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公开(公告)号：CN100472830C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610121876.7
申请日：2006-08-25
申请人： 夏普株式会社
发明人： 笔田麻佑子
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种半导体发光器件的制造方法，包含：形成包含外延生长在基底基板上并包含有源层的多层半导体膜的晶片的步骤(P1、P2)、通过光激发晶片中的有源层并至少在两个温度点测量有源层的发射强度而对有源层进行合格/不合格判断的步骤(P3、P6、P8)、以及使用包含在合格/不合格判断中被判断为质量良好的有源层的多层半导体膜形成发光器件结构的步骤(P4、P5、P7、P9-P13)。
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公开(公告)号：CN101030698A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084339.4
申请日：2007-02-27
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0422 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：将生长温度设定于范围500至1000℃通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。
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公开(公告)号：CN102810610B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210174859.5
申请日：2012-05-30
申请人： 夏普株式会社
发明人： 笔田麻佑子
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，该氮化物半导体发光元件具有：生长用基板、形成于该生长用基板上的n型氮化物半导体层、形成于该n型氮化物半导体层上的发光层、形成于该发光层上的p型氮化物半导体层，该氮化物半导体发光元件的管孔的密度形成为5000个/cm2以下，该管孔从n型氮化物半导体层的位于发光侧的表面朝向基板大致垂直地延伸，直径为2nm~200nm。
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公开(公告)号：CN101771124B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN200910265655.0
申请日：2009-12-28
申请人： 夏普株式会社
发明人： 笔田麻佑子
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/22
摘要： 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件。在氮化物半导体发光元件中，透光衬底(1)具有上表面，至少包括发光层(5)的氮化物半导体层形成在该上表面上。凹部区域和凸部区域形成在透光衬底(1)的上表面上。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域之一通过具有至少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有180°或更大的内角。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域中的另一个形成为彼此不连成直线。具有这种构造的氮化物半导体发光元件具有优良的光提取效率并可以以适中的成本制造。
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公开(公告)号：CN103451725A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310216533.9
申请日：2013-06-03
申请人： 夏普株式会社
摘要： 本发明提供一种气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法。该气相生长装置具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于反应室的内部，并且用来保持基板的基板保持部；顶板，其设置在被基板保持部保持的基板和与基板相向的反应室的内壁面之间，用来向基板上输送提供到反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与顶板相向的反应室的内壁面与顶板之间流动的第一气体的流量，将在基板上形成膜时的顶板的温度保持为一定。
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公开(公告)号：CN101645482B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910165303.8
申请日：2009-08-05
申请人： 夏普株式会社
发明人： 笔田麻佑子
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，其中，该氮化物半导体发光元件依次包括：由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层以及n型氮化物半导体层。透明导电层优选由导电性金属氧化物或n型氮化物半导体构成，由电介体构成的反射层优选具有高折射率电介体构成的层与低折射率电介体构成的层交互叠层而成的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101916803A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010243743.3
申请日：2006-04-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L33/12
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
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