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公开(公告)号：CN103531620A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310527108.1
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/0615 , H01L29/66325
摘要： 本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN204577432U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520316286.4
申请日：2015-05-15
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种具有分离式集电极的平面栅IGBT，包括衬底、依次设置在衬底上的正面金属电极、隔离氧化膜和平面栅极，平面栅极与衬底之间的P阱区，依次设置于P阱区内N+型掺杂区和P+型掺杂区，依次设置于衬底背面的背面N型低掺杂缓冲区和背面P+集电区，在背面P+集电区上设有采用绝缘介质填充的背面凹槽，背面凹槽深度大于、等于或小于背面P+集电区的厚度，绝缘介质完全或部分填充凹槽，绝缘介质与P+集电区有交叠，本实用新型在传统的平面栅型IGBT基础上，通过增加浅凹槽或氧化层隔离结构形成分离式集电极，此结构有效抑制IGBT器件的空穴注入效率，避免过大的反向恢复电荷；有效抑制IGBT器件关断过程中的拖尾电流，降低关断损耗，使得开关速度更快。
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公开(公告)号：CN204332965U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420761169.4
申请日：2014-12-04
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本实用新型涉及一种具有空穴旁路和发射极集成均流电阻复合结构的平面栅IGBT。在传统的平面栅型IGBT基础上，通过调整N+注入掺杂区域的形状和面积，形成空穴电流旁路和N+掺杂发射区的集成均流电阻复合结构，此结构可以有效抑制IGBT器件的饱和电流，避免过大电流冲击；可以有效抑制IGBT器件的大电流状态下的Latch-up现象，降低空穴电流路径的电阻；可以使得发射极电流更加均匀，避免IGBT器件内局部区域的电流过大；同时还可以维持导通压降较小的变化值。
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公开(公告)号：CN204538033U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520304861.9
申请日：2015-05-13
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/417
摘要： 本实用新型涉及一种适用于压接式封装的IGBT芯片，包括：硅衬底、设置在所述硅衬底上的场氧化层和栅氧化层、设置在所述栅氧化层上的多晶硅栅电极、设置在所述多晶硅栅电极上的隔离氧化层和设置在所述隔离氧化层上的正面金属电极EM1；在所述隔离氧化层与所述正面金属电极EM1间设置正面金属电极EM2。本实用新型提供的技术方案对工艺精度要求低，且节省流片成本。
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公开(公告)号：CN203562431U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320705065.7
申请日：2013-11-08
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种功率器件，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本实用新型通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN204424217U
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201420870469.6
申请日：2014-12-31
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/285
摘要： 本实用新型提出了一种金属电极制造装置，装置包括由下至上依次设置的载片台(1)、盖板(4)和固定件(5)，载片台(1)中心设有方形孔，金属掩膜罩(2)跨放在所述方形孔上；位于金属掩膜罩(2)上方的所述盖板(4)纵剖面为延长的倒置凹槽，其两端的凸块支撑在载片件上；硅片上设有芯片，芯片的发射极为厚金属电极，金属掩膜罩(2)依据芯片的发射极的形状制备。该金属电极制造装置，金属通过金属掩膜罩的窗口到达硅片表面，在指定的区域淀积形成厚金属电极，减少了一次光刻和一次金属刻蚀工艺，缩短了加工周期，降低了生成成本。
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公开(公告)号：CN204303815U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420760894.X
申请日：2014-12-05
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423
摘要： 本实用新型涉及一种具有低反向传输电容抗闩锁结构的平面栅IGBT，本实用新型在常规方法基础上对P阱注入进行改进，在P阱总注入剂量和总推阱时间不变的情况下采用P阱多次注入，多次推结方式，使得N+区下方P阱浓度更高，更有效的降低空穴电流流经路径的电阻，有效抑制IGBT器件大电流状态下的闩锁现象，电阻的降低同时可以降低通态压降。本实用新型在JFET区上方添加一层厚度1.0-1.5μm的场氧化层，减小IGBT器件的反向传输电容，降低器件关断时反向传输电容的放电时间，减小关断损耗；通过减小IGBT器件的反向传输电容同样可以达到避免短路测试时发生LC震荡的目的。
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公开(公告)号：CN203562430U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320678868.8
申请日：2013-10-30
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；本实用新型中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本实用新型在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
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公开(公告)号：CN203165901U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201320078947.5
申请日：2013-02-20
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06
摘要： 本实用新型涉及一种半导体器件多级场板终端结构，包括衬底区表面的栅极氧化膜和场氧化膜层、沉积在栅极氧化膜和场氧化膜层上的多晶硅栅极、沉积在场氧化膜层上的隔离氧化膜以及沉积在隔离氧化膜上的SiO2薄膜；在隔离氧化膜和SiO2薄膜之间设置SiOxNy层，SiOxNy层为腐蚀阻挡层。本实用新型提供的结构终端为五个台阶，终端面积小，对界面电荷不敏感，突破国外四台阶多级场板结构专利的封锁；多级场板场氧化膜层中间及SiO2薄膜下添加SiOxNy薄膜层作为腐蚀阻挡层，降低对工艺精度的要求，操作简单，由于SiOxNy具有良好的致密性，阻止外部杂质离子侵入的能力，提高器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN204067368U
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201420547169.4
申请日：2014-09-22
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/08
摘要： 本实用新型涉及一种改善有源区与终端连接区场强均匀性的IGBT器件，IGBT器件包括发射极铝引线区域、栅铝引线区域、有源区、终端P型场限环、场氧化层、栅Bus区域和终端区域。所述栅铝引线区域位于器件边角位置，发射极铝引线区域位于有源区，栅Bus区域包围着有源区，所述终端区位于栅Bus区域外围。本实用新型通过改进传统的发射极与第一条金属场板、第一条栅极场板连接结构设计，使得IGBT器件在有源区与终端连接区场强均匀性得以改善，使IGBT器件整体场强的均匀性更好。本实用新型改善了IGBT的有源区与终端连接区场强均匀性，保证了栅铝引线区域铝引线完整性，提高了栅极电压的传输，从而提高了IGBT开关速度，减小开关损耗。
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