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公开(公告)号：CN114824009A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210386072.9
申请日：2022-04-13
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基光电二极管的外延结构，包括衬底、依次形成于衬底上的缓冲层、n型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层、具有V坑的AlInGaN基多量子阱层、具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层、p型AlInGaN层，特征是：所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度大于平台厚度；所述具有V坑的n区AlInGaN电子阻挡层和具有V坑的AlInGaN基多量子阱层之间含有具有V坑的n型AlInGaN高掺杂层；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层的V坑侧壁厚度小于平台厚度；所述具有V坑的p区AlInGaN电子阻挡层和p型AlInGaN层之间含有合并V坑的p型AlInGaN高掺杂层。本发明具有提高空穴注入和收集的效率、调控电子和空穴注入和收集途径的作用，可应用于Micro‑LED、光电探测器、太阳电池。
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公开(公告)号：CN112376035A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011200900.2
申请日：2020-11-02
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/458
摘要： 本发明公开了一种适用于制备高In组分InGaN材料的反应装置，该反应装置包括反应腔体、样品台装置、束源炉、气体离化器、真空系统和加热装置，其中：加热装置包括衬底加热装置和腔体加热装置。本发明提供的反应装置通过在加热器载板上设置衬底加热装置和带冷却管道的反光杯，使得加热光束和辐射热量聚焦至衬底的表面，提高了加热功率利用率，并隔绝加热光源对腔体内的各种元器件的直接辐照，降低了元器件因温度过高而产生损坏的风险。本发明提供的反应装置还具有能耗低、产量大、材料质量优异等诸多优点。
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公开(公告)号：CN107068818B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106910804B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN108336199A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810194487.X
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN106783821A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48
摘要： 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN104037290B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410219231.1
申请日：2014-05-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、InxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层、AlyGa1-yN(0≤y≤1)掩模层和AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层，其特征在于：在所述AlyGa1-yN掩模层中、InxGa1-xN(0≤x≤1)缓冲层和AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1)主层之间，设有呈间隔排布、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1-xN缓冲层中设有一个空腔；微孔的直径小于空腔的直径。本发明是通过一次性在线生长的外延工艺，在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用：(1)增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1-x-yN薄膜所受到的来自衬底的应力；(2)对于发光器件，空腔增强了界面反射，故可提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN104037290A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410219231.1
申请日：2014-05-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法，自下而上依次包括：衬底、AlN缓冲层、InxGa1-xN（0≤x≤1）缓冲层、AlyGa1-yN（0≤y≤1）掩模层和AlyInxGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1）主层，其特征在于：在所述AlyGa1-yN掩模层中、InxGa1-xN（0≤x≤1）缓冲层和AlyInxGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1）主层之间，设有呈间隔排布、分布密度在5e6cm-2--5e8cm-2之间、竖向的微孔，在每个微孔的下对应位置的InxGa1-xN缓冲层中设有一个空腔，InxGa1-xN缓冲层为蜂窝状结构。本发明是在衬底与外延材料之间的缓冲层中设计了大量的空腔，这种空腔有两个作用：（1）增加了薄膜柔性，为应力的弛豫提供了变形空间，可以释放AlyInxGa1-x-yN薄膜所受到的来自衬底的应力；（2）对于发光器件，空腔增强了界面反射，故可提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN208142186U
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201820436749.4
申请日：2018-03-29
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/778
摘要： 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。
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公开(公告)号：CN208315587U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201820323961.X
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本实用新型通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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