公开(公告)号：CN105849868A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201580003367.1

申请日：2015-01-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  藤重阳介 ,  伊藤伸之 ,  冈崎舞 ,  井上雄史 ,  田尻雅之 ,  寺口信明

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7786 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462

Abstract: 氮化物半导体层叠体包括：将从(111)面以0度以上4.0度以下的偏离角倾斜的面作为主面的Si衬底(101、201、301、401、1101)；和形成在Si衬底(101、201、301、401、1101)上的氮化物半导体层(110、210、310、410、1102、1103、1104、1105、1106、1107)。

公开(公告)号：CN101276991A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090009.0

申请日：2008-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小河淳 ,  高冈宏树

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。

公开(公告)号：CN103403886A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN101242077B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810004004.1

申请日：2006-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 石田真也 ,  小河淳 ,  花冈大介

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括将激光器芯片固定到具有光透射窗的封装的内部；密封地封闭所述封装的内部；以及通过所述光透射窗向所述封装的内部照射具有420nm或更短波长的光，同时在70℃或更高的温度下加热所述激光器件。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。

公开(公告)号：CN101237014A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004903.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  相生明雄 ,  驹田聪 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

公开(公告)号：CN106796870A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201580046071.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  远崎学 ,  冈崎舞 ,  藤重阳介 ,  田尻雅之 ,  伊藤伸之

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体，其包括Si衬底(100)、设置在该Si衬底(100)上的氮化物半导体层叠体(200)，其中，Si衬底(100)的X射线衍射中的摇摆曲线的半峰宽不足160arcsec。

公开(公告)号：CN106688084A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580048531.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田尻雅之 ,  伊藤伸之 ,  小河淳 ,  藤重阳介 ,  冈崎舞 ,  远崎学

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02694 ,  C23C16/301 ,  C23C16/303 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

Abstract: 氮化物半导体层叠体的制造方法包括：在反应炉内在衬底的上方形成第1氮化物半导体层(12)的第1氮化物半导体层形成工序；在第1氮化物半导体层(12)的上方形成第2氮化物半导体层(13)的第2氮化物半导体层形成工序；和在第2氮化物半导体层(13)的上表面形成与第2氮化物半导体层(13)相比带隙大的第3氮化物半导体层(14)的第3氮化物半导体层形成工序。第2氮化物半导体层形成工序与第3氮化物半导体层形成工序之间不被中断，第3氮化物半导体层形成工序与第2氮化物半导体层形成工序连续地被实施。

公开(公告)号：CN103403886B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201180068639.8

申请日：2011-12-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  吉田慎也 ,  泷口治久 ,  小河淳 ,  木下多贺雄 ,  村田彻 ,  船木毅 ,  布袋田畅行

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/812 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。

公开(公告)号：CN100555689C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200710111828.4

申请日：2007-06-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，在该氮化物半导体发光元件中，第一导电型的氮化物半导体层、有源层和第二导电型的氮化物半导体层按序叠置。所述制造方法包括以下步骤：在第一导电型的氮化物半导体层的表面处形成凹凸；在第二导电型的氮化物半导体层的表面处形成凹凸；以及在第一导电型的氮化物半导体层的一侧上形成第一电极和在第二导电型的氮化物半导体层的一侧上形成第二电极，使得第一和第二电极互相面对安置而有源层介于其间。

公开(公告)号：CN1877931A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610091605.1

申请日：2006-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 石田真也 ,  小河淳 ,  花冈大介

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种制造激光器件的方法，其包括在高于具有低熔点的金属的熔点的温度下使金属熔化，从而通过金属将激光器芯片固定到支架上，在低于所述熔点的加热温度下加热固定了激光器芯片的支架，之后，采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，由此密封激光器芯片。可以在产生臭氧的环境内，或者产生氧等离子体的环境下执行加热步骤。此外，在干空气或惰性气体中采用管壳覆盖固定了激光器芯片的支架，从而制作密封封闭封装，之后在加热的同时向封装内照射紫外线。本发明在不劣化激光器芯片所采用的焊料和电极的情况下去除附着在包括激光器芯片、芯柱和管壳的封装元件上的污染物，并在激光器芯片工作时抑制光化学反应物质在发光端面上沉积。