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公开(公告)号：CN104155844B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201310705815.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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公开(公告)号：CN105988306B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201610011949.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G03F7/70558
Abstract: 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。
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公开(公告)号：CN104155846B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104425368B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410006825.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76811 , H01L21/0337 , H01L21/31111 , H01L21/31122 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及通孔限定方案。本发明的方法包括在第一介电层上方限定金属图案化层。第一介电层设置在蚀刻停止层上方，且蚀刻停止层设置在第二介电层上方。在金属图案化层和第一介电层上方生长间隔层。在第一介电层中形成具有金属宽度的金属沟槽。在第二介电层中形成具有通孔宽度的通路孔。
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公开(公告)号：CN104157565B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310682235.9
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3105 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层执行电子束（e‑beam）光刻曝光工艺，从而在第一光刻胶层中形成第一潜在部件和在第二光刻胶层中形成第二潜在部件。
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公开(公告)号：CN103529641B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201310244934.5
申请日：2013-06-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种极紫外光刻(EUVL)工艺。该工艺包括：接收具有多种状态的极紫外(EUV)掩膜。主多边形和邻近第一主多边形分配为不同的状态。所有子分辨率辅多边形分配为相同的状态，分配给子分辨率辅多边形的状态不同于分配给区域(即不具有主多边形和子分辨率辅多边形的布景)的状态。采用部分相干性б小于0.3的近似轴上照明(ONI)，以露出EUV掩膜，从而产生衍射光和非衍射光。去除大部分的非衍射光。使用投影光学箱收集和引导衍射光和没有被去除的非衍射光，从而露出目标。
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公开(公告)号：CN105988306A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610011949.0
申请日：2016-01-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70033 , G03F7/70558 , G03F7/2004
Abstract: 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。
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公开(公告)号：CN104155844A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310705815.5
申请日：2013-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76817 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/58 , G03F7/039 , G03F7/095 , G03F7/20 , G03F7/2004 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/3083 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供了用于光刻曝光工艺的掩模的一个实施例。该掩模包括：掩模衬底；第一掩模材料层，被图案化以具有限定第一层图案的多个第一开口；以及第二掩模材料层，被图案化以具有限定第二层图案的多个第二开口。本发明还公开了利用单次曝光形成多层图案的具有三种状态的光掩模。
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