定长器以及切割装置
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116609883A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202310599094.8

    申请日:2023-05-25

    发明人: 孙健 刘研

    摘要: 本发明公开了定长器以及切割装置,定长器包括:主体和限位件,主体的一侧设有第一配合结构,主体具有第一侧面,限位件设有第二配合结构,限位件具有第二侧面;第一配合结构与第二配合结构可拆卸地配合连接,使得主体和限位件在配合状态下,限位件与主体具有不同的配合位置。切割装置包括切割台以及定长器,切割台包括依次设置的定位区域、限位部以及光纤固定平台,切割装置在使用状态下,定长器置于定位区域,第二侧面抵接限位部。通过设置限位件与主体具有不同的位移量,限位件可与切割装置上的限位部抵接,从而限定光纤的切割长度,通过调整位移量,进而调节光纤的切割长度,使得定长器在适配不同款切割装置时,可以获得一致的光纤切割长度。

    一种纳米氧化锆及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116514542A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310170642.5

    申请日:2023-02-27

    发明人: 孙健 王高强

    IPC分类号: C04B35/488 C04B35/626

    摘要: 本发明涉及一种纳米氧化锆及其制备方法和应用,属于陶瓷材料领域。本发明所述纳米氧化锆的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、称取氧化锆粉末、多孔碳纳米管、稳定剂、分散剂和尿素,球磨混合均匀,得到混合物;S2、将步骤S1所述混合物在搅拌下进行加热干燥,得到前驱体;S3、将步骤S2所述前驱体进行烧结,得到所述纳米氧化锆。本发明采用氧化锆粉末、添加特定配比的稳定剂、分散剂和尿素为制备原料,以多孔碳纳米管作为模板,在特定的干燥脱水和烧结的工艺参数条件下,能够制备得到分散性较好、比表面积较大和球形度较高的纳米氧化锆。

    一种端电极铜浆料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115762846A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211515660.4

    申请日:2022-11-29

    摘要: 本发明涉及一种端电极铜浆料及其制备方法和应用,属于电子材料领域。本发明所述端电极铜浆料包括以下重量百分比的组分:铜粉60~75%、玻璃粉5~15%、树脂4~8%、有机溶剂10~16%、触变剂0.5~3%,且所述铜粉和所述玻璃粉的总重量与所述有机溶剂的重量之比为(5~8):1;所述铜粉包括以下质量百分比的组分:球状铜粉75~85%,片状铜粉15~25%;所述球状铜粉由球状铜粉A和球状铜粉B组成,所述球状铜粉A的D50为4~6μm,所述球状铜粉B的D50为0.8~1.5μm,所述片状铜粉的D50为4~6μm。本发明所述端电极铜浆料挥发率较低,且能够使得端电极在端接后具有较好的外观和致密性。

    一种大规格的陶瓷基板
    34.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112863793B

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202110037581.6

    申请日:2021-01-12

    IPC分类号: H01C7/00 H01C17/00

    摘要: 本发明公开了一种大规格的陶瓷基板。这种大规格的陶瓷基板包括陶瓷基板本体;成片区,所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面;白边,所述白边设置在所述成片区的四周;所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕;所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交;所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度;所述陶瓷基板的外尺寸如下:长度≥89.60mm,宽度≥79.60mm,厚度≥0.43mm。本发明通过增大陶瓷基板的长宽尺寸,极大地增加了基片的生产效率,并且能够有效控制翘曲的发生,有利于大规模地自动化生产,降低材料、人工及时间成本。

    一种插芯组件及具有其的光纤快速连接器

    公开(公告)号:CN113376756A

    公开(公告)日:2021-09-10

    申请号:CN202110623150.8

    申请日:2021-06-03

    IPC分类号: G02B6/38

    摘要: 本发明涉及连接器技术领域,公开了一种插芯组件及具有其的光纤快速连接器,该插芯组件包括尾座、插芯、压贴块和锁扣,所述尾座上开设有窗口部,所述窗口部内设置有支撑平台;所述尾座的一端开设有开口;所述插芯内开设有用于容纳光纤的容纳腔;所述插芯的一端穿过所述开口后与所述支撑平台抵触连接形成台阶部,且其开设有凹槽部;所述插芯的另一端位于所述尾座的外部;所述压贴块包括压紧部、挠性部和尾柄部,所述压紧部与所述凹槽部抵触连接,所述尾柄部与所述台阶部抵触连接;所述挠性部分别连接所述压紧部和尾柄部;所述锁扣可滑动的套设于所述尾座上。本发明组装效率高、结构紧凑且稳定性高。

    一种α-Al2O3及其制备方法和应用
    37.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118771423A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411005437.4

    申请日:2024-07-25

    发明人: 马艳红 孙健

    IPC分类号: C01F7/021

    摘要: 本发明涉及一种α‑Al2O3及其制备方法和应用,属于无机非金属材料合成领域。本发明制备方法采用多孔二氧化硅作为脱钠剂,利用多孔二氧化硅对气态钠离子的高效吸附能力,降低了多孔二氧化硅的添加量,避免了添加过量二氧化硅降低产率的情况,最终产物产率>98%,同时通过控制多孔二氧化硅的比表面积、孔隙率,提高了二氧化硅对气态钠离子的吸附效率,在高温下生成硅钠化合物,在不影响氧化铝晶相生长的同时,达到杂质钠富集的效果。使得最终得到的α‑Al2O3中氧化钠含量低于0.03%,α相转化率92%~97%。同时多孔二氧化硅颗粒软融、形变程度小,能通过筛分充分分级,对氧化铝粉体污染较小。

    一种氮化铝粉体的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118619682A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202410675642.5

    申请日:2024-05-29

    发明人: 马艳红 孙健

    IPC分类号: C04B35/581 C04B35/626

    摘要: 本发明公开了一种氮化铝粉体的制备方法和应用,所述制备方法包括以下步骤:S1:使有机物包覆在氧化铝表面并碳化,得到碳包覆前驱体;S2:将所述碳包覆前驱体与碳材料混合研磨,然后在氮气气氛中烧结,得到烧结产物;S3:将所述烧结产物与分离液混合,分离得到所述氮化铝粉体;所述分离液包括溶剂A和溶剂B,溶剂A的极性大于溶剂B的极性且溶剂A的密度大于溶剂B的密度,溶剂A与溶剂B的极性差值大于5。本发明的制备方法是使有机物与氧化铝颗粒紧密接触并碳化,然后与碳材料研磨后烧结,可以促进氮化完全,避免氮化铝颗粒之间的团聚,从而制得具有较高的比表面积、低氧含量、低碳杂质含量的氮化铝粉体。

    一种氧化铝粉体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116639958B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202310581508.4

    申请日:2023-05-23

    发明人: 孙健 王高强

    摘要: 本发明公开了一种氧化铝粉体及其制备方法和应用。本发明的氧化铝粉体的制备方法包括以下步骤:1)将γ‑氧化铝、矿化剂、稳定剂和分散剂混合进行湿法球磨,得到浆料;2)将浆料进行干燥,得到前驱体;3)将前驱体进行烧结,得到块状氧化铝;4)将块状氧化铝进行湿法球磨,再进行干燥,即得氧化铝粉体。本发明的氧化铝粉体具有纯度高、活性高、晶型转化率高、球形度高等优点,可以用于制备性能优异的氧化铝陶瓷,且其制备流程简单,易于进行大规模工业化生产。

    一种复合ZTA基板及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117049862A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310895847.X

    申请日:2023-07-20

    发明人: 孙健 王高强 张松

    摘要: 本发明属于陶瓷技术领域,特别涉及一种复合ZTA基板及其制备方法和应用。一种复合ZTA基板,包括ZTA基板和位于ZTA基板上的复合材料表层;复合材料表层包括氧化铝和ZTA;且氧化铝在ZTA四周形成包裹结构;复合材料表层的厚度与ZTA基板的厚度比值为1:(20‑500);复合材料表层中,氧化铝的质量百分数为75‑88%,ZTA的质量百分数为12‑25%。本发明通过在ZTA基板上设置氧化铝包覆ZTA的复合材料表层,氧化铝包覆ZTA形成复合网络结构,并通过对材料组分、基板和表层的厚度比值等关键参数的控制,经过高温同烧过程,使得复合ZTA基板的导热性和弯曲强度同步提高,实现了结构功能一体化设计。