-
公开(公告)号：CN114232099A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111166654.8
申请日：2021-10-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用，化学式为[K3Cl][MnGa6S12]。具有非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为P31c。晶胞参数为α＝90.0°，β＝90.0°，γ＝120.0°，V＝638.0～638.1，Z＝1。
-
公开(公告)号：CN113061989A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110292656.5
申请日：2021-03-18
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体RbSb5S8及其制备方法、应用。所述的无机化合物晶体的化学式RbSb5S8，属于单斜晶系，空间群为Pn。晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝91.822(2)°，Z＝2。该无机化合物晶体RbSb5S8的非线性效应是商用AgGaS2的1.1倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的7.1倍，非线性开光比是665，开关的可逆性良好，该化合物同时具有良好的NLO性能和开关性能，是潜在的红外非线性光学开关材料，在光学领域具有极好的应用价值。
-
公开(公告)号：CN110284196B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201910671325.5
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开一种含锂晶体材料及其制备方法和应用，属于二阶非线性光学材料及制备技术领域。所述含锂晶体材料具有化学式AxBayLiz(Ga4S7)n；其中A选自K、Rb和Cs中的至少一种，x+2y+z＝2n，n为2～7的整数。所述方法包括：将含有钡元素、镓元素、硫元素、锂元素和AX的原料在真空条件下置于反应温度下反应，冷却；其中AX中的X选自F、Cl、Br和I中的一种。本申请的含锂晶体材料具有改善的红外非线性光学性能，可应用于激光器中。本申请的方法工艺步骤简单，所得晶体材料的纯度高、结晶度好且收率高，适合大规模工业化生产。
-
公开(公告)号：CN105755542B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610316492.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料、其制备方法及作为红外非线性光学晶体材料的应用。所述晶体的化学式是AGexQy；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中的至少一种；Q选自S或Se；x＝1～2，y＝3～5。所述晶体材料具有优异的红外非线性光学性能。实验测定其非线性效应是商用AgGaS2的1～15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～20倍。与目前商用的红外非线性晶体相比，本申请所述晶体材料的非线性光学性能有很大的提高，在大功率激光器领域具有重要商业应用价值。
-
公开(公告)号：CN108385165A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810338698.6
申请日：2018-04-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种二阶非线性光学材料，其特征在于，具有化学式：ABaxX1+2x-mGamS2m；其中，A选自碱金属中的至少一种，X选自卤族元素中的至少一种；x为1、2或3；m为1、2、3、4或5中的任一正整数；所述二阶非线性光学材料，在红外波段的至少一个波长处满足相位匹配。该材料的倍频系数是商用AgGaS2的0.5～10倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～50倍，性能有很大的提高，是潜在的红外非线性光学材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105951181A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610331499.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/10 , G02F1/3551
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为：BaCdSnS4；所述晶体材料属于正交晶系的Fdd2空间群，Z＝16。该晶体材料作为非线性光学晶体使用，其非线性效应是商用AgGaS2的1～5倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1～8倍，是同时具有大非线性系数和高激光损伤阈值的新型中远红外非线性晶体材料。
-
公开(公告)号：CN118169782A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311870458.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02B1/08
Abstract: 本申请公开了一种卤化汞在双折射率材料中的应用，属于材料技术领域。所述卤化汞的化学结构式为HgX2，X选自卤族元素Cl、Br或I。本申请将HgX2晶体作为双折射率材料应用时，其具有宽的透过波长，从紫外延伸至在中远红外波段(0.35～20.0μm)，具有大的双折射率(0.15～0.3)，具有二元化合物的特征，具有优良的晶体生长习性；HgX2晶体可以作为潜在的双折射率材料使用，拓展了双折射率材料的使用范围，该材料具有良好的市场前景。
-
公开(公告)号：CN117926420A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311870510.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种含盐包硫属化合物材料及其制备方法与作为非线性光学材料的应用，属于激光技术领域。所述含盐包硫属晶体材料，化学式为[A3BaX][M8Q14]；其中，A选自Na、K、Rb、Cs中任一种；X选自F、Cl、Br、I中任一种；M为Ga或In；Q选自S、Se、Te中任一种。该含盐包硫属晶体材料，其NLO效应是商用AgGaS2的0.2‑15倍，激光损伤阈值是商用AgGaS2的1‑55倍，综合性能有很大的提高，是潜在的红外NLO材料。
-
公开(公告)号：CN117926417A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311866353.5
申请日：2023-12-29
Applicant: 闽都创新实验室 , 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域。所述晶体材料的化学式为：A4XGa9Q15；A选自碱金属Li或Na；X选自卤族元素Cl、Br或I；Q选自硫族元素S、Se或Te；Ga为金属镓；晶体结构为非中心对称结构，空间群为R3，属于三方晶系；晶体材料A4XGa9Q15在1910nm的激光照射下的倍频效应是商业化AGS的0.7～2.0倍，其LIDT是商业化AGS的7.0～15.0倍；其粉末红外透过范围是0.5～25.0μm；其带隙值是2.8～3.4eV；具有优良的非线性光学性能，是一种新型的红外非线性光学材料。
-
公开(公告)号：CN115938520B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202211703463.5
申请日：2022-12-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F113/26
Abstract: 本发明属于材料细分领域，尤其是一种用于电子结构分析的密度矩阵模型方法，包括：建立参数#imgabs0#的电子密度矩阵模型，计算出每个衍射点的理论X射线衍射强度和每个动量的康普顿散射轮廓的理论值；通过X射线单晶衍射实验，获得每个衍射点的实验强度I实验；通过X射线康普顿散射实验，获得每个动量的康普顿散射轮廓J实验；建立理论强度与实验强度的差函数；采用最小二乘法计算出差值函数中的最小值，最终获得最优模型的参数#imgabs1#通过本发明得到材料分析领域精修后的电子结构；后续依据该电子结构进行拓扑分析和材料设计更加精准。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
77
records
(took 0.032 seconds)
