-
公开(公告)号：CN114641730A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080076833.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20 , G03F7/004 , H01L21/027
Abstract: 本案的实施方式包括一种用于图案化层状结构的光刻设备、图案化系统及方法。图案化系统包括图像形成装置及反应层。图案化系统允许在单一操作中创建光刻图案。光刻设备包括图案化系统和光学系统。光刻设备与图像形成装置一起使用多个波长的光，以在反应层上创建多个颜色图案。图案化方法包括将反应层暴露于多个波长的光。依据发射到不同区域的光的波长，光会与反应层的不同区域发生不同的反应。本案公开的方法及设备仅需要一个图像形成装置及一个光刻操作。
-
公开(公告)号：CN113454536A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080015113.2
申请日：2020-01-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 约瑟夫·R·约翰逊 , 托马斯·L·莱蒂格
Abstract: 本文描述的实施方式提供光刻工艺的系统、软件应用、及方法，以在单程中写入全色调部分及灰色调部分。系统的一个实施方式包括经构造以提供掩模图案数据至光刻系统的控制器。控制器经构造以通过多次发射中的灰色调发射及全色调发射，而在时间上划分多个空间光调制器像素，且控制器经构造以在变化由光源生成的光束的第二强度，并在全色调发射时变化由每个影像投射系统的光源生成的光束的第一强度。
-
公开(公告)号：CN112020675A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980028150.4
申请日：2019-03-27
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 约瑟夫·R·约翰逊
Abstract: 本文讨论的系统与方法关于在光刻与微光刻期间图案化基板，以使用剂量形成一组或多组临界尺寸的特征。基于在制造期间捕获的图像产生剂量图，以说明在用于图案化基板的多个操作中的处理变化。剂量图与成像程序一起使用，以调节施加至基板的各个区域的电压，以便产生具有一组或多组临界尺寸的特征，并补偿原本可能导致不正确临界尺寸的上游或下游操作。
-
公开(公告)号：CN106169415B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201610796315.0
申请日：2014-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/311 , C23C14/00 , C23C14/06
Abstract: 一种用于多图案化应用的光调谐硬掩膜。本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。
-
公开(公告)号：CN105659164B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201480057956.3
申请日：2014-06-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20
Abstract: 揭示根据光刻胶厚度使用处理器改变写入射束的输送剂量的多射束图案产生器及相关方法。图案产生器可在具有光刻胶的基板上写入图案，光刻胶对写入射束敏感。当写入射束在写入像素位置写入图案的至少一部分时，可于各写入周期写入图案。图案产生器的射束致动器可将写入射束独立地引导至写入像素，以于每个写入周期期间输送各像素剂量。可根据一或更多方式利用以下之一或多者而根据不同写入像素位置的光刻胶厚度调整输送的像素剂量：致动器驻留时间、发射的脉冲宽度、发射的脉冲频率和发射的脉冲强度。如此，可为具有变化的光刻胶厚度的基板提供额外的尺寸控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108351599A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680064756.X
申请日：2016-08-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 托马斯·L·莱蒂格 , 约瑟夫·约翰逊 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开一种与在制造工艺中将无掩模光刻图案施加到基板的能力有关的图像校正应用。本文所述的实施方式涉及软件应用平台，所述软件应用平台校正基板上的不均匀图像图案。应用平台方法包括：禁用DMD中的至少一整列镜，其中DMD具有多个列，每个列具有多个镜；将基板的第一部分曝光于第一电磁辐射范围；将基板的第二部分曝光于第二电磁辐射范围；并且重复将基板的第二部分曝光于第二范围，直至基板被完全地处理。
-
公开(公告)号：CN106575604A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580040272.7
申请日：2015-07-13
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: H01L21/027
Abstract: 本文描述一种处理基板的方法。所述方法包括将基板定位于阶台上，阶台与无掩模直写图案产生器相关联。基板具有形成于其上的未显影、未曝光的光刻胶层。光刻胶层具有多个写入像素位置。所述方法包括将预定用量的电磁能从图案产生器传送至每个写入像素位置。第一预定用量是全色调用量，且第一预定用量被传送到至少一个写入像素位置。第二预定是部分色调用量，且第二预定用量被传送到至少一个写入像素位置。第三预定用量是部分用量或零色调用量。第三预定用量被传送到至少一个写入像素位置，且第三预定用量不同于第二预定用量。
-
公开(公告)号：CN106169415A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610796315.0
申请日：2014-05-02
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/311 , C23C14/00 , C23C14/06
Abstract: 一种用于多图案化应用的光调谐硬掩膜。本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。
-
公开(公告)号：CN105706002A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480058806.4
申请日：2014-12-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马耶德·A·福阿德 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 克里斯多弗·G·塔尔博特 , 约翰·克里斯多弗·莫兰
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G01N21/95 , G01N21/956 , G01N2021/95676 , G01N2201/061
Abstract: 一种远紫外线(EUV)基板检查系统及其制造方法，包含：EUV来源，该EUV来源引导EUV照射穿过光圈；光检测器，该光检测器检测带有由基板反射离开的减低的偏离轴的射线的掩模照射；及计算机装置，该计算机装置处理由该光检测器检测到的图像数据。
-
公开(公告)号：CN118818910A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410731958.1
申请日：2019-07-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 约瑟夫·R·约翰逊 , 托马斯·L·莱蒂格 , 克里斯多弗·丹尼斯·本彻
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本公开内容涉及预备空间光调制器区段以解决场不均匀性。本公开内容的实施方式总体提供使用数字微镜装置(DMD)的改进的光刻系统和方法。DMD包括与基板相对设置的微镜的列和行。光束从微镜反射至基板上，产生图案化基板。微镜的列和行的某些子集可定位至“关闭”位置，使得这些子集废弃光，以便校正图案化基板中的均匀性误差，即，比期望的大的特征。类似地，微镜的列和行的某些子集可默认为“关闭”位置并且选择性地允许这些子集返回到它们的编程位置，以便校正图案化基板中的均匀性误差，即，比期望的小的特征。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.018 seconds)
