公开(公告)号：CN101819363A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200910078643.7

申请日：2009-02-27

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  林承武 ,  陈旭 ,  谢振宇

IPC分类号： G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L33/08 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述栅线与数据线之间形成有第一绝缘层和第二绝缘层，所述像素电极设置在所述第一绝缘层与第二绝缘层之间。本发明通过设置两层绝缘层，并将像素电极设置在两层绝缘层之间，当像素电极与公共电极线或栅线形成存储电容时，存储电容两个电极板之间的距离只是第一绝缘层的厚度，存储电容两个电极板之间的距离大大减小，因此提高了单位面积存储电容。进一步地，由于本发明采用两层绝缘层结构，可以改善绝缘层与半导体层之间形成的界面，从而可以提高TFT特性。

公开(公告)号：CN101540298A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200810102426.2

申请日：2008-03-21

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 王章涛 ,  邱海军 ,  刘翔

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明涉及一种TFT－LCD阵列基板及其制造方法，制造方法包括：在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线图形；连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，通过第二次构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和掺杂半导体层图形，并形成TFT沟道；沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成钝化层和半导体层图形，并形成钝化层过孔；沉积透明导电层，通过第四次构图工艺形成像素电极，且像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。与现有技术采用狭缝光刻工艺的四次构图工艺相比，本发明可显著减少由狭缝光刻工艺所带来的各种像素不良，提高了TFT－LCD阵列基板的生产成品率和产品质量。

公开(公告)号：CN102263060B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201010189885.6

申请日：2010-05-24

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  刘圣烈 ,  薛建设

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器。其中，方法包括在衬底基板上形成电极线图案和像素电极图案，沉积一导电层，并通过构图工艺形成电镀电极；通过电镀工艺在所述电镀电极上电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案。本发明通过采用电镀工艺制作阵列基板上的金属铜薄膜材料的电极线图案，省去了现有技术中制作铜电极线图案最难的刻蚀工艺，解决了金属铜刻蚀效果差的问题，使得电镀形成的金属铜电极线图案非常致密、均匀，且导电性能好，黏附力强。

公开(公告)号：CN101813849B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200910078160.7

申请日：2009-02-19

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  刘翔 ,  陈旭 ,  林承武

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1333 ,  H01L31/18 ,  H01L31/042

CPC分类号： Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种彩膜基板及其制造方法和液晶面板。该彩膜基板包括：衬底基板；彩色树脂，分散形成在衬底基板上，各彩色树脂分别与阵列基板的像素区对应；太阳能电池形成在衬底基板上，且形成在各彩色树脂之间，太阳能电池邻近衬底基板一侧的第一电极采用透明导电材料制成，太阳能电池背离衬底基板一侧的第二电极采用非透光导电材料制成；绝缘层，覆盖在太阳能电池上；公共电极，覆盖在绝缘层和彩色树脂上。该制造方法用于制造本发明的彩膜基板。该液晶面板包括本发明的彩膜基板。本发明采用将太阳能电池集成到彩膜基板中作为太阳能电池的技术手段，以太阳能电池作为黑矩阵，提高了产品的集成度，减小了液晶面板的体积和重量，更便于携带。

公开(公告)号：CN101893977B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910084762.3

申请日：2009-05-19

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  陈旭 ,  刘翔

IPC分类号： G06F3/045 ,  H01L21/82

CPC分类号： G06F3/045 ,  G06F3/0414

摘要： 本发明涉及一种触摸屏、彩膜基板及其制造方法。触摸屏包括基板，所述基板上设置有形成数个触摸感受区域的数条第一信号线和第二信号线，所述第一信号线与第一压电开关连接，所述第二信号线与第二压电开关连接，所述第一压电开关和第二压电开关用于在触摸感受区域被触摸受压时导通，并分别通过所述第一信号线和第二信号线传递电压信号，以确定被触摸的触摸感受区域的位置坐标。本发明利用压电薄膜在受压时薄膜表面形成电荷的原理，采用信号线和压电开关的结构形式，具有结构简单、成本低、精度高和寿命长等优点。

公开(公告)号：CN101540298B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200810102426.2

申请日：2008-03-21

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 王章涛 ,  邱海军 ,  刘翔

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，制造方法包括：在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线图形；连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，通过第二次构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和掺杂半导体层图形，并形成TFT沟道；沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成钝化层和半导体层图形，并形成钝化层过孔；沉积透明导电层，通过第四次构图工艺形成像素电极，且像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。与现有技术采用狭缝光刻工艺的四次构图工艺相比，本发明可显著减少由狭缝光刻工艺所带来的各种像素不良，提高了TFT-LCD阵列基板的生产成品率和产品质量。

公开(公告)号：CN101656232B

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200810117997.3

申请日：2008-08-19

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔 ,  王章涛 ,  谢振宇 ,  陈旭 ,  林承武

IPC分类号： H01L21/84

摘要： 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括：在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；在基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，采用带有狭缝的半色调或灰色调掩模板通过第二次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道区域和像素电极的图形；在基板上沉积一层钝化层，通过第三次构图工艺形成包括栅线接口区域和数据线接口区域的图形。本发明通过三次构图工艺即可完成薄膜晶体管阵列基板的制备，减少了生产设备投入，缩短了生产时间，提高了生产效率，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101807583B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910077347.5

申请日：2009-02-18

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L23/482 ,  H01L21/84 ,  H01L21/283 ,  G02F1/1362

CPC分类号： G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78633

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括限定像素区域的栅线和数据线，像素区域内设置有薄膜晶体管、形成在基板上的像素电极和与像素电极一起构成存储电容的透明结构的存储电极。制造方法包括：沉积遮光金属薄膜、第一绝缘层、半导体薄膜和掺杂半导体薄膜，形成有源层图形；沉积透明导电薄膜和源漏金属薄膜，形成数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和像素电极图形；沉积第二绝缘层和栅金属薄膜，形成栅电极和栅线图形；沉积第三绝缘层和透明导电薄膜，形成存储电极、栅线接口过孔和数据线接口过孔图形。本发明通过形成透明结构的存储电极，可以有效地减少跳变电压ΔVp，还可以有效提高开口率和显示亮度。

公开(公告)号：CN102033343A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910093194.3

申请日：2009-09-25

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 谢振宇 ,  刘翔 ,  陈旭

IPC分类号： G02F1/133 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/501 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/0769

摘要： 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有电路图案，其中还包括覆盖层，覆盖电路图案的上表面和侧面。该制造方法包括在衬底基板上沉积电路图案薄膜，并对电路图案薄膜进行构图工艺形成电路图案的步骤，其中还包括：在形成电路图案的衬底基板上沉积覆盖层薄膜，并对覆盖层薄膜进行构图工艺形成包括覆盖层的图案，覆盖层覆盖电路图案的上表面和侧面。本发明采用覆盖层覆盖电路图案上表面和侧面的技术手段，使电路图案采用易扩散金属制备时，也能够减少甚至避免向侧面绝缘层中扩散的问题，不会影响绝缘层的性能。

公开(公告)号：CN101957530A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910089402.2

申请日：2009-07-17

申请人： 北京京东方光电科技有限公司

发明人： 刘翔

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L33/08 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L33/44

摘要： 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅电极与所述像素电极同层设置，并由透明导电薄膜制成，所述透明导电薄膜的厚度为本发明栅电极采用透明导电薄膜材料，由于透明导电薄膜很薄，使栅电极两侧斜坡坡度角的差异对漏电极与栅电极之间重叠面积的影响很小，因此减小了不同位置处薄膜晶体管寄生电容的差异，有效减小了TFT-LCD阵列基板上各薄膜晶体管跳变电压ΔVp的差异，减弱了由于跳变电压差异引起的显示画面闪烁现象，提高了TFT-LCD的显示质量。