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公开(公告)号：CN103956834B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410217322.1
申请日：2014-05-21
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司
IPC: H02J13/00
Abstract: 本发明公开一种用户端负荷控制方法和系统。方法包括：对不同负荷设备进行协议适配；获取控制参数信息和电网运行信息，所述控制参数信息包括：用户设置的参数信息；接收用户输入的包含有第一预设控制模式的控制指令；依据所述第一预设控制模式、所述控制参数信息和所述电网运行信息生成第一预设控制指令集；依据所述第一预设控制指令集控制负荷设备执行相应指令。采用本发明公开的用户端负荷控制方法和系统，能够避免现有技术中用户端负荷控制系统一般只能被动接受上层主站或系统控制的问题，能够实现用户依据实际用电需求对用户端负荷控制系统进行智能控制。
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公开(公告)号：CN103577883A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310576959.5
申请日：2013-11-18
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司 , 北京中电飞华通信股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种网-荷智能互动方法及装置，方法包括：获取多个电力用户的历史负荷曲线，分别根据历史负荷曲线得到典型日负荷曲线；对典型日负荷曲线进行聚类负荷分类；建立互动控制模式提取决策模型，通过互动控制模式提取决策模型对聚类负荷分类后的负荷类别进行分析和判别，得到不同负荷类别适用的控制方式；将控制方式向电力用户推送。本发明实施例提供的网-荷智能互动方法通过对用户典型日负荷曲线进行聚类负荷分类，以及对聚类负荷分类后的负荷类别进行分析和判别，可以精确的得到不同负荷类别适用的控制方式，向用户推送适合的负荷互动控制方式，引导用户有针对性的制定需求响应参与计划，实现良性、按需互动。
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公开(公告)号：CN103956834A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410217322.1
申请日：2014-05-21
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 北京国电通网络技术有限公司
IPC: H02J13/00
Abstract: 本发明公开一种用户端负荷控制方法和系统。方法包括：对不同负荷设备进行协议适配；获取控制参数信息和电网运行信息，所述控制参数信息包括：用户设置的参数信息；接收用户输入的包含有第一预设控制模式的控制指令；依据所述第一预设控制模式、所述控制参数信息和所述电网运行信息生成第一预设控制指令集；依据所述第一预设控制指令集控制负荷设备执行相应指令。采用本发明公开的用户端负荷控制方法和系统，能够避免现有技术中用户端负荷控制系统一般只能被动接受上层主站或系统控制的问题，能够实现用户依据实际用电需求对用户端负荷控制系统进行智能控制。
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公开(公告)号：CN107341205A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710485041.8
申请日：2017-06-23
Applicant: 国网上海市电力公司 , 南京南瑞集团公司 , 北京国电通网络技术有限公司 , 华东电力试验研究院有限公司
Inventor： 陈海波 , 田英杰 , 郭乃网 , 苏运 , 张琪祁 , 瞿海妮 , 肖其师 , 张勇 , 凌平 , 伏如祥 , 柳劲松 , 方炯 , 时珊珊 , 孙立华 , 张琦 , 吴尚远 , 郭阳
CPC classification number: G06F17/3056 , G06F17/303 , G06F17/30539 , G06F17/30575 , G06Q50/06
Abstract: 本发明涉及一种基于大数据平台的智能配用电系统，所述的系统包括依次连接的硬件模块、基础模块、应用模块和应用展示模块，所述的应用模块包括数据管理组件、数据服务组件、工作流管理组件、算法包管理组件、交互式查询组件、分析挖掘组件、可视化分子组件、权限管理组件和日志管理组件；所述的基础模块包括数据集成基础组件、数据存储基础组件、数据计算基础组件、数据查询基础组件和数据分析基础组件。与现有技术相比，本发明具有实现了多源异构数据的标准化接入，满足配用电大数据应用数据量大、并发度高、可靠性要求高的条件以及具备良好的扩展性和可移植性等优点。
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公开(公告)号：CN103579322B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC: H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579367A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553976.7
申请日：2013-11-08
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/0804 , H01L29/36 , H01L29/6609 , H01L29/861
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本发明通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN103577878A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310389518.4
申请日：2013-08-30
Applicant: 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 华东电力试验研究院有限公司
IPC: G06N3/12
Abstract: 本发明涉及一种基于克隆选择算法的负荷模型参数辨识方法，将待辨识的参数作为抗原，将参数的目标函数作为抗体，以抗体和抗原的亲和度最高为目标，获取一组最优的负荷模型参数。与现有技术相比，本发明的优化性能和鲁棒性强，并且具备良好的并行性、可操作性，同时通过在整个解空间中搜索，以找到更多的最优个体，避免了在进化后期适应度高的个体大量繁殖，充斥整个解空间，导致优化停止在局部最优解上。
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公开(公告)号：CN103579322A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310562571.X
申请日：2013-11-13
IPC: H01L29/739 , H01L23/49 , H01L23/498 , H01L29/06 , H01L21/331 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/05552 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种增强开关速度和开关均匀性的IGBT器件及其制造方法。该IGBT器件包括发射极PAD区域、栅PAD区域、栅Finger区域、栅Bus区域和终端区域。所述栅PAD区域位于器件中心位置，发射极PAD区域分布在栅PAD四周，栅Finger区将发射极PAD区域分开，栅Bus区域包围着发射极PAD区域，所述终端区位于栅Bus区域外围。本发明通过改进传统的多晶硅层与金属层结构设计，使得IGBT器件在开关过程中对元胞栅极的充电和放电速度加快，从而使IGBT器件整体的开关速度增快。与传统的IGBT器件结构相比，本发明加快了IGBT的开关速度，同时提高了IGBT元胞开关过程的均匀性。
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公开(公告)号：CN103579165A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310538589.6
申请日：2013-11-04
IPC: H01L23/495 , H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/02
CPC classification number: H01L24/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件，具体涉及一种全压接式功率器件。全压接功率器件由上下电极配合多层材料与硅片实现全压接式接触，消除了因焊接疲劳导致的器件失效。与传统IGBT模块作为单一器件使用相比，芯片紧固力与器件紧固力由不同的器件分别提供，有效提高器件串联使用时的紧固力，不再受功率芯片压力承受极限的限制，满足多个器件串联使用的要求。
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公开(公告)号：CN103531616A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310525176.4
申请日：2013-10-30
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/8613 , H01L29/0611 , H01L29/6609
Abstract: 本发明涉及一种电力半导体器件及其制造方法，具体涉及一种沟槽型快恢复二极管及其制造方法。快恢复二极管包括衬底和P区，所述P区在衬底上形成，共同构成PN结，在所述PN结的两侧对称设置有沟槽区；所述衬底为均匀掺杂的N型硅衬底，在所述衬底N-层上生长有氧化层。本发明提供的沟槽型快恢复二极管，是通过湿法腐蚀去除PN结边缘弯曲处，消除PN结曲率导致的电场集中，通过三次光刻工艺即可实现包含钝化的、反向耐压接近平行平面结的高压二极管，具有制造方式简单，工艺要求低的特点。
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