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公开(公告)号：CN103022099A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310008968.4
申请日：2013-01-10
Applicant: 江苏物联网研究发展中心 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种IGBT的集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的N+型缓冲层和P+型集电极层，所述N+型缓冲层的表面包括阵列式的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部；P+型集电极层位于N+型缓冲层的岛状凸起部以及岛状凸起部之间的凹下部的表层。所述N+型缓冲层的阵列式的岛状凸起部和岛状凸起部之间的凹下部的面积比例能够根据IGBT器件的需要而调节设定。本发明还提出一种所述IGBT集电极结构的制备方法。本发明用于改善场截止型IGBT的性能。
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公开(公告)号：CN114843339A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210198004.X
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/47 , H01L29/739 , H01L21/31
Abstract: 本发明涉及一种非对称沟槽栅IGBT器件，该器件通过在非导电侧P阱区(即第一P阱区)上方制作肖特基接触，从而形成一定势垒，阻止空穴直接从接地的P阱区逸出，提升空穴浓度，从而显著降低器件的正向导通压降，减少通态损耗，显著增强器件的导电能力，同时击穿电压与栅极氧化物电场没有退化。本发明还涉及所述非对称沟槽栅IGBT器件的制备方法，该制备工艺简单。
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公开(公告)号：CN114843186A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110145212.9
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅电力电子器件制备方法，包括：在碳化硅衬底上制备氧化层，并进行氮化处理；对所述氧化层和所述衬底与所述氧化层之间的界面进行氧离子注入；执行后序工艺，形成所述碳化硅电力电子器件。本发明提供的碳化硅电力电子器件制备方法用以解决现有技术中碳化硅电力电子器件存在的高界面态密度和高氧化层缺陷的技术问题。
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公开(公告)号：CN114843185A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110145208.2
申请日：2021-02-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/331 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件的制备方法，包括：在碳化硅衬底上制备氧化层；在温度为900℃～1100℃的氧气氛围中进行热退火处理；进行后续工艺，形成所述碳化硅器件。本发明公开的碳化硅器件的制备方法用以解决现有技术中碳化硅器件氧化层及氧化层与碳化硅衬底之间界面的质量不佳的技术问题，实现了提高碳化硅器件氧化层及界面质量，进而提高器件的稳定性和可靠性的技术效果。
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公开(公告)号：CN114334644A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011072990.1
申请日：2020-10-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种半导体材料掺杂后退火的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体材料；在半导体材料上形成覆盖层；对形成有覆盖层的半导体材料进行掺杂；将掺杂后的半导体材料放入反应腔，调节微波输入功率以及气体压强，以激发反应腔中的反应气体产生等离子体，并基于等离子体对掺杂后的半导体材料进行退火处理；在退火处理后，去除覆盖层。上述方法提供了一种完全不同于传统热退火的全新的退火方式，通过激发等离子体来实现退火，从原理及工艺上实现了对现有退火方法的改进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112103345A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011003179.8
申请日：2020-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种SiC功率MOSFET器件，属于半导体器件技术领域，用以解决现有技术中SiC功率MOSFET器件在宇宙诱导的重离子影响下产生局部区域温度过高导致单粒子烧毁效应的问题。上述SiC功率MOSFET器件，包括衬底、层叠于衬底上的漂移层以及位于衬底和漂移层之间多层缓冲层，漂移层、缓冲层和漂移层的掺杂浓度依次递减，沿衬底至漂移层方向，多层缓冲层的掺杂浓度逐渐减小。本发明的SiC功率MOSFET器件可用于模拟电路和数字电路中。
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公开(公告)号：CN109545687B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811349491.5
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体氧化的凹槽MOSFET器件制造方法，包括：步骤一、提供具有凹槽结构的碳化硅衬底，并将其放在微波发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下将其电离，产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成凹槽侧壁与凹槽底部厚度相等的氧化层，其中，当碳化硅衬底电压为负值时，氧离子到达碳化硅界面，并与碳化硅发生氧化反应，之后改变交流电压偏置方向，电子到达界面，与界面处残留的碳簇反应，生成CO；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以有效地去除碳化硅氧化时界面残留的碳簇，改善界面质量，修复界面损伤，并且能够形成均匀的栅介质层。
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公开(公告)号：CN109494147B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201811349424.3
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：步骤一、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述氧等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成预定厚度的氧化层，其中，碳化硅衬底电压为负时，氧离子靠近界面与碳化硅发生氧化反应，碳化硅衬底电压为正时，电子靠近界面与碳化硅发生还原反应，将碳残留去除；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以实现对碳化硅氧化层的实时修复，有效减小碳残留，改善界面质量，减小氧化层中的缺陷中心对载流子的散射作用。
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公开(公告)号：CN109461659A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811324116.5
申请日：2018-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 上海汽车集团股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体制造领域。其制备方法包括：通过对P阱层和N+源极区位置的部分表面SiC材料进行过刻蚀；刻蚀源极接触窗口，并在所述P阱层和N+源极区表面溅射源极金属以形成欧姆接触。本发明通过对P阱层表面进行刻蚀，使高浓度P阱区能够与源极金属实现直接欧姆接触，不仅优化了电流传输路径，且无需高剂量的P+注入，减少注入损伤，降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN108063088A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711041879.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明提供了一种SiC衬底的图形化方法。该图形化方法包括以下步骤：S1，在SiC衬底的表面形成刻蚀窗口，对应刻蚀窗口的SiC衬底的表面裸露；S2，形成覆盖于刻蚀窗口的金属层，使与SiC衬底接触的金属层与SiC衬底发生硅化反应形成合金过渡层；以及S3，湿法腐蚀去除合金过渡层和未反应的金属层，得到腐蚀区域与刻蚀窗口对应的图形化衬底。上述图形化方法能够使图形化后的SiC衬底能够具有较大的腐蚀深度；并且，上述图形化方法所采用的工艺与现有Si工艺相兼容，也能够兼顾各向同性和各向异性的腐蚀形貌需求；另外，由于上述图形化方法主要采用湿法腐蚀，从而能够有效地避免干法刻蚀工艺对衬底材料带来的刻蚀损伤。
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