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公开(公告)号：CN117789779B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311832360.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/419
Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括：使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。
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公开(公告)号：CN118136069A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410332363.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本申请涉及一种TFET‑SRAM单元电路及其封装方法、阵列电路和电子设备，在单元电路中，锁存模块包括第一PTFET管、第二PTFET管、第一NTFET管和第二NTFET管，第一PTFET管的漏极、第一NTFET管的漏极、第二PTFET管的栅极和第二NTFET管的栅极相互连接并构成第一存储节点，第一PTFET管的栅极、第一NTFET管的栅极、第二PTFET管的漏极和第二NTFET管的漏极相互连接并构成第二存储节点；第一PTFET管的源极通过第一开关模块连接电源，第二PTFET管的源极连接电源，第一NTFET管通过第二开关模块连接地，第二NTFET管连接地，第一存储节点通过第一写入模块连接电源且通过第二写入模块连接地，第二存储节点连接读出模块。解决了TFET‑SRAM单元电路通常难以兼顾写入速度和功耗的问题。
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公开(公告)号：CN117789779A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311832360.3
申请日：2023-12-28
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C7/06 , G11C7/08 , G11C11/419
Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括：使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。
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公开(公告)号：CN117476074A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311826688.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/419
Abstract: 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自控制型SRAM感应放大电路、模块。本发明包括：使能控制部、上交叉耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明避免了VDD到VSS间过多晶体管串联，节约了电压余度。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用上交叉耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存型灵敏放大器存在失调电压干扰、以及现有专利存在振荡风险的问题。
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公开(公告)号：CN117153218A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310968651.9
申请日：2023-08-02
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/413 , G11C11/415 , G11C11/416
Abstract: 本发明涉及动态随机存取存储技术领域，具体涉及单bit权重产生单元、多bit权重产生单元、阵列组及计算宏。本发明的单bit权重产生单元包括n个标准6T‑SRAM单元和1个转置XNOR累加单元，将转置XNOR累加单元作为计算单元，并外接在标准6T‑SRAM上，进而实现多bit同或累加的推理和训练操作。本发明的多bit权重产生单元由4个单bit权重产生单元组成，阵列组由阵列分布的多bit权重产生单元组成、存内计算宏基于阵列组构建。本发明根据推理和训练操作的特点，制定了不同的量化方案，实现整合，对芯片资源进行有效的利用，解决了现有的推理‑训练芯片在推理操作时出现速度减慢、后向传播精确度降低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116931873B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311159955.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片。所述两字节乘法电路包括四个与门电路和两个半加器电路。每个半加器电路包括三个PMOS晶体管和三个NMOS晶体管。半加器电路结构在仅用六个晶体管的情况下能达到全摆幅输出。在四个门电路模块和两个半加器电路模块组合下，完成一个2bit乘法器电路设计，同时两字节乘法电路可根据不同位宽乘法运算的需要进行不同电路的组合设计，通过配置加法器和移位器，使得运算器进行任意位宽为2次幂的乘法，可以避免高位运算的大体积的乘法器，可以实现数据位宽的灵活调节，进而实现更多复杂数据的运算，同时降低芯片运行功耗，使运算效率大大提高。
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公开(公告)号：CN116931873A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311159955.7
申请日：2023-09-11
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及两字节乘法电路及其任意位宽为2次幂的乘法电路与芯片。所述两字节乘法电路包括四个与门电路和两个半加器电路。每个半加器电路包括三个PMOS晶体管和三个NMOS晶体管。半加器电路结构在仅用六个晶体管的情况下能达到全摆幅输出。在四个门电路模块和两个半加器电路模块组合下，完成一个2bit乘法器电路设计，同时两字节乘法电路可根据不同位宽乘法运算的需要进行不同电路的组合设计，通过配置加法器和移位器，使得运算器进行任意位宽为2次幂的乘法，可以避免高位运算的大体积的乘法器，可以实现数据位宽的灵活调节，进而实现更多复杂数据的运算，同时降低芯片运行功耗，使运算效率大大提高。
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公开(公告)号：CN116340150A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310181903.3
申请日：2023-02-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明设计集成电路设计领域，具体涉及一种基于UVM的可重用的寄存器性能交互验证系统及其应用。该验证系统应用于一个包含主机和从机的验证设备中。验证系统采用system verilog语言编写，并基于UVM库创建，运行于验证设备的主机中。从机与主机采用接口通信连接；从机为使用verilog或者system verilog语言编写的RTL设计方案。本发明提供的寄存器性能交互验证系统包括：配置模块、测试用例模块、激励序列库模块、验证层，以及事务级建模通信单元。该验证系统不用更改内部代码，只需要对主、从机之间的通信内容进行配置即可用于其它项目验证。因此，本发明可以解决现有芯片设计过程中，验证系统和工具在不同项目间无法重用导致的项目的仿真和验证成本较高的问题。
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公开(公告)号：CN116168736A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310409612.5
申请日：2023-04-18
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C7/06 , G11C11/419
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，更具体的，涉及基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，以及基于该电路设计的灵敏放大器模块。本发明提供了基于上交叉耦合的自适应关断型SRAM灵敏放大器电路，结构简洁明了，方便实现。本发明采用上交叉耦合部与输入电路部直接串联的结构，避免了VDD到地串联过多MOS管导致输出电压余量较小的问题，同时实现了核心的数据放大功能。本发明采用自关断位线部来根据输出节点A0、A1电压变化，自适应地切断非目标位线与相应输入电路部中间节点的连接，断开非目标位线对输出节点的影响，从而降低失调电压和放大延时。
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