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公开(公告)号：CN109524456A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811377428.2
申请日：2018-11-19
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/45 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/324 , H01L29/45
摘要： 本发明提供了一种适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制作技术领域，包括以下步骤：清洗碳化硅圆片；光刻定义欧姆接触区域；在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属依次为镍、钨，或者为，镍、铌；金属剥离，制备金属电极；欧姆接触退火形成欧姆接触电极。本发明提供的适用于高温的碳化硅欧姆接触制作方法，欧姆接触电极的表面形貌平整，无碳颗粒析出，并且在高温下欧姆接触性能不发生退化。
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公开(公告)号：CN108389791A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810168889.2
申请日：2018-02-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/335 , H01L29/40 , H01L29/778
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO2层；去除所述SiO2层中与第一区域对应的部分；所述SiO2层剩余的区域中与第二栅漏区对应的部分朝向所述栅电极区的表面为具有第一倾斜角度的斜面；依次去除所述SiO2层和SiN层与源电极区对应的部分和漏电极区对应的部分；在所述器件的上表面与源场板区对应的部分生长第三厚度的金属层；所述金属层覆盖所述SiO2层与所述第二栅漏区对应部分的斜面。通过本发明制备的场板结构为楔形结构，能够显著提高管芯击穿电压和抑制电路崩塌的作用，从而显著提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN103269204A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310126704.9
申请日：2013-04-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03F3/20
摘要： 本发明公开了一种用于大功率合成的多级3dB电桥电路，涉及波导型耦合器件技术领域。输入耦合电路的输入端依次经第一级输入耦合微带线、第一级输入3dB电桥、第二级输入3dB电桥、第二级输入耦合微带线与输入端匹配网络电路连接，所述输入耦合电路的输入端为所述多级3dB电桥电路的输入端，所述输入端匹配网络电路的输出端与场效应管的栅极连接，所述场效应管的漏极依次经输出端匹配网络电路、第二级输出耦合微带线、第二级输出3dB电桥、第一级输出3dB电桥与第一级输出耦合微带线连接，第一级输出耦合微带线连接后作为所述多级3dB电桥电路的输出端。所述电路具有工作稳定，可用于制作大功率微波模块。
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公开(公告)号：CN102023238A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010530694.1
申请日：2010-11-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种用于SiC MESFET直流测试的夹具，属于场效应晶体管测试领域。其包括布有滤波电路的PCB板和承载所述PCB板的金属板；所述金属板设有用于固定被测SiC MESFET器件的凹槽，所述PCB板设有与上述凹槽对应的通孔；所述滤波电路包括栅极滤波电路和漏极滤波电路，所述栅极滤波电路和漏极滤波电路的输出端分别通过偏置线与栅极传输线和漏极传输线连接，所述栅极传输线和漏极传输线的一端分别设有与被测SiC MESFET器件的栅极和漏极连接的触点，所述栅极传输线和漏极传输线的另一端分别设有防自激模块。本发明通过防自激模块，可以消除器件自激现象；提高了器件的测试效率，同时为器件特性的表征积累了宝贵数据。
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公开(公告)号：CN211986710U
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202020368059.7
申请日：2020-03-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型提供了一种家庭深度隔离口罩，属于传染病隔离装置技术领域，包括口罩体、负压风机、加热组件和电源组件，口罩体用于至少严密罩设使用者的口鼻部位，且设有进气口和排气管；负压风机设在所述排气管上，用于将所述口罩体内的空气引出、使所述口罩体内形成空气流动；加热组件设在所述排气管上，用于产生高温对流过所述排气管的空气进行高温灭活；电源组件分别与所述负压风机和所述加热组件电连接，用于供电。本实用新型能将疑似病人等使用者的口鼻部位与外界隔离，并通过负压风机保持使用者呼吸顺畅，再通过加热组件产生的高温高效迅速地杀灭细菌病毒，实现对使用者的深度隔离，且整体结构简单，使用起来安全可控。
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公开(公告)号：CN213098968U
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202020368098.7
申请日：2020-03-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本实用新型提供了一种家庭简易深度隔离装置，属于传染病隔离装置技术领域，包括罩体、负压风机和加热组件，罩体用于至少严密罩设使用者的上半身，且设有进气口和排气口；负压风机设在排气口上，用于将罩体内的空气引出、使罩体内形成空气流动；加热组件设在排气口上，用于产生高温对流过排气口的空气进行高温灭活。本实用新型通过罩体可以形成一个能够呼吸的小空间，将疑似病人等使用者与外界隔离，并且通过负压风机使罩体内的空气形成单向流通，保持使用者呼吸顺畅的同时使使用者接触过的空气汇集到排气口，再通过加热组件产生的高温高效迅速地杀灭细菌病毒，实现对使用者的深度隔离，降低其他人员被感染的风险，提高安全性。
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公开(公告)号：CN204142769U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420602752.0
申请日：2014-10-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本实用新型公开了一种微波器件测试用压紧装置，涉及半导体器件测试工具技术领域。包括压块和通过压块上的螺钉孔能与测试平台紧固的螺钉，所述压块绝缘材料构成，压块底面设有微波器件端脚压紧凸起和微波器件适配的器件凹槽。本实用新型能够保证微波器件在测试过程中与微带线始终压紧，保证微波器件测试的稳定性和准确性，以及微波器件的无损性，本实用新型结构简单、成本低廉、通用性强、易于实现，保证了相关科研生产顺利进行。
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公开(公告)号：CN202977396U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220723044.3
申请日：2012-12-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/687
摘要： 本实用新型公开了一种用微波类管壳装配的晶体管的高温反偏夹具，包括垫板、基板、垫脚、接头，接头固定在垫板上，垫板固定在基板上；接头通过高温导线和设置在热源外部的辅助电路相连接，垫板上设有管壳安装孔。本实用新型将辅助电路从原来的PCB板上分离出来，并置于热源外部，不但能有效保证辅助元件正常工作，而且也便于及时检测试验状况，延长了夹具的使用寿命，提高了工作效率；采用通用型的基板和多层设计，使得只需更换垫板，便可用于多种型号的样品试验，避免了整套更换，大大降低了成本。
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公开(公告)号：CN216698334U
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202122601268.9
申请日：2021-10-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/06 , H01L23/10 , H01L23/367 , H01L23/373
摘要： 本实用新型提供了一种密封功率器件金属陶瓷管壳，包括类矩形的金属热沉和陶瓷封装；金属热沉的两端分别设有连接部；陶瓷封装沿金属热沉的长轴方向设于金属热沉上，且位于两个连接部之间，具有适于封装功率器件的气密腔；其中，陶瓷封装于功率器件的安装位上设有散热部，散热部用于将功率器件散发的热量传递至金属热沉上，金属热沉上位于陶瓷封装和两个连接部之间的两个位置上均设有应力缓释部。本实用新型提供的一种密封功率器件金属陶瓷管壳，能够避免陶瓷封装及功率器件受到应力拉扯而破裂，且散热性能好，从而能够提高功率器件的长期使用可靠性。
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公开(公告)号：CN204142776U
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201420655369.1
申请日：2014-11-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01R1/04
摘要： 本实用新型公开了一种微波器件测试用扭环，涉及半导体器件测试技术领域。扭环外环壁的横截面为圆形，扭环内环壁的横截面为六边形，且与微波器件测试夹具输入、输出的同轴接头端子外形尺寸相适配，所述扭环的材质为聚四氟乙烯材料。本实用新型采用了带有网纹结构的聚四氟乙烯扭环，成功解决了测试夹具在测试过程中存在的连接不紧密的问题，保证器件测试稳定性、准确性及无损性，其制作成本低，易实现，保证了相关科研生产顺利进行。
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