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公开(公告)号：CN103579367A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553976.7
申请日：2013-11-08
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/0804 , H01L29/36 , H01L29/6609 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本发明通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN103577898A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310576271.7
申请日：2013-11-18
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司 , 北京中电飞华通信股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种电力行业负荷控制分配方法及系统，该方法包括：获取供电侧的负荷控制优先顺序及负荷控制总量，将优先级最高的负荷控制方式确定为当前负荷控制方式，将负荷控制总量确定为当前负荷控制总量；根据预设筛选条件，将与当前负荷控制方式相同的用户确定为当前备选用户；若各个当前备选用户的负荷控制量之和大于等于当前负荷控制总量，依据预设约束条件，应用包括电网损失收益函数、用户受影响范围函数和/或负荷控制有效性函数的预设优化分配函数在各个当前备选用户中确定目标用户。本方法依据负荷控制优先顺序，在满足负荷控制总量及约束条件下，实现尽量小的电网损失收益、尽量少的用户受影响和/或尽量高的负荷控制有效性。
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公开(公告)号：CN103515365A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310478518.1
申请日：2013-10-14
IPC: H01L25/07 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L25/00 , H01L29/423 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种大功率压接式IGBT器件。IGBT器件为圆柱体或矩形体，所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳上下两端的两个功率电极，上功率电极为平板结构，下功率电极其中一面分布凸台阵列。器件内部在每个凸台上会设置子模组，子模组分为IGBT子模组和FWD子模组两类。IGBT和FWD子模组均包括功率芯片、多片金属垫片和绝缘框架；功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片两组。子模组中的IGBT芯片和FWD芯片均为厚度100-1000微米的矩形硅片。压接IGBT器件内部无任何焊点。在实际应用时，依靠器件外部施加的数十牛压力实现芯片和上下功率电极的良好连接，提高了器件可靠性，降低了工艺复杂度。
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公开(公告)号：CN103579367B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310553976.7
申请日：2013-11-08
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本发明通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN103579165B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310538589.6
申请日：2013-11-04
IPC: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC classification number: H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531616B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310525176.4
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本发明提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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公开(公告)号：CN103956834A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410217322.1
申请日：2014-05-21
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司
IPC: H02J13/00
Abstract: 本发明公开一种用户端负荷控制方法和系统。方法包括：对不同负荷设备进行协议适配；获取控制参数信息和电网运行信息，所述控制参数信息包括：用户设置的参数信息；接收用户输入的包含有第一预设控制模式的控制指令；依据所述第一预设控制模式、所述控制参数信息和所述电网运行信息生成第一预设控制指令集；依据所述第一预设控制指令集控制负荷设备执行相应指令。采用本发明公开的用户端负荷控制方法和系统，能够避免现有技术中用户端负荷控制系统一般只能被动接受上层主站或系统控制的问题，能够实现用户依据实际用电需求对用户端负荷控制系统进行智能控制。
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公开(公告)号：CN103618006A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310525160.3
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0684 , H01L29/66143
Abstract: 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种快恢复二极管及其制造方法。本发明在有源区进行推结形成P+区和P区，推结形成过程包括，第一步进行硼注入，推结1-10um，第二步进行磷补偿注入，磷注入条件要求推结后只降低靠近硅表面处P区浓度但不足以使其反型，通过有源区补偿注入形成表面浓度低的P区，这样在保证PN结两侧浓度的情况下降低了正向导通时P区空穴注入量，在采用少子寿命控制时可不需要生成过多的复合中心，由此会带来一系列参数的优化。本发明提供的快恢复二极管及其制造方法，通过对P区进行磷补偿注入的方式实现P区表面浓度降低，从而实现正向导通时注入空穴数量的减少。
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公开(公告)号：CN103594356A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310385233.3
申请日：2013-08-30
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L29/36 , H01L29/7395 , H01L29/66325
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域的制造方法，具体涉及一种场终止型IGBT器件的制造方法。该方法包括下述步骤：选择N型掺杂FZ单晶硅片，厚度根据电压等级确定；从硅片背面离子注入磷杂质并实施高温退火，形成厚度15～70um和掺杂浓度2×1013～2×1015/cm3的N型掺杂缓冲层；腐蚀掉背面保护层，采用腐蚀或喷砂方法将背面打毛，形成吸杂源；去除正面保护层，在硅片正面进行IGBT元胞区的制作；从硅片背面研磨5～30um厚度的硅衬底，背面再腐蚀～2um厚度，留下厚度10～65um的N型缓冲层作为场终止区；完成背面集电极区的制作。本发明不需要昂贵的高能离子注入设备或外延设备可形成10～65um的场终止区，适合1700～6500V 场终止型 IGBT器件制造。
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公开(公告)号：CN103464388A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310445622.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 上海动力储能电池系统工程技术有限公司 , 上海空间电源研究所 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC: B07C5/344
Abstract: 本发明公开一种锂离子电池筛选方法，其特征在于，包含以下步骤：步骤1、获取多个单体电池的编码信息；步骤2、对多个单体电池进行首次充放电循环；步骤3、依照电池使用环境，对多个单体电池进行一次充放电循环；步骤4、计算步骤2和步骤3中测量的电容量差，电压差，交流内阻差；步骤5、将多个单体电池进行搁置后，采集电池信息后进行一次充放电循环，；步骤6、计算步骤3和步骤5中测量的电容量差，电压差，交流内阻差；步骤7、按分类标准进行分档；步骤8、将多个单体电池分组。本发明能够将电池按照相似的性能和性能变化趋势进行筛选，从而最大可能地降低电池衰减不一致的可能，进而保障电池组性能的稳定发挥。
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