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公开(公告)号：CN113140452A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110429100.6
申请日：2021-04-21
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/417 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种氧化铟锡纳米线及其制备方法和薄膜晶体管。所述氧化铟锡纳米线的制备方法包括如下步骤有：提供介孔分子模板，所述介孔分子模板含有纳米线形介孔；在惰性环境中，向所述介孔分子模板所含的所述纳米线形介孔中脉冲交替通入氧化铟锡反应源气体，在所述纳米线形介孔中原位原子层沉积氧化铟锡纳米线前驱体；将所述氧化铟锡纳米线前驱体进行退火处理，在所述纳米线形介孔中原位生成氧化铟锡纳米线；再除去所述介孔分子模板。所述氧化铟锡纳米线制备方法制备的氧化铟锡纳米线形介孔尺寸可控，长径比大，曲挠性优异，而且生成的氧化铟锡纳米线不会发生团聚。而且制备工艺易控，制备效率高，能够有效保证制备的氧化铟锡纳米线尺寸稳定。
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公开(公告)号：CN112538611A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011391307.0
申请日：2020-12-02
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/18 , C23C16/455 , H01L27/12 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列，其中，制备方法包括以下步骤：采用原子层沉积法在基底表面沉积金属催化层；采用原子层沉积法在所述金属催化层的表面沉积碳纳米管纳米膜，且所述金属催化层部分显露于所述碳纳米管纳米膜的表面；采用原子层沉积法在所述碳纳米管纳米膜的表面沉积石墨烯纳米膜，并采用催化层去除剂去除所述金属催化层，清洗，得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能，可以替代传统氧化铟锡材料并广泛应用于薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN112537769A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011393348.3
申请日：2020-12-02
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C01B32/184 , C01B32/16 , H01L27/12
摘要： 本申请公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列。其中，所述石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法包括以下步骤：采用电化学沉积法在金属基底的表面沉积石墨烯薄膜；采用原子层沉积法在所述石墨烯薄膜的表面沉积碳纳米管膜；以及采用去除剂去除所述金属基底，清洗后得到石墨烯碳纳米管复合膜。本申请的技术方案制备得到的石墨烯碳纳米管复合膜具有较高的电荷迁移率，较好的导电性能、优异的透光性、化学稳定性及机械性能，可以替代传统ITO材料并广泛应用于薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN112456470A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011393435.9
申请日：2020-12-02
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： C01B32/16 , C01B32/186 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种石墨烯碳纳米管复合膜及其制备方法、以及应用该石墨烯碳纳米管复合膜的薄膜晶体管阵列。其中，所述石墨烯碳纳米管复合膜的制备方法包括以下步骤：采用电化学沉积法在金属基底的表面制备石墨烯薄膜；采用化学气相沉积法在所述石墨烯薄膜背向所述金属基底的表面制备碳纳米管膜；采用去除剂去除所述金属基底，清洗后得到石墨烯碳纳米管复合膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯碳纳米管复合膜具有好的导电性能，可以替代传统ITO材料并广泛应用于薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN111883543A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010740589.4
申请日：2020-07-28
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上沉淀和图案化形成栅极层；在所述覆盖栅极层的基板上采用原子沉积法沉积保护层；在所述保护层上沉淀和图案化形成非晶硅层和欧姆接触层。本发明还公开了一种阵列基板和显示装置。本发明均匀的保护层降低了对薄膜晶体管场效应迁移率的影响，使得产品的显示更加稳定，提高了显示效果。
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公开(公告)号：CN110364429B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201910508412.9
申请日：2019-06-12
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/288 , H01L27/12 , B82Y30/00
摘要： 本发明公开一种金属纳米线薄膜及其制备方法以及薄膜晶体管阵列。其中，所述金属纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基板为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；以所述多孔阳极氧化铝模板为阴极，惰性电极为阳极，于含金属离子的电化学沉积液中进行电化学沉积，得到沉积有金属纳米线的氧化铝模板，并采用模板去除剂去除氧化铝模板，得到金属纳米线；采用水和醇溶液对所述金属纳米线进行漂洗，并将漂洗后的金属纳米线分散至成膜溶液中，得到膜液；将所述膜液涂覆于基板的表面，退火干燥得到金属纳米线薄膜。本发明的技术方案能够减小金属纳米线薄膜的雾度。
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公开(公告)号：CN110379536A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910508212.3
申请日：2019-06-12
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
发明人： 夏玉明
摘要： 本发明公开一种导电粒子及其制备方法、及各向异性导电膜。其中，导电粒子的制备方法包括以下步骤：以含硅前驱体为硅源，水和醇为混合溶剂，搅拌、离心及干燥，得到介孔二氧化硅球；以所述介孔二氧化硅球为模板，树脂溶液为碳源，水和醇为混合溶剂，搅拌、固化及煅烧，得到多孔碳球；将苯胺和所述多孔碳球溶解于酸性溶液中，并加入引发剂，洗涤干燥后，得到多孔碳球聚苯胺纳米线复合物，所述多孔碳球聚苯胺纳米线复合物为导电粒子。本发明的技术方案能够解决现有导电粒子在实际应用过程中存在的成本较高，与有机物相容性较差，粒径较大，需要的填充量较多而造成材料成本较高问题。
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公开(公告)号：CN110323270B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201910575383.8
申请日：2019-06-28
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 北海惠科光电技术有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/49 , H01L29/786 , G02F1/1368
摘要： 本发明涉及一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管，通过制备阳极氧化铝模板，利用原子层沉积技术在模板中制备金属催化颗粒，通过孔道有序调节与控制金属催化颗粒的排布情况及填充厚度，提高生产效率；再对金属催化颗粒进行加热退火处理获得厚度均匀的金属催化薄膜，从而使金属催化薄膜作为石墨烯纳米线生长的载体和催化剂，使石墨烯纳米线均匀可控地生长；再去除阳极氧化铝模板和金属催化薄膜后获取石墨烯纳米线成膜液，将石墨烯纳米线成膜液沉积在基板上，获得厚度均匀稳定的石墨烯导电薄膜，从而提高石墨烯导电薄膜的可控性和生长效率，实现更高的透明性和导电性。该方法制备的石墨烯纳米线易于控制且密度高，适合工业化使用。
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公开(公告)号：CN110400832A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910508213.8
申请日：2019-06-12
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，作为阵列基板的栅极；在所述栅极上沉积所述阵列基板的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上沉积金属硫化物层，作为所述阵列基板的有源层；在所述有源层上沉积第二金属层，并对所述第二金属进行涂覆蚀刻，以形成所述阵列基板的金属源极和金属漏极。在所述金属源极和所述金属漏极上沉积绝缘保护层。本发明还公开了一种阵列基板。达成了显示面板的亮度及PPI的效果。
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公开(公告)号：CN110364440A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910508215.7
申请日：2019-06-12
申请人： 北海惠科光电技术有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1368
摘要： 本申请提供了一种薄膜晶体管的制造方法、基板及显示装置，包括在衬底上形成薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管包括依次层叠的栅极层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及源漏金属层；在源漏金属层背离欧姆接触层的表面涂布光刻胶，并通过第一光罩对光刻胶进行曝光并显影，以形成光刻胶层，其中，光刻胶层具有第一区域和第二区域；对第二区域暴露的源漏金属层、欧姆接触层以及有源层依次进行第一次湿法刻蚀和第一次干法刻蚀后，通过氧气对第一区域的光刻胶层进行预处理，其中，氧气的浓度为4000sccm～5000sccm。可以减少氧气与第一区域处的源漏金属层的表面进行反应，从而减少金属氧化物的数量，避免金属氧化物过多而造成的短路问题，以提高显示性能。
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