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公开(公告)号：CN101262037A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810085293.2
申请日：2008-03-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/025
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，其包括：基板；形成于所述基板上的第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层、和第二n型半导体层，其中p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的至少之一包含In，至少一含In层与具有比所述含In层更大的带隙的层接触，并且所述含In层和所述具有更大的带隙的层的界面与p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的界面之间的至少一最短距离小于40nm。根据本发明，可以提供能够减小驱动电压的氮化物半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN101030618A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084338.X
申请日：2007-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0217 , H01S5/0422 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种具有高的光发射输出同时可以减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中所述n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：使用含氮气的气体作为载气通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。
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公开(公告)号：CN104541381B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201380040831.5
申请日：2013-09-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/20
Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件包含以2×1019个/cm3以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层。
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公开(公告)号：CN104919604B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480004398.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104919604A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004398.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
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公开(公告)号：CN102005523B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010271331.0
申请日：2010-09-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/325
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法。氮化物半导体层通过在氮化硅层上堆叠具有相对于氮化硅层的表面倾斜的表面的第一氮化物半导体层，然后在第一氮化物半导体层上堆叠第二氮化物半导体层来制造，氮化物半导体元件和氮化物半导体发光元件的每个都包括氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103098748A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210417047.9
申请日：2012-10-26
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: A01K63/06 , H05B33/0803
Abstract: 本发明提供养殖用照明装置以及养殖装置，其中，用以养殖鱼的鱼塘(1)中具有发光元件(6a)、(6b)、(6c)，发光元件(6a)、(6b)、(6c)发出峰值发光波长落在400nm～570nm范围内且峰值发光波长彼此相差5nm以上的至少2种光。
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公开(公告)号：CN103035793A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210520669.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0207 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件的制造方法，该方法包括步骤：通过金属有机化学气相沉积形成具有倾斜面的第二氮化物半导体层，其中提供到金属有机化学气相沉积生长设备的生长腔中的V族元素气体对III族元素气体的摩尔流量比率设置为240或更小。
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公开(公告)号：CN101859853B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201010158575.8
申请日：2010-04-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管，其至少由n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层构成。所述有源层由发光二极管中In混晶比最大的一层第一氮化物半导体层构成，该发光二极管具有第二氮化物半导体层及第三氮化物半导体层中的至少任一方，该第二氮化物半导体层位于所述有源层和所述n型氮化物半导体层之间且包含InGaN层，该第三氮化物半导体层位于所述有源层和所述p型氮化物半导体层之间且包含InGaN层，所述第二氮化物半导体层所含有的InGaN层及所述第三氮化物半导体层所含有的InGaN层中至少任一方的In混晶比，小于构成所述有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。根据本发明，可以提供发光效率高的LED。
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