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公开(公告)号：CN108305920A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/145 , H01L33/32
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1-x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1-y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN107675141A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201711006984.4
申请日：2017-10-25
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： C23C16/303
摘要： 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
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公开(公告)号：CN106910804A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710286225.1
申请日：2017-04-27
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同。本发明可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，改善空穴与电子的匹配度，从而提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN106784208A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611036779.8
申请日：2016-11-23
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个材料生长衬底；层叠于所述衬底上的GaN基半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN基半导体层、一层P型AlInGaN基半导体层和夹于N、P层之间的多量子阱发光有源层；特征是：在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。本发明提高了电子注入主要发光阱的势垒，同时也提高了空穴溢出主要发光阱的势垒；可提高主要发光阱中的电子空穴匹配度，减少电子泄露，改善效率骤降效应，从而提高LED的量子效率。
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公开(公告)号：CN105742450A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN105428486A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510978891.2
申请日：2015-12-24
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007
摘要： 本发明公开了一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，特征是：半导体叠层中的发光有源层及P-N结具有非平面的三维结构。本发明的发光有源层有效发光面积较常规LED的二维平面有源区大，可降低有源区内载流子浓度，因此具有抑制俄歇复合、降低载流子泄漏等优点，可大幅改善效率骤降现象。另外，芯片内部存在三维结构可减少全反射的形成，有利于提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN103952685B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
申请人： 南昌大学
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN115036378A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
申请人： 南昌大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
摘要： 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。
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公开(公告)号：CN108336199A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810194487.X
申请日：2018-03-09
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
摘要： 本发明提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本发明通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。
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公开(公告)号：CN106783821A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
申请人： 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/48
摘要： 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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