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公开(公告)号：CN109671920A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811282366.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的纳米金刚石与二氧化钛空心球复合电极材料及制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，其特征是，二氧化钛呈空心球状态，纳米金刚石粒呈现为颗粒状吸附在二氧化钛空心球表面，制备方法包括纳米金刚石的处理、强碱溶液的配制、高压釜中密封反应、煅烧等步骤。制备的产物晶粒尺寸小、结晶性好，具有较高的锂离子的存储密度与传输速率，可作为一种理想的锂离子电池材料。
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公开(公告)号：CN103741116A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410040025.4
申请日：2014-01-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/56 , B01D17/022
Abstract: 本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用，属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成；金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜，并经过氢终止或氧终止表面处理；金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网、钛网或不锈钢网。本发明金刚石涂层具有优良的耐强酸强碱的化学稳定性，并且当涂层表面为氢终止时体现为超疏水性，同时具有超亲油性，当涂层表面为氧终止时体现为亲水性，氢终止或氧终止表面能够相互转换，因此可以在任何酸碱度条件下实现高效油水分离和液滴转移；油水分离或液滴转移后的金刚石网经清水清洗后，可重复多次使用，性能没有任何变化，具备了自清洁性。
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公开(公告)号：CN117153889A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310728245.5
申请日：2023-06-20
Applicant: 宜宾吉林大学研究院
IPC: H01L29/80 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/167 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L21/337 , H01L21/28
Abstract: 本发明的一种雪崩调制的异质结栅场效应晶体管及其制备方法属于半导体器件技术领域。所述的场效应晶体管，结构包括：异质外延衬底(1)、沟道层(2)、电阻缓冲层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、n型氧化锌(6)、栅电极(7)、凹槽(8)等。制备方法包括生长异质外延衬底(1)、掺杂沟道层(2)、掺杂电阻缓冲层(3)等步骤。本发明制备的场效应晶体管具有高阈值电压、低导通电阻以及低栅极漏电等高性能。
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公开(公告)号：CN116111184A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310318886.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M10/0563 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M10/42
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池含水电解液及其制备方法和用途，本发明将水加入商用电解液中，并引入纳米金刚石颗粒，制备水和纳米金刚石混合电解液。将混合电解液引入离子锂电池半电池和全电池，在充放电循环过程中，含水的混合电解液具有较高的离子电导率和更好的隔膜浸润性，有利于提高锂离子的传输能力。纳米金刚石颗粒和水的协同作用构建纳米金刚石相关固体电解质界面，提供了丰富的锂离子吸附活性位点，保护石墨等负极避免水作用下的剥离，提高电池的容量、倍率等综合性能。本发明制备方法简单、成本低、环境友好，具有良好的工业化生产前景。
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公开(公告)号：CN114937667A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210297544.3
申请日：2022-03-24
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L27/092 , H01L29/45 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110596212B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910896637.6
申请日：2019-10-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于检测盐酸克伦特罗的复合结构传感器的制备方法，属于电化学传感器的技术领域。在硼掺杂金刚石薄膜上沉积纳米金薄膜，通过水蒸气高温处理，构成金纳米颗粒和纳米多孔硼掺杂金刚石复合结构传感器。本发明纳米多孔硼掺杂金刚石的形成以及金纳米颗粒的复合结构合理的设计，可用于测试盐酸克伦特罗，并且这种新型检测盐酸克伦特罗的复合结构传感器灵敏度高，传感器制备便捷，成本低廉，有较高的稳定性和重复性，并且具有较强的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN109671920B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201811282366.7
申请日：2018-10-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/485 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的纳米金刚石与二氧化钛空心球复合电极材料及制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，其特征是，二氧化钛呈空心球状态，纳米金刚石粒呈现为颗粒状吸附在二氧化钛空心球表面，制备方法包括纳米金刚石的处理、强碱溶液的配制、高压釜中密封反应、煅烧等步骤。制备的产物晶粒尺寸小、结晶性好，具有较高的锂离子的存储密度与传输速率，可作为一种理想的锂离子电池材料。
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公开(公告)号：CN112961676A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110216248.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种锰掺杂锗酸锌纳米材料制备方法属于纳米材料制备的技术领域，将Zn(CH3COO)2·H2O和GeO2混合后再加入Mn(CH3COO)2·4H2O，充分搅拌后加入到NaOH溶液中，产生粉红色胶体沉淀；将粉红色胶体沉淀物在微波石英容器中加热至100～160℃反应5～15分钟，反应结束后，自然冷却至室温，经离心、洗涤后、烘干，得到锰掺杂锗酸锌纳米材料Zn2GeO4:xMn2+。本发明操作简单，掺杂后的锗酸锌由蓝色发光转变成足够强度的绿色发光，可以应用于发光二极管、激光器、光放大器和高温光学传感器等许多技术领域。
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公开(公告)号：CN112899640A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110059884.8
申请日：2021-01-18
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , G01N27/48
Abstract: 本发明纳米晶石墨/硼掺杂金刚石复合材料的制备和用途，属于功能复合结构及其制备和应用的技术领域。本发明的技术方案是采用CVD法一步生长纳米晶石墨/硼掺杂金刚石(NG/BDD)复合电极，并将其作为电化学电极，检测痕量分子。NG的形成是在较高温度下，在B掺杂的作用下使金刚石(111)面表面发生重构而成。本发明BDD的(111)面形成大量NG，增加导电性，提升对检测物质的吸附提高电化学电极的检测灵敏度，可检测多种痕量化学和生物分子。本发明电极制备工艺简单，便于大规模制备，并对金刚石传感器在检测低浓度和痕量化学和生物分子具有重要意义。
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公开(公告)号：CN109881248B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910182374.2
申请日：2019-03-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , C23C16/27 , H01L29/16 , H01L29/167
Abstract: 本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N‑S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～1017/cm3。制备中使用H2S或SO2作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N‑S共掺杂金刚石单晶材料，该材料具有n型导电特征。本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用。
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