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公开(公告)号：CN104259153B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410356934.9
申请日：2014-07-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种炉管清洗工艺，包括：利用二氯乙烯对炉管进行清洗的步骤，还包括：利用升温湿氧工艺对炉管进行清洗的步骤，所述升温湿氧工艺利用水蒸汽将炉管中的金属污染物带走，所述升温湿氧工艺包括：升温步骤，用于将炉管进行升温至第一温度，并通入氢氧点火后形成的水汽；稳定步骤，用于将炉管维持所述第一温度并持续一段时间，并通入氢氧点火后形成的水汽；降温步骤，用于将炉管从所述第一温度降低至第二温度，并通入氢氧点火形成的水汽。本发明利用二氯乙烯工艺与升温湿氧工艺分别对炉管进行清洗，将炉管中的金属污染最大程度的降低。
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公开(公告)号：CN107248491A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710448025.1
申请日：2017-06-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171
摘要： 本发明提供一种离子束的注入角度的校正方法。通过以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束。之后获取衬底部的晶格损伤度。再以不同的离子束的注入角度和衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线和第二二次曲线。再根据第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度和第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度调整离子束的注入方向。实现了在相互垂直的平面中分别检测离子束的注入角度的偏差，并调整所述偏差，提高了离子束的注入角度校正的准确性，同时便于调整离子束的注入角度。
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公开(公告)号：CN106435520A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611059866.5
申请日：2016-11-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/4408 , C23C16/4412
摘要： 本发明公开了一种炉管尾气处理管道，在外管内并列设有第一、第二内管，第一、第二内管独立设有加热元件，并可通过设于其两端的分路切换阀的切换择一地与外部导通，外管两端连接有接头，接头独立设有加热元件，第一、第二内管分别设有进水口和出水口，用于进出清洗介质；本发明可有效减少副产物在管道内的堆积，降低管道堵塞的几率，保护炉管中工艺产品的安全性；并且自带清洗的功能可使得管道在安装后无须经常更换和清洗，减少了设备的宕机时间。
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公开(公告)号：CN106373846A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611009755.3
申请日：2016-11-16
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1472 , H01J2237/151 , H01J2237/31705
摘要： 本发明提出一种晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，包括下列步骤：由离子源产生离子并经过与镁炉交换电子变为负离子；负离子通过加速后与气体交换电子重新变更为正离子；所述正离子通过加速后，通过能量筛选电磁场筛选出满足注入能量的束流；在所述能量筛选电磁场后增加对束流垂直方向偏转一定角度的电场来消除金属污染。本发明提出的晶圆高能离子注入机金属污染改善方法，通过在能量筛选电磁场后，增加一个对束流垂直偏转方向的电场，筛选出需要的能量源种束流，将不满足能量要求的金属等注入消除，从而降低金属污染。
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公开(公告)号：CN105867338A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610355192.7
申请日：2016-05-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G05B19/418 , H01J37/317 , H01J37/32
CPC分类号： Y02P90/02 , G05B19/4183 , G05B19/41865 , H01J37/3171 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种离子注入机的智能工艺互锁控制方法及系统，该方法包括如下步骤：收集经过离子注入机的不同工艺产品不同工艺层次的不同工艺过程参数和根据该些工艺过程参数进行离子注入的工艺产品的测量参数；对该些参数进行实时动态分析与处理，将处理后的信息反馈至工艺互锁控制单元；动态优化和调节工艺过程参数，实时采用优化和调节过的工艺过程参数进行离子注入工艺，通过本发明，可提高离子注入工艺的控制精确度，降低时间和人力成本，提高工艺稳定性和产品良率。
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公开(公告)号：CN105719983A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610088975.3
申请日：2016-02-17
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/12
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一栅氧化层厚度实时监控方法，在栅氧化层制备完成并测量其物理厚度D1后，定义第一自然氧化层厚度DOX1和第二自然氧化层厚度DOX2，监控栅氧化层的实时厚度D＝D1+DOX1+DOX2。该方法综合考虑栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间Q?Time，以及多晶硅栅沉积工艺中沉积区域氧气浓度O2?Density对栅氧化层自然氧化速度的影响，实现对栅氧化层实际厚度的精确监控。与现有技术相比，能够根据工艺进度、工艺条件以及工艺时间，精确监控栅氧化层的实时厚度，与传统的栅氧化层物理厚度实际测量相比，更为细致和精确，避免物理厚度监控与最终实际电性厚度不符而失去监控意义，从而提高工艺质量，保障器件性能。
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公开(公告)号：CN103400780B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310354782.4
申请日：2013-08-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。
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公开(公告)号：CN103295880B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310220481.2
申请日：2013-06-04
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033
摘要： 本发明涉及一种多晶硅炉管工艺中控片的改进结构及其制备方法和使用方法，其中，控片制备方法包括以下步骤：于一硅衬底的上表面上制备一保护层；于保护层上表面上制备二氧化硅薄膜。该制备方法构成本发明中控片的改进结构。使用方法包括以下步骤：步骤1、对控片前值测量；步骤2、判断前值是否超出规定；若超出规定，则进行步骤3；若未超出规定，进行步骤6；步骤3、去除控片的二氧化硅薄膜和保护层；步骤4、制备保护层覆盖硅衬底；步骤5、制备二氧化硅薄膜覆盖保护层，并对控片进行步骤1；步骤6、对控片进行多晶硅炉管工艺；步骤7、去除多晶硅层和二氧化硅薄膜，并进行步骤4、步骤5。本发明有效解决了衬底与酸液直接接触的问题。
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