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公开(公告)号：CN107459346B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710686831.2
申请日：2017-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , B28B1/29 , B28B1/00 , B28B11/24 , B28B11/00
Abstract: 高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷的制备方法和应用，本发明涉及压铁电材料领域。本发明要解决现有钛酸钡基陶瓷的改进使得该体系陶瓷的应变迟滞Hs变大，虽然钛酸钡基陶瓷的部分电学性能参数有一定的提高，但其另一部分性能参数，如居里温度Tc却被恶化的问题。化学通式为(Ba1‑xCax)(Ti1‑yZry)O3，0.01≤x≤0.12，0.02≤y≤0.08；方法：一、采用模板晶粒定向生长技术制备沿[001]c高度取向的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷；二、采用工程畴技术制备高电学性能的无铅压电钛酸钡基织构陶瓷。应用于高灵敏度、高精确度的压电驱动器、压电传感器及超声换能器领域。
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公开(公告)号：CN107326432B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201710523918.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B9/12 , C30B29/20 , C04B35/111
Abstract: 一种织构氧化铝陶瓷用的模板籽晶的制备方法和应用，本发明涉及模板籽晶的制备方法和应用。本发明要解决现有片状氧化铝微晶制备工艺中存在生产设备要求高、生产周期长、工艺复杂、微晶分散性差、粒径尺寸分布宽、径厚比小、形貌调控难及生产成本高的问题。方法：将含铝原料与熔盐混合，然后加入生长助剂，球磨，得到混合原料；将混合原料置于有盖的氧化铝坩埚中，煅烧，得到反应产物；将反应产物用热水搅拌清洗并采用超声波进行分散，烘干。应用于制备晶粒小且取向度高的织构氧化铝陶瓷、金属/陶瓷/高聚物复合材料增韧剂、热传导型聚合物填料、研磨抛光粉及颜料基材领域。
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公开(公告)号：CN108593086A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810381034.8
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G01H5/00 , G01H9/00 , G01N21/1702 , G01N2021/1706 , G01N2021/1708
Abstract: 铁电晶体声表面波相速度的激光超声检测方法，涉及功能材料的声学检测方法领域，为了解决铁电晶体声表面波传播相速度的各向异性检测困难的问题。采用激光在铁电晶体表面激发出声表面波；对铁电晶体表面传播的声表面波进行检测：激光在铁电晶体表面形成的激光点和检测时铁电晶体表面的检测点沿待测的方向分布；移动激光位置、在同一检测点处检测至少2个激光点对应的声表面波，或激光位置不变、在至少2个检测点处检测声表面波；将检测得到的至少2个声表面波信号转换成横坐标为激光点位置或检测点位置，纵坐标为采集点数的等高线图；根据等高线图计算声表面波的相速度。本发明适用于检测铁电晶体的声表面波相速度。
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公开(公告)号：CN108585852A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810443144.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/18 , H01L41/187
Abstract: 一种镨掺杂铌铟镁酸铅-钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镨掺杂铌铟镁酸铅-钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有稀土元素掺杂压电陶瓷机电性能偏低的问题。压电陶瓷的化学式为0.24Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.42Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.34PbTiO3:xPr3+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.02。制备方法为先合成InNbO4和MgNb2O6前驱体，然后以InNbO4、MgNb2O6、PbO、TiO2和Pr6O11为原料制备，再镀金电极及极化处理，即得到压电陶瓷。本发明用于高灵敏度温度传感和电光调控。
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公开(公告)号：CN103469307B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310459769.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103911663B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410154971.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn，其中，0.01
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公开(公告)号：CN103540899B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310541663.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法，它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法：一、制备银/二氧化硅复合靶材；二、清洗衬底；三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上；四、抽真空后通入氧气；五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层；六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层，只需使用两种原料，在真空腔中制备避免了杂质引入，室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用，在医疗、电子等领域潜在应用广泛；本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
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公开(公告)号：CN104593733A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510079267.9
申请日：2015-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜掺杂氧化锌纳米棒的脉冲激光沉积制备方法，它涉及一种气敏纳米材料的沉积方法。本发明是要解决现有制备铜掺杂氧化锌纳米棒的方法存在化学原料种类多、反应过程复杂，容易引入杂质的问题。本方法如下：一、制备掺铜氧化锌陶瓷靶材；二、利用脉冲激光对靶材进行烧蚀，获得籽晶层；三、激光烧蚀靶材20-120min，得掺铜氧化锌纳米结构。本发明采用脉冲激光沉积法制备掺铜氧化锌纳米棒，使用原料简单，只需两种原料，并且在真空腔中进行生产，样品结晶质量高，避免引入杂质，且掺杂组分可控性好，本发明属于铜掺杂氧化锌纳米棒的制备领域。
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公开(公告)号：CN102664218B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN103540899A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310541663.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法，它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法：一、制备银/二氧化硅复合靶材；二、清洗衬底；三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上；四、抽真空后通入氧气；五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层；六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层，只需使用两种原料，在真空腔中制备避免了杂质引入，室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用，在医疗、电子等领域潜在应用广泛；本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
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