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公开(公告)号：CN103779271B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201210415193.8
申请日：2012-10-26
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种倒锥形轮廓刻蚀方法，包括以下步骤：(a)在衬底上依次形成底层金属连线和绝缘介质层；(b)在所述绝缘介质层上形成光刻胶的刻蚀图案；(c)对所述绝缘介质层进行第一次干法刻蚀，去除底层金属连线上方的部分绝缘介质层，在所述绝缘介质层上形成开口；(d)去除光刻胶，露出所述绝缘介质层的上表面；(e)对绝缘介质层进行第二次干法刻蚀，去除底层金属连线上方的剩余绝缘介质层，形成绝缘介质层经刻蚀后的斜面与水平面之间的夹角为50°至70°，本发明通过两次刻蚀的工艺步骤，即第一次刻蚀、去光刻胶、第二次刻蚀的步骤，巧妙地获得更小的刻蚀角度，形成倒锥形轮廓，得到更大的金属填充开口。
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公开(公告)号：CN103854995B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201210521264.2
申请日：2012-12-06
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明提供一种改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置，实施于表面形成了底部抗反射层和硬掩膜层的衬底，包括以下步骤：以定义源功率的频率对底部抗反射层进行刻蚀，此时腔体压力小于50毫托；以偏置功率的频率对硬掩膜层进行刻蚀，此时腔体压力为300毫托至700毫托；所述定义源功率的频率范围为25MHz至120MHz，所述偏置功率的频率范围为1MHz至15MHz，使用本发明的改善侧壁条痕的刻蚀工艺及其装置进行底部介质隔离层的刻蚀时，光刻胶侧面的粗糙条痕没有往下传，避免了对聚合物层的表面和侧壁形成破坏，相比现有工艺，采用本发明的刻蚀结果聚合物层的表面和侧壁没有变粗糙和出现条痕，通孔的条痕大大改善。
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公开(公告)号：CN104682917A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310613328.6
申请日：2013-11-27
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种用于等离子体反应器的阻抗匹配网络，包括至少一电感和一可变电容单元，所述可变电容单元包括至少一个可变真空电容，所述可变真空电容包括两个平行的电极板，所述两电极板间设置一环形压电陶瓷板，所述环形压电陶瓷板连接一驱动电源，所述环形压电陶瓷板的中空区域设置一弧形电极板。本发明所述的阻抗匹配网络中的可变真空电容利用压电陶瓷材料的逆压电效应，在对压电陶瓷施加交变驱动电压时，压电陶瓷能迅速沿着电压加载方向发生伸缩运动，使弧形电极板相对另一极板的距离发生变化，进而迅速改变可变真空电容的电容值，实现真空可变电容能在微秒量级内大小调节，满足等离子体阻抗迅速随射频功率源输出改变的需要。
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公开(公告)号：CN103199058B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310139357.3
申请日：2013-04-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 刘志强
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明提供一种通孔的刻蚀方法，包括：将从下到上依次层叠的含有铜金属层的半导体衬底、刻蚀停止层和层间介质层的表面涂覆光刻胶，并放入反应腔内；对光刻胶和中间层介质进行刻蚀；经终端探测系统探测到层间介质层刻蚀完毕，调节偏压功率为零，通入含氟气体和辅助气体的混合气体对刻蚀停止层进行刻蚀，直至将铜金属层表面的刻蚀停止层去除。本发明通过在刻蚀过程中采用大量的辅助气体和少量的含氟气体所形成混合气体作为刻蚀气体，含氟气体起到主要的刻蚀作用，辅助气体起到移除刻蚀的侧壁上的聚合物和稀释气体的目的，同时配合零偏压功率，这样可以有效避免刻蚀过程中刻蚀不均匀的现象，从而提高刻蚀速率和刻蚀工艺的效率。
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公开(公告)号：CN103972055A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310039528.5
申请日：2013-01-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/31138
摘要： 本发明公开了一种光刻胶去除方法。其包括：采用主要含氧等离子工艺，去除介电层顶部平面的所有光刻胶以及刻蚀开口侧壁的部分光刻胶；采用主要既含氧，又含F或CL的等离子工艺，去除步骤1中溅射的介电颗粒，以及刻蚀开口侧壁经步骤1后刻蚀开口侧壁剩余光刻胶中的部分光刻胶；采用主要含氧等离子工艺去除刻蚀开口侧壁经过步骤1和2后剩余的所有光刻胶。通过形成刻蚀开口的过程中，在中间步骤等离子处理过程中在去除刻蚀开口内腔中部分光刻胶的同时，一并去除在前一等离子处理过程中溅射出的、沉积在光刻胶表面的介电颗粒。
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公开(公告)号：CN103785646A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201210422958.0
申请日：2012-10-30
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： B08B6/00
CPC分类号： B08B6/00
摘要： 本发明涉及一种反应腔室清洗方法，用于清洗等离子体处理工艺使用的反应腔室以及气体喷淋头表面堆积的聚合物，反应腔室下方设有静电卡盘，该方法包括如下步骤：向反应腔室中通入清洗气体；向反应腔室施加射频电源，并向静电卡盘施加一直流电源；其中，射频电源作用于清洗气体而产生等离子体，等离子体与聚合物反应而生成带电离子，直流电源的电压极性与带电离子的电极性相同；抽出反应腔室中的剩余物质。其在清洗过程中，有效避免聚合物在静电卡盘或下电极上的再次沉积，从而清洗效率明显提高，并能节省成本。
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公开(公告)号：CN103730315A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210384515.7
申请日：2012-10-11
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种改善等离子体刻蚀工艺的方法，所述上电极上连接一控温装置，控制所述上电极温度变化，在某一临界温度时，所述上电极的聚合物沉积速率和刻蚀速率相等，本发明所述的方法在刻蚀工艺的开始阶段，将所述上电极温度调节到第一温度，所述第一温度小于所述临界温度，此时中性自由基会在所述上电极表面沉积一层大分子聚合物，然后调节所述上电极温度到第二温度，所述第二温度大于所述临界温度，此时刻蚀反应速率大于所述沉积反应速率，上电极在第一温度条件下形成的大分子聚合物可以保护所述上电极不被等离子体刻蚀掉，从而在保证腔体条件正常的前提下延长所述上电极的使用寿命。
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公开(公告)号：CN103035508A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210593718.7
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一特征尺寸收缩方法，采用CO替代传统的碳氟化合物以及含H的碳氟化合物气体，作为特征尺寸收缩方法中的高分子聚合物气体，在低频射频功率下进行等离子体刻蚀，从而有效控制特征尺寸收缩过程中分子链长度和等离子体能量、密度，能够控制等离子体刻蚀形成的聚合物分子链长度，避免了等离子体刻蚀过程中长分子链聚合物的形成。同时，该特征尺寸收缩方法的等离子体刻蚀工艺在高压环境下进行，能够进一步改善刻蚀过程中聚合物沉积的物理轰击现象，从而有效避免条纹现象的出现，改善特征尺寸收缩后刻蚀结构的线边缘粗糙度，进一步提高工艺质量，实现特征尺寸的有效、高质量收缩。
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公开(公告)号：CN104682917B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310613328.6
申请日：2013-11-27
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明提供一种用于等离子体反应器的阻抗匹配网络，包括至少一电感和一可变电容单元，所述可变电容单元包括至少一个可变真空电容，所述可变真空电容包括两个平行的电极板，所述两电极板间设置一环形压电陶瓷板，所述环形压电陶瓷板连接一驱动电源，所述环形压电陶瓷板的中空区域设置一弧形电极板。本发明所述的阻抗匹配网络中的可变真空电容利用压电陶瓷材料的逆压电效应，在对压电陶瓷施加交变驱动电压时，压电陶瓷能迅速沿着电压加载方向发生伸缩运动，使弧形电极板相对另一极板的距离发生变化，进而迅速改变可变真空电容的电容值，实现真空可变电容能在微秒量级内大小调节，满足等离子体阻抗迅速随射频功率源输出改变的需要。
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公开(公告)号：CN103035508B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210593718.7
申请日：2012-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一特征尺寸收缩方法，采用CO替代传统的碳氟化合物以及含H的碳氟化合物气体，作为特征尺寸收缩方法中的高分子聚合物气体，在低频射频功率下进行等离子体刻蚀，从而有效控制特征尺寸收缩过程中分子链长度和等离子体能量、密度，能够控制等离子体刻蚀形成的聚合物分子链长度，避免了等离子体刻蚀过程中长分子链聚合物的形成。同时，该特征尺寸收缩方法的等离子体刻蚀工艺在高压环境下进行，能够进一步改善刻蚀过程中聚合物沉积的物理轰击现象，从而有效避免条纹现象的出现，改善特征尺寸收缩后刻蚀结构的线边缘粗糙度，进一步提高工艺质量，实现特征尺寸的有效、高质量收缩。
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