公开(公告)号：CN114333943A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111370794.7

申请日：2021-11-18

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  复旦大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  潘成 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  薛晓勇 ,  李秀伟 ,  张海峰 ,  杜剑 ,  周敏 ,  姜静雯 ,  郭之望 ,  陈德扬

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 本发明实施例提供一种阻变存储器的写操作方法及系统，属于存储技术领域。所述方法包括：获取待写入数据，并基于预设基准时间将所述待写入数据写入到存储器阵列各目标单元中；获取各目标单元的需求写入时间，将需求写入时间大于所述预设基准时间的目标单元确定为检测单元，并执行以下步骤：1)分别进行各检测单元自读取；2)根据自读取的结果确定各检测单元中是否存在存储错误的检测单元，并获取存储错误的检测单元的错误比特位；3)根据所述错误比特位对存储错误的检测单元进行数据重新写入；重复执行步骤1)‑3)，直至确定不存在存储错误的检测单元。本发明方案缩短了整个阻变存储器系统的写入时间，提高了写入效率。

公开(公告)号：CN114268310A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111331236.X

申请日：2021-11-11

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  芯创智(北京)微电子有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  张东 ,  赵扬 ,  华克路 ,  周晶 ,  徐鹏 ,  王世成

IPC分类号： H03K19/0185

摘要： 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输入端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。

公开(公告)号：CN113889537B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111482363.X

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  曹艳荣 ,  刘芳 ,  钟明琛 ,  张宏涛 ,  张龙涛 ,  任晨 ,  王敏 ,  马毛旦 ,  张鹏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。

公开(公告)号：CN114050181A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202210014429.0

申请日：2022-01-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邓永峰 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  吴波 ,  郁文 ,  王凯 ,  刘倩倩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种NLDMOS器件及制备方法、芯片，所述NLDMOS器件包括：衬底，所述衬底上方设有第一高压N阱区和第二高压N阱区，所述第一高压N阱区和第二高压N阱区之间留有衬底间隙；所述第一高压N阱区和第二高压N阱区上设有P型降低电场区，所述P型降低电场区经过所述衬底间隙；所述第一高压N阱区上还设有P型体区，所述第二高压N阱区上设有N型漂移区；所述P型体区、衬底间隙以及N型漂移区形成PIN结。所述NLDMOS器件的结构设计有效的提高了击穿电压。

公开(公告)号：CN108345752B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201810157646.9

申请日：2018-02-24

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 李大猛 ,  马强 ,  赵东艳 ,  张海峰 ,  唐晓柯 ,  陈燕宁 ,  袁远东 ,  关媛

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06F119/14

摘要： 本发明公开了一种晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法。该方法是在被测试晶圆上选取一个或多个测试单元，所述测试单元包含多个非易失性存储器，将测试机的探针卡接入所述测试单元进行非易失性存储器的寿命特性评估。所述寿命特性评估包括数据保持能力评估和擦写能力评估。所述晶圆级非易失性存储器的寿命特性评估方法的测试时间短，效率高，而且可实现大量同测，便于数据收集统计分析。

公开(公告)号：CN113990865A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111619505.2

申请日：2021-12-28

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  付振 ,  刘芳 ,  庞振江 ,  董广智 ,  赵法强 ,  李嘉睿 ,  王树龙

IPC分类号： H01L27/02

摘要： 本发明实施例提供一种硅控整流器、芯片及电路，该硅控整流器包括：衬底，所述衬底上方设有深阱层，所述深阱层上方设有N阱区和P阱区；所述N阱区和P阱区上方依次设有第一N+区、第一P+区、第二N+区及第二P+区；所述第一N+区和第二P+区相连，所述第一P+区与所述硅控整流器的阳极相连，所述第二N+区与所述硅控整流器的阴极相连；所述第二P+区最外侧设有场氧结构，所述场氧结构位于所述深阱层的上方。该硅控整流器缩短了通路的距离，提高了防护等级。

公开(公告)号：CN113903857A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111475179.2

申请日：2021-12-06

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  王凯 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  邓永峰 ,  吴波

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L21/02

摘要： 本发明实施例提供一种电容器、芯片及电容器的制备方法，该电容器包括：第一电极、层叠电介质及第二电极，所述层叠电介质位于所述第一电极和所述第二电极之间；所述层叠电介质包括两层以上电介质膜，相邻两层电介质膜的折射率不同，相邻两层电介质膜相接触的表面是非平坦的并且彼此配合。该电容器提高了各个电介质膜的表面平整度、降低了缺陷数量，而且提高了不同折射率电介质膜的耦合性，提升了层叠电介质的击穿电压和经时击穿性能，从而大幅度提高了电容器的电性能。

公开(公告)号：CN113889537A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202111482363.X

申请日：2021-12-07

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  西安电子科技大学

发明人： 赵东艳 ,  陈燕宁 ,  王于波 ,  付振 ,  邵瑾 ,  曹艳荣 ,  刘芳 ,  钟明琛 ,  张宏涛 ,  张龙涛 ,  任晨 ,  王敏 ,  马毛旦 ,  张鹏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括栅电极、源电极和漏电极，还包括：浅槽隔离结构，所述浅槽隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部，所述第二隔离部与所述第一隔离部契合；所述第二隔离部用于阻碍所述半导体器件内寄生沟道的形成。本发明在浅槽隔离区域设置相契合的第一隔离部和第二隔离部，通过第二隔离部将寄生沟道延伸至浅槽隔离区域内，减缓或阻断寄生沟道内电荷的流动，减少因浅槽隔离区域陷阱电荷影响而导致的泄漏电流。

公开(公告)号：CN112649699B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202011455709.2

申请日：2020-12-10

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  中国科学院微电子研究所

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  张鹏 ,  刘芳 ,  杨红 ,  陈睿 ,  王文武 ,  都安彦 ,  李恋恋

IPC分类号： G01R31/08

摘要： 本发明涉及芯片测试领域，提供一种确定器件故障点的测试方法及装置。所述确定器件故障点的测试方法包括：按时间顺序对器件的介质层施加恒定电压和脉冲电压；监测所述脉冲电压的变化情况，根据所述脉冲电压的变化情况确定所述器件的介质层是否被击穿；在确定所述器件的介质层被击穿这一时刻停止施加所述脉冲电压，根据所述介质层的击穿情况确定所述器件最早发生故障的故障点。本发明在器件介质层被击穿的最早时期，能够立即感知到电压的变化，并立即停止施加电压。此时器件介质层击穿损坏不严重，可根据损坏情况精确定位器件最早发生故障的故障点的位置，从而分析出导致失效的具体原因，促进设计改进和制造工艺改进。

公开(公告)号：CN112731073A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN202011455731.7

申请日：2020-12-10

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  中国科学院微电子研究所 ,  中国科学院大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  周芝梅 ,  邵瑾 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  袁远东 ,  杨红 ,  陈睿 ,  王文武 ,  都安彦 ,  李恋恋

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明涉及芯片测试领域，提供一种用于经时击穿测试的探针卡以及经时击穿测试方法。所述用于经时击穿测试的探针卡包括：印制电路板以及设置于所述印制电路板的探针，所述印制电路板设有用于输入经时击穿测试信号的输入端，还包括限流元件，所述探针的第一端通过所述限流元件连接所述印制电路板的输入端，所述探针的第二端用于输出所述经时击穿测试信号。本发明通过限流元件吸收器件栅氧化层被击穿时的瞬间大电流，防止器件内部的其它结构被损坏(击穿)，这种情况下器件处于早期损坏，容易确定早期损坏故障点的位置，有助于确定可靠性失效的根本原因。