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公开(公告)号：CN106548914B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201510592306.5
申请日：2015-09-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/34 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/02
摘要： 本发明涉及一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法，在反应腔室的腔壁内侧布置移动环，并在所述移动环内设置电极；所述电极通过切换开关与射频电源连通，从而在由移动环限定的等离子体扩散范围的边缘区域形成边缘等离子体；或者，所述电极通过切换开关与接地电路连通，从而对反应腔室的腔壁屏蔽形成在反应腔室内的射频电场。本发明能够增强腔室边缘部件的清洗效果，或者实现对腔壁的射频屏蔽以改善刻蚀偏心的效果。
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公开(公告)号：CN103943447B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310017593.8
申请日：2013-01-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 一种等离子反应腔，包括：一个射频电源输出射频功率到所述等离子反应腔；一个等离子状态检测装置检测所述等离子反应腔内光学信号；一个脉冲信号发生器产生脉冲信号并输出到所述射频电源；其特征在于，所述等离子状态检测装置接收所述脉冲信号并处理所述检测到的反应腔内的光学信号。本发明能够在不同脉冲时间段内，根据不同脉冲阶段的功率特性对检测到的等离子光学信号作出及时的调整，最终获得稳定、可靠的光学信号及时反应等离子反应腔内的状态。
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公开(公告)号：CN103794458B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210421401.5
申请日：2012-10-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： C25D11/246 , C23C14/0021 , C23C14/083 , C23C14/30 , C23C14/32 , C23C28/044 , C25D11/24 , Y10T428/24355
摘要： 一种用于等离子体处理腔室的部件的增强型涂层，所述增强型涂层形成于未密封的阳极化处理表面上。在涂层形成之后，对涂覆了涂层的区域执行掩膜，并对剩余的阳极化处理表面进行密封。被阳极化处理的但未被密封的铝的多孔的和粗糙的结构增强了涂层的粘附力。然而，为了防止颗粒污染产生，曝露的阳极处理化表面在涂层形成之后被密封。涂层可为氧化钇，其由等离子体增强型原子沉积技术制造，以形成一致密和光滑的涂层。
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公开(公告)号：CN104733277A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201310718975.3
申请日：2013-12-23
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32908 , H01J37/32431
摘要： 一种等离子体刻蚀系统，包括，射频源、终点检测系统以及反应腔，所述终点检测系统包括光谱仪，所述光谱仪包括光栅，其中，所述射频源和所述光谱仪分别与所述反应腔连接，所述射频源和所述光谱仪并联连接；所述射频源由第一脉冲信号控制，所述光谱仪光栅的开关由第二脉冲信号控制，所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号同步。通过本发明提供的等离子体刻蚀系统能够检测脉冲等离子体刻蚀工艺的终点。
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公开(公告)号：CN103943447A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310017593.8
申请日：2013-01-17
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 一种等离子反应腔，包括：一个射频电源输出射频功率到所述等离子反应腔；一个等离子状态检测装置检测所述等离子反应腔内光学信号；一个脉冲信号发生器产生脉冲信号并输出到所述射频电源；其特征在于，所述等离子状态检测装置接收所述脉冲信号并处理所述检测到的反应腔内的光学信号。本发明能够在不同脉冲时间段内，根据不同脉冲阶段的功率特性对检测到的等离子光学信号作出及时的调整，最终获得稳定、可靠的光学信号及时反应等离子反应腔内的状态。
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公开(公告)号：CN103117203A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310073717.4
申请日：2013-03-08
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01J37/244
摘要： 本发明提供一种等离子体刻蚀工艺的处理装置及其方法。该方法包括交替循环的沉积和刻蚀工艺子过程，在每个子过程进行中，时间控制模块控制第一或第二输气阀的启闭，使该子过程的气体输送到工艺腔内，同时检测模块的检测单元检测工艺腔内气体浓度所形成的特征值，通过特征值确定气体的种类和浓度，检测模块的切换单元判断所述特征值是否达到预定的阈值，如果达到预定的阈值，则切换偏压电源输出满足该子过程的偏压功率。本发明将气体输送和偏压功率切换分别由时间控制模块和检测模块控制，通过检测模块监控，可以更精确地控制偏压功率切换时间，克服了气体输送和偏压功率切换时延迟时间不同造成的不同步，提高了整个工艺的稳定性和控制性。
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公开(公告)号：CN103117202A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310053655.0
申请日：2013-02-19
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理工艺的终点检测方法，该等离子体处理工艺包括多个周期性的等离子体处理步骤，所述终点检测方法包括以一定时间间隔采集等离子体处理工艺过程中特定波长的实时光信号强度以获取多个实时光信号强度取样值并建立具有周期性的实时光信号强度谱线；在所述实时光信号强度谱线的每一周期内定义一个平缓区；在每一平缓区内抽取一个光信号强度特征值；根据光信号强度特征值建立光信号强度特征谱线；以及根据光信号强度特征谱线确定等离子体处理工艺的终点。本发明还提供了一种等离子体处理工艺的终点检测装置。本发明有效提高对于等离子体周期性扰动的工艺终点检测的准确性。
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公开(公告)号：CN102260855A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110210146.5
申请日：2011-07-26
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种抗刻蚀层、半导体处理装置及其制作方法，所述半导体处理装置包括处理腔室，所述处理腔室用于通入源气体，对放置于处理腔室内的基片进行相应处理，且所述处理腔室还用于容纳等离子体，所述腔室内具有多个处理部件，所述半导体处理装置还包括：抗刻蚀层，覆盖于所述处理腔室和/或处理部件的暴露于等离子体的表面，所述抗刻蚀层用于抵抗等离子体的刻蚀和保护所述处理腔室和/或处理部件。本发明利用抗刻蚀层对处理腔室和处理部件进行保护，防止所述处理腔室和处理部件受到等离子体的损伤，并提高处理腔室和处理部件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN104681462B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310631392.7
申请日：2013-11-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明涉及一种静电卡盘加热测温电路，包括：第一回路，其上流通第一电流，第一电流流经一热敏电阻；第二回路，其上流通第二电流，第二电流或第一电流与第二电流之和流经一加热器，用于加热静电卡盘；一电压源，用于向第一回路与第二回路供电。其将加热电路和测温电路合为一个加热测温电路，简化了电路结构、使系统更加稳定可靠，且减少了对射频功率造成的损耗，提高了反应腔内等离子体的稳定性。
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公开(公告)号：CN103811296B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201210458267.6
申请日：2012-11-14
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本发明涉及一种关键尺寸控制系统以及等离子体处理装置，包括如第一温控装置和/或第二温控装置，第一温控装置与气体喷淋头接触，用于检测并调控气体喷淋头的温度，第二温控装置与接地环接触，用于检测并调控接地环的温度；以及控制单元，对应于第一温控装置和/或第二温控装置而生成如下控制信号中的至少一种：第一控制信号，用于控制第一温控装置调节气体喷淋头的温度；第二控制信号，用于控制第二温控装置调节接地环的温度。其通过对气体喷淋头和接地环的温度控制，实现了对晶圆不同区域的关键尺寸的调控，实现代价小，易于扩展应用。
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