-
公开(公告)号：CN111900084A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010788490.1
申请日：2014-06-19
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/3065
摘要： 本发明涉及抗等离子体腐蚀的稀土氧化物基薄膜涂层。制品包含主体和至少一个保护层，所述保护层位于所述主体的至少一个表面上。所述至少一个保护层是具有小于约20微米的厚度、并包含陶瓷的薄膜，所述陶瓷选自由以下各项组成的组：Y3Al5O12、Y4Al2O9、Er2O3、Gd2O3、Er3Al5O12、Gd3Al5O12以及含Y4Al2O9与Y2O3-ZrO2固体溶液的陶瓷化合物。
-
公开(公告)号：CN111254436A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010090438.9
申请日：2015-04-23
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C28/04 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/22 , C23C14/30 , C23C14/34 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01L21/67
摘要： 诸如基座之类的制品包括热传导材料的主体，所述主体由所述主体表面上方的第一保护层与第二保护层涂覆。第一保护层是热传导陶瓷。第二保护层覆盖第一保护层，并且是可在650℃温度下抵抗破裂的耐等离子体的陶瓷薄膜。
-
公开(公告)号：CN107916399B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201711275217.3
申请日：2015-04-20
申请人： 应用材料公司
摘要： 本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。
-
公开(公告)号：CN109972091A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910304795.8
申请日：2014-07-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/30 , C23C14/58 , H01J37/32 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。
-
公开(公告)号：CN107978507A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711394369.5
申请日：2014-07-15
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明涉及用于处理腔室的腔室部件和制造制品的方法。一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后，执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜，所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN107916399A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711275217.3
申请日：2015-04-20
申请人： 应用材料公司
摘要： 本申请公开了稀土氧化物的顶部涂层的离子辅助沉积。制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。
-
公开(公告)号：CN107516645A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710717962.2
申请日：2013-07-26
申请人： 应用材料公司
摘要： 本发明涉及针对先进元件的晶圆上粒子性能的化学相容性涂层材料。为了针对一种用于半导体处理腔室的制品制造涂层，该制品包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体及主体上的陶瓷涂层。陶瓷涂层包括一化合物，该化合物包含自约50摩尔％至约75摩尔％范围内的Y2O3、自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的ZrO2及自约10摩尔％至约30摩尔％范围内的Al2O3，其中每英寸节结的数目处于自约30个节结至约45个节结的范围内且孔隙率处于自约2.5％至约3.2％的范围内。
-
公开(公告)号：CN106810257A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710073435.2
申请日：2014-11-11
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C04B35/505 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B37/02
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62222 , C04B35/62655 , C04B37/001 , C04B37/02 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C14/221 , C23C16/405 , C23C16/4401 , C23C16/45525 , C23C16/50 , H01J37/32082 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6833 , H01L21/68757
摘要： 本申请公开了稀土氧化物基单片式腔室材料。一种固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含：约30摩尔％至约60摩尔％的浓度的Y2O3；约20摩尔％至约60摩尔％的浓度的Er2O3；以及约0摩尔％至约30摩尔％的浓度的ZrO2、Gd2O3或SiO2的至少一者。或者，所述固体烧结陶瓷制品可包括固溶体，所述固溶体包含40‑100摩尔％的Y2O3、0‑50摩尔％的ZrO2以及0‑40摩尔％的Al2O3。
-
公开(公告)号：CN105431926A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201580001477.4
申请日：2015-05-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/56
CPC分类号： C23C4/134 , C04B35/10 , C04B35/48 , C04B35/505 , C23C4/11 , Y10T428/26
摘要： 为了制造用于半导体处理室的制品的涂层，提供包括Al、Al2O3或SiC中的至少一者的主体的制品，并且陶瓷涂层被涂覆在所述主体上，其中，所述陶瓷涂层包括Y2O3、Al2O3和ZrO2的化合物。通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包括以下步骤：提供等离子体喷涂系统，所述等离子体喷涂系统具有在约100A至约1000A之间的范围中的等离子体电流；将所述等离子体喷涂系统的喷炬支架定位在距所述主体约60mm与约250mm之间的距离；使第一气体以约30L/min与约400L/min之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；以及对所述主体进行等离子体喷涂涂覆以形成等离子体涂层，其中，所述涂层的喷溅是非晶的并具有盘饼形状。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
53 条记录 (耗时 0.034 秒)
