: C23C14/34 , B21C1/00 , B21C23/00 , B21C23/08 , C22C5/06 , C22F1/14 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/26 , C22F1/00
CPC classification number: C23C14/3414 , B21C23/002 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J2237/332 , H01L51/5228
Abstract: 本发明的银系圆筒靶材的特征在于，其由银或银中固溶有添加成分的单相银合金构成，在包括圆筒的中心轴的截面上，沿所述中心轴的方向上的晶粒的直径A和与所述中心轴正交的方向上的所述晶粒的直径B之比A/B为0.8～1.2，含氧量为100ppm以下，非金属夹杂物含量为20ppm以下。
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公开(公告)号：CN103443323B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201280013584.5
申请日：2012-04-02
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , H01L51/0021
Abstract: 本发明提供一种导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶随着靶的大型化，即使向靶投入大功率也能够抑制喷溅，并且能够形成耐蚀性及耐热性优异、且低电阻的膜。导电性膜形成用银合金溅射靶由具有含有合计为0.1～1.5质量%的Ga、Sn中的一种或两种且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成的银合金构成，或者由具有还含有0.1～1.5质量%的In的成分组成的银合金构成，银合金晶粒的平均粒径为120～400μm，或含有In时为120～250μm，晶粒的粒径的偏差在平均粒径的20%以下。
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公开(公告)号：CN102165596B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980137645.7
申请日：2009-09-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 株式会社爱发科
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78621
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-钙浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu层，含氧-钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％、氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。本发明的薄膜晶体管的另一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu合金层，含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层为具有浓缩层的铜合金基底层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％；从Al、Sn及Sb中选择的1种或2种以上共计1-10摩尔％；氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。
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