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公开(公告)号：CN103794511A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310526469.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN102939658B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201180026960.X
申请日：2011-05-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。
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公开(公告)号：CN113661577B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201980095132.8
申请日：2019-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H10K59/121 , H10K59/124 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 在显示装置中，包括与多个像素对应的像素电路，在基板(2)上依次层叠有半导体层(5)、栅极绝缘膜(6)、栅极(7)、第一层间绝缘膜(8)、电容电极(9)以及第二层间绝缘膜(10)。像素电路包含驱动晶体管(1)、电容和连接布线(11)。电容电极(9)在俯视时与栅极(7)重叠的位置的一部分设置有第一开口(9a)和第二开口(9b)。第一层间绝缘膜(8)和第二层间绝缘膜(10)具有设置在被第一开口(9a)包围的位置的接触孔(14)和设置在被第二开口(9b)包围的位置的孔(15)。连接布线(11)经由接触孔(14)与栅极(7)连接。孔(15)与半导体层(5)的沟道区域(5a)的一部分在俯视时重叠。
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公开(公告)号：CN113169231B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201880099988.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H10K59/121 , H10K59/12 , H01L29/786 , G09F9/30 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 各像素电路包括：TFT；以及电容器，其包含以TFT的岛状设置的栅极(14a)、在栅极(14a)上设置的第一无机绝缘膜以及在该第一无机绝缘膜上以与栅极(14a)重叠的方式设置的电容电极(16c)，不与半导体层(12a)重叠的部分中沿着栅极(14a)的周端面的周向的至少一部分与基底基板的上表面所成的角度大于在半导体层(12a)中俯视时重叠的部分中栅极(14a)的周端面与基底基板的上表面所成的角度。
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公开(公告)号：CN110832626B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201780092572.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 柔性有机EL显示装置包括藉由电子背散射衍射法的硅的结晶方位对齐于001面的程度为3以上的多晶硅层(15)。
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公开(公告)号：CN115398512A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080099717.X
申请日：2020-04-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本公开的显示装置具有：显示区域，其包含薄膜晶体管；端子部；以及折弯部，其设置在上述显示区域与上述端子部之间，在上述显示装置中，具备：树脂层，其在上述折弯部中设置在基材的上方；绝缘层，其设置为覆盖上述树脂层；以及第1配线，其设置在上述绝缘层的上方，在与上述显示区域和上述端子部的排布方向交叉的第1方向上延伸，将上述薄膜晶体管与上述端子部电连接，在上述折弯部中，上述树脂层具有在俯视时与上述第1配线重叠的至少1个孔或凹陷，上述绝缘层具有在俯视时与上述至少1个孔或凹陷重叠的至少1个开口部。
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公开(公告)号：CN112425264A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201880094737.0
申请日：2018-07-25
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在相邻的两条触摸面板布线(32)的间隙中,第二无机密封膜所具备的突出部(88、86、84、82)分别从覆盖第一堤部的上表面的第一覆盖部(28b)向显示区域侧或显示区域的相反侧伸出,或者从覆盖第二堤部的上表面的第二覆盖部(28a)向显示区域侧或显示区域的相反侧伸出。
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公开(公告)号：CN111837455A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201880091087.4
申请日：2018-03-12
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在有机EL显示装置(50)中，显示区域(D)和第一边框区域(F1)被规定为大致圆形状或大致椭圆形状，在弯折部(G)中，在无机膜层叠膜(36)上形成开口部(S)，且以填充开口部(S)的方式设置边框平坦化膜(37)。开口部(S)的显示区域(D)侧的端部(S1)沿第一边框区域(F1)的弯折部(G)侧的圆弧(H)形成。
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公开(公告)号：CN105765729B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201480064634.1
申请日：2014-08-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。
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